本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种集成

本发明提供一种功率模块的三维封装结构

本发明提供一种直流电源装置的控制方法

本申请提供一种户外移动电源过温保护方法

本申请提供一种功率半导体器件的封装结构及封装方法，该封装结构包括：金属框架；芯片，其焊接在所述金属框架的一侧平面；跳线结构，其包括跳线区和槽体区，所述跳线区由所述槽体区的侧壁向外延伸，所述槽体区的底部焊接在所述芯片背离所述金属框架的一侧...

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体封装件及其生产方法。该半导体封装件包括半导体芯片、铜箔和电路基板，半导体芯片和电路基板的至少部分表面上设有镀层；半导体芯片的镀层中含过渡金属，电路基板的镀层中含金属和/或金属氧化物；铜箔通过铜...

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，同一半导体器件上集成有并联设置且共用源极沟槽结构的结型场效应管和金属氧化物场效应管，能对结型场效应管和金属氧化物场效应管进行同步开关控制，利用结型场效应管的沟道关闭能力比金属氧化物场效应管的沟道关闭...

本申请提供一种肖特基二极管版图结构及其制作方法，该肖特基二极管版图结构包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，其设置于所述第一导电类型衬底的一侧；多个多边形微沟槽，设置于所述第一导电类型外延层背离所述第一导电类型衬底的一侧，所述多边...

本申请提供一种屏蔽栅沟槽型晶体管及其制作方法，该晶体管包括：第一导电类型衬底；第一导电类型漂移区设置于第一导电类型衬底的一侧，在第一导电类型漂移区背离第一导电类型衬底的一侧设置有栅沟槽；第二导电类型栅氧保护层设置于栅沟槽底部；第一源电极...

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种自对准沟槽型碳化硅混合二极管结构及其制备方法。本发明公开的半导体结构包括：N+碳化硅衬底；N

本发明涉及电源模块控制技术领域，具体公开了一种主从均流控制方法，包括如下内容：S1、主模块分别对执行器的电流和电压进行采样；S2、主模块根据当前的功率给定、电压采样值，电流给定与模块总数量的商、电流采样值，电压给定和采样电压值分别得到第...

本申请提供一种三相PFC电路的调制方法、系统、设备和介质，该方法包括：获取三相PFC电路的直流侧负载以及实时交流输入功率；在所述直流侧负载小于或等于预设负载阈值时，调用对应的调制临界功率；根据所述实时交流输入功率以及所述调制临界功率确定...

本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成SBD的碳化硅SGT

本发明属于器件封装技术领域，具体涉及一种器件及其封装方法，本发明提供了一种器件，包括基板和芯片，所述基板和所述芯片之间通过焊层连接，所述焊层包括焊膏和金属添加物，所述金属添加物包括分散于所述焊膏内的金属颗粒或设置于基板上的金属颗粒，所述...

本申请提供了一种LLC磁集成高频变压器，通过调节高压绕组和低压绕组的耦合程度来完成调节漏感的大小，从而实现磁集成。本申请利用高频变压器的漏感充当LLC电路中的谐振电感，从而减少了磁性元器件的数量，降低了成本。同时通过采用多槽骨架稳定绕组...

本申请提供了一种应用于LLC高频变压器的绕组切换方法和装置。本申请通过调节LLC中高频变压器的变比或者串联并联变压器来使得在不同电压等级下保持频率调节范围不变，同时保证谐振腔谐振参数不变，第一谐振点不变，有利于谐振参数设计。此外，本申请...

本申请提供了一种SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET的混合开关结构，该开关结构由两条并联支路构成，第一条电流支路为SiC MOSFET，第二条电流支路为Si IGBT与低压Si MOSFET串联结构。该混合开关结构相...

本发明提供一种沟槽型碳化硅二极管器件结构，自下向上包括：阴极、第一欧姆接触层、N+碳化硅衬底、N

本发明提供一种逆导

本发明提供一种碳化硅结型栅双极型晶体管器件，包括：下表面设置有集电极的P+型碳化硅衬底；位于所述P+型碳化硅衬底上方的N型场截止层；位于所述N型场截止层上方的N