本技术的实施例提供了一种排水气分离装置，涉及半导体排液领域。该排水气分离装置包括反应槽体、缓排槽体以及主排液管，缓排槽体设置于反应槽体的下方，缓排槽体的顶部和反应槽体连通，缓排槽体的顶部设有排气口，排气口用于在反应槽体内的液体进入缓排槽...

本申请提供了一种炉管填充片与晶圆加工装置，涉及半导体技术领域。该炉管填充片置于晶舟的底部与顶部，炉管填充片包括：硅衬底；位于硅衬底一侧的氧化层；位于氧化层的远离硅衬底一侧的氮化硅层；其中，氧化层的厚度大于氮化硅层的厚度。本申请提供的炉管...

本申请提供一种离子注入设备与系统，涉及半导体技术领域。该离子注入设备包括壳体、灯丝、第一灯丝套管、第二灯丝套管、第一法兰和第二法兰，第一灯丝套管和第二灯丝套管均镶嵌在壳体的入口处，第一灯丝套管朝壳体内部的一端与第一法兰连接，第二灯丝套管...

本申请提供了一种外门控制装置与晶圆加工设备，涉及晶圆加工技术领域。该外门控制装置应用于晶圆加工设备，晶圆加工设备包括腔体、出口以及外门，出口连通腔体，外门设置于出口处；外门控制装置包括驱动模块、开关模块以及检测模块，开关模块分别与检测模...

本技术提供了一种过滤装置及过滤设备，涉及半导体工艺领域；一种过滤装置，包括固定件、至少两个的滤芯以及至少一个滤芯承载网；滤芯承载网上设置卡槽；滤芯上设置有过滤网孔；至少两个滤芯通过卡槽固定在滤芯承载网内；固定件设置在至少一个滤芯承载网上...

本技术的实施例提供了一种机台保养排气装置，涉及机台保养领域。该机台保养排气装置包括防护罩以及排气管，所述防护罩设置于机台主腔体的外部，所述防护罩的侧壁设有作业部，所述排气管和所述防护罩的顶部连接，所述排气管外接排风系统。防护罩直接罩设在...

本技术提供了一种沟槽氧化层结构及电子设备，涉及半导体技术领域；沟槽氧化层结构包括：外延片；位于外延层外的沟槽；填充于沟槽内的第一多晶硅层、第二多晶硅层以及氧化层；第二多晶硅层包括第一多晶硅区，第二多晶硅区；第一多晶硅区位于第二多晶硅区下...

本申请提供了一种去胶机与晶圆处理系统，涉及去胶技术领域。该去胶机包括第一腔体、第二腔体、电磁阀门、真空系统以及驱动模块，电磁阀门与第一腔体、第二腔体连通，真空系统与电磁阀门连接，电磁阀门还与驱动模块电连接；其中，驱动模块包括控制器，控制...

本申请提供了一种晶舟结构与晶圆加工设备，涉晶舟技术领域。该晶舟结构包括第一端板、第二端板、第一支撑柱、第二支撑柱、第三支撑柱以及第四支撑柱，第一支撑柱、第二支撑柱、第三支撑柱以及第四支撑柱的两端均分别与第一端板、第二端板可拆卸连接，第一...

本发明实施方式提出一种半导体金属化方法及半导体器件，属于半导体技术领域，通过在待金属化的半导体器件的金属硅化物制作金属阻挡层，并通过该金属阻挡层形成第一通槽，从而将第一通槽作为待填充通槽，在待填充通槽内制作金属阻挡层，进而采用电镀的方式...

本发明实施例提供了基于半导体器件的光刻方法，涉及半导体技术领域；方法包括：提供蚀刻沟槽后的外延片；在外延片上涂布至少两次负光刻胶，其中负光刻胶涂布于外延片的台面并填充沟槽；对涂布后的光刻胶进行曝光；并在预设条件下对曝光后的光刻胶进行显影...

本发明提供了一种微粒清扫装置及方法，涉及半导体技术领域，该微粒清扫装置包括：微粒检测模块、预警模块、清扫模块、开关模块；预警模块分别与微粒检测模块、开关模块连接；清扫模块分别与开关模块、微粒检测模块连接；清扫模块设置在微粒检测模块的上方...

本申请实施例提供一种半导体器件制作方法和半导体器件，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：S1.提供一带有沟槽的外延片；S2.与竖直方向呈大于0的角度注入离子，使离子经过沟槽穿过沟槽壁面注入到外延层形成预注入区域；S3.在沟槽沉积多晶硅以...

本发明的实施例提供了一种增加沟槽底部氧化层厚度的方法，涉及半导体技术领域。增加沟槽底部氧化层厚度的方法包括：S1：在硅片上刻蚀出硅沟槽；S2：在硅片上以及硅沟槽内生长缓冲氧化层；S3：在缓冲氧化层上生长第一多晶硅淀积层、并掺杂；S4：刻...

本发明实施例提出一种SGT

本申请提供了一种SGT器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一包含沟槽的外延片，再沿外延片与沟槽的表面淀积场氧层，沿沟槽内淀积第一多晶硅并进行回刻，接着刻蚀沟槽内的部分第一多晶硅，以形成槽内多晶层，再对场氧层进行减薄，并露出槽内多晶...

本申请提供了一种显影液测量组件及系统，涉及测量工具技术领域。该显影液测量组件包括导流槽与汇流槽，导流槽与汇流槽连接，且汇流槽包括出口，导流槽安装于显影液喷嘴的下方，汇流槽的出口正对测量工具；其中，导流槽用于将显影液喷嘴流出的显影液导流至...

本申请提供了一种深硅刻蚀方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：提供一硅衬底；在刻蚀环境下向硅衬底通入刻蚀气体SF6，以对硅衬底进行刻蚀，并形成沟槽；在预设时间后向硅衬底通入钝化气体O2，以在沟槽表面形成SiO2钝化层；去除沟槽底部的...

本申请提供了一种涂胶显影设备与涂胶显影系统，涉及涂胶显影技术领域。该涂胶显影设备包括设备本体、第一管路、通道转换器件以及第二管路，通道转换器件分别与第一管路、第二管路连接，第一管路用于连接药液箱，第二管路与设备本体连接；其中，当通道转换...

本申请提供一种Trench MOS结构及其制作方法，首先对外延层进行Body注入形成注入区并进行退火处理，再在注入区进行源极离子注入及退火处理形成源极。之后再对外延层进行刻蚀形成沟槽，于沟槽内生长形成栅氧化层，并在沟槽内填充多晶硅。本方...