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本技术提供了一种沟槽氧化层结构及电子设备，涉及半导体技术领域；沟槽氧化层结构包括：外延片；位于外延层外的沟槽；填充于沟槽内的第一多晶硅层、第二多晶硅层以及氧化层；第二多晶硅层包括第一多晶硅区，第二多晶硅区；第一多晶硅区位于第二多晶硅区下方；...
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