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本发明实施方式提出一种半导体金属化方法及半导体器件，属于半导体技术领域，通过在待金属化的半导体器件的金属硅化物制作金属阻挡层，并通过该金属阻挡层形成第一通槽，从而将第一通槽作为待填充通槽，在待填充通槽内制作金属阻挡层，进而采用电镀的方式在待...
该专利属于捷捷微电(南通)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过捷捷微电(南通)科技有限公司授权不得商用。

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