半导体金属化方法及半导体器件技术

本发明专利技术实施方式提出一种半导体金属化方法及半导体器件，属于半导体技术领域，通过在待金属化的半导体器件的金属硅化物制作金属阻挡层，并通过该金属阻挡层形成第一通槽，从而将第一通槽作为待填充通槽，在待填充通槽内制作金属阻挡层，进而采用电镀的方式在待填充通槽内制作金属塞，之后进行平坦化，并在半导体器件上淀积第一介质层，继续在金属塞上制作金属层，并制作金属图形导线，进而淀积层间介质层，并在层间介质层上制作第二通槽，继续工艺流程直至金属化结束，实现采用电镀制作金属塞的方式，能够在待填充通槽完全塞满金属的前提下，极大地减小金属塞表面金属的厚度，从而能够降低工艺时长和工艺成本。能够降低工艺时长和工艺成本。能够降低工艺时长和工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体金属化方法及半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体金属化方法及半导体器件。

技术介绍

[0002]半导体金属化工艺就是在制备好的元器件表面淀积金属薄膜，并进行微细加工，利用光刻和刻蚀工艺金属互联线，把硅片上的各个元器件连接起来形成一个完整的电路系统，并提供与外电路连接接点的工艺过程。金属化在半导体领域中主要两种应用：(一)制备金属互连线；(二)形成接触。金金属互连线是指在硅片上利用导电材料(如铝，多晶硅和铜)制成精细导线，实现芯片上的电信号传输。形成接触是指将第一层(最底层)的金属互连线与半导体(或表面器件)相连接。
[0003]在传统的金属化工艺流程中，进行金属塞制作时需要较厚的淀积层才可以保证金属完全塞满，使得在后续的平坦化工艺或Etch back工艺要去除较厚表面金属，导致工艺时间长且工艺成本高。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种半导体金属化方法及半导体器件，其能够目前的金属化方法的金属塞制作需要在后续的平坦化工艺或Etch back工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体金属化方法，其特征在于，所述方法包括：在待金属化的半导体器件的金属硅化物上进行金属阻挡层制作，并通过金属阻挡层形成第一通槽；将第一通槽作为待填充通槽，采用电镀的方式，在所述待填充通槽内制作金属塞，并进行平坦化；在所述半导体器件上且所述金属塞的四周淀积第一介质层；在所述金属塞上制作金属层，并在所述金属层上制作金属图形导线；在金属图形导线制作结束后，淀积层间介质层，并在所述层间介质层上制作第二通槽；其中，所述第二通槽靠近所述金属层；当所述半导体器件的金属化需求为单层金属化时，将所述第二通槽作为窗口，单层金属化结束。2.根据权利要求1所述的半导体金属化方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述半导体器件的金属化需求为多层金属化时，将所述第二通槽作为待填充通槽；返回执行所述采用电镀的方式，在所述待填充通槽内制作金属塞，并进行平坦化的步骤，直至制作完目标层数的金属化，并将得到的第二通槽作为窗口，多层金属化结束。3.根据权利要求1或2所述的半导体金属化方法，其特征在于，所述采用电镀的方式，在所述待填充通槽内制作金属塞的步骤，包括：将当前的产品放入电镀溶液内，并将阳极靶材放入所述电镀溶液内；其中，所述电镀溶液包括添加剂、无机阴离子、氯离子和金属阳离子；将所述产品和所述阳极靶材分别连接电镀电源的阴极和阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：车洪祥，王友伟，张焜，
申请(专利权)人：捷捷微电南通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：