TrenchMOS结构及其制作方法技术

本申请提供一种Trench MOS结构及其制作方法，首先对外延层进行Body注入形成注入区并进行退火处理，再在注入区进行源极离子注入及退火处理形成源极。之后再对外延层进行刻蚀形成沟槽，于沟槽内生长形成栅氧化层，并在沟槽内填充多晶硅。本方案中，在制作中先进行Body注入和源极离子注入并退火，再进行沟槽制作和多晶硅填充，如此，可有效避免Body注入和源极离子注入后退火的高温对多晶硅产生影响，进而影响器件性能。影响器件性能。影响器件性能。

【技术实现步骤摘要】
Trench MOS结构及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种Trench MOS结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]半导体工艺中Trench MOS已经是一个成熟的工艺，Trench MOS为沟槽式金属氧化物场效应晶体管，具有更低的导通电阻Rdson和栅漏电荷密度，从而可实现更低的导通和开关损耗及更快的开关速度。Trench MOS通过采用最先进的沟槽技术和芯片布局，具有抗冲击能力强，输出效率高，成本低等特点，可应用于工作频率小于100kHz的各种应用领域。
[0003]在传统的Trench MOS工艺流程中，是将Body注入和源极离子注入及退火放在沟槽制作及Poly填充之后。由于Poly的退火温度相较于Boby注入和源极离子注入后的退火温度低，传统工艺流程中，在对Boby和源极离子注入退火时，由于Poly是裸露在环境中的，而Poly中掺杂了很重的硼或磷原子，在高温1000℃以上很容易扩散到晶圆表面并在表面堆积，甚至通过高温环境扩散到其它晶圆的表面。这些杂质的扩散和堆积会影响晶圆最终测试的电性能，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Trench MOS结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：在提供的衬底一侧形成外延层；对所述外延层进行body注入形成注入区，并进行退火处理；在所述外延层中的注入区进行源极离子注入及退火处理以形成源极；对所述外延层进行刻蚀形成沟槽，所述沟槽位于源极之间；于所述沟槽内生长形成栅氧化层，并在所述沟槽内填充多晶硅。2.根据权利要求1所述的Trench MOS结构的制作方法，其特征在于，所述在所述外延层中的注入区进行源极离子注入及退火处理以形成源极的步骤，包括：在所述外延层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行光刻，以暴露出部分外延层；基于暴露出的外延层进行源极离子注入，并采用1000℃到1200℃的温度进行退火处理以形成源极；清除残留的光刻胶层。3.根据权利要求1所述的Trench MOS结构的制作方法，其特征在于，所述对所述外延层进行刻蚀形成沟槽的步骤，包括：在所述外延层远离所述衬底的一侧形成硬掩膜层；对所述硬掩膜层进行光刻，以在所述外延层上定义出需形成沟槽的刻蚀区域；基于所述刻蚀区域对所述外延层进行刻蚀，以形成沟槽。4.根据权利要求3所述的Trench MOS结构的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述硬掩膜层和所述多晶硅的上方沉积BPSG。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：方合，徐雷军，王友伟，王维，
申请(专利权)人：捷捷微电南通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：