一种沟槽氧化层结构及电子设备制造技术

本技术提供了一种沟槽氧化层结构及电子设备，涉及半导体技术领域；沟槽氧化层结构包括：外延片；位于外延层外的沟槽；填充于沟槽内的第一多晶硅层、第二多晶硅层以及氧化层；第二多晶硅层包括第一多晶硅区，第二多晶硅区；第一多晶硅区位于第二多晶硅区下方；其中第一多晶硅层、第一多晶硅区、第二多晶硅区的宽度依次增大，且第二多晶硅区与第一多晶硅区宽度的差值，大于第一多晶硅区与第一多晶硅层宽度的差值；本技术通过栅极多晶硅构建场板耗尽层，可使用掺杂浓度更高的外延层材料，从而降低半导体器件的导通电阻。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，具体而言，涉及一种沟槽氧化层结构及电子设备

技术介绍

1、制备sgt-mosfet的方法中，常用ono法与左右结构sgt法。

2、针对ono法虽然可以通过sin有效隔离氧化反应，保护沟槽侧壁和外延沉底，但是会使得sin留存在沟槽底部，产生较大应力，从而形成缺陷导致漏电发生；且sin和场板均为cvd作业，其膜层质量不如生长氧化层，降低击穿电压。

3、而左右结构sgt法，虽可以在改善工艺流程，提高生产周期的基础上，将场板氧化层作为生长氧化层，提高耐压，但会使得多晶面积变大，产生明显的电容效应。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种沟槽氧化层结构及电子设备，通过构建一种新型的沟槽氧化层结构，可改变原sgt产品场板结构，使得stg产品在关闭状态时，栅极多晶硅耗尽沟道底部的外延，增加沟道的耗尽，从而使得应用该沟槽氧化层结构的sgt产品可使用更浓的外延层，且不产生漏电，降低导通电阻。

2、本技术提供一种技术方案：

3、第一方面，一种沟槽氧化层结构，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽氧化层结构，其特征在于，所述沟槽氧化层结构包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽氧化层结构，其特征在于，所述氧化层包括第一氧化层、第二氧化层及第三氧化层；

3.根据权利要求2所述的沟槽氧化层结构，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的沟槽氧化层结构，其特征在于，所述第三氧化层的厚度为10-100nm。

5.根据权利要求2所述的沟槽氧化层结构，其特征在于，所述第二氧化层的厚度大于所述第三氧化层的厚度。

6.根据权利要求2所述的沟槽氧化层结构，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为100-300nm。>

7.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽氧化层结构，其特征在于，所述沟槽氧化层结构包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽氧化层结构，其特征在于，所述氧化层包括第一氧化层、第二氧化层及第三氧化层；

3.根据权利要求2所述的沟槽氧化层结构，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的沟槽氧化层结构，其特征在于，所述第三氧化层的厚度为10-100nm。

5.根据权利要求2所述的沟槽氧化层结构，其特征在于，所述第二氧化层的厚度大于所述第三氧化层的厚度。

6.根据权利要求2所述的沟槽氧化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王友伟，徐雷军，王成森，
申请(专利权)人：捷捷微电南通科技有限公司，
类型：新型
国别省市：