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本发明提供了一种压接型功率半导体器件内部结温分布测量方法及系统，本发明中的方法包括：测量获得压接型功率半导体器件中各子模组的初始接触力值、接触力波动值和初始结温值；根据各子模组的初始接触力值和接触力波动值，以及压接型功率半导体器件内部单个子...
该专利属于重庆平创半导体研究院有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆平创半导体研究院有限责任公司授权不得商用。

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