【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种离子注入设备与系统。
技术介绍
1、离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入机已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。
2、目前，离子注入机中灯丝套管的抑制法兰面大多安装在同一平面上，法兰面安装后距离约为1.5毫米，在使用过程中会不断积累金属物，在堆积到一定程度时，会直接接触导致短路。满负荷使用大概36小时就会短路，导致离子源失效，须停机进行更换。
3、因此，如何利用现有的灯丝套管结构进行改进，防止两个法兰接触而导致短路，增加离子源使用时间，减少改造成本，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种离子注入设备，以解决现有技术中因堆积在两个法兰表面的附作物接触而导致短路的问题。
2、本申请的另一目的在于提供一种离子注入系统，以解决现有技术中因堆积在两个法兰表面的附作物接触而导致短路的问题。
3、本申请是这样实现的：
4、一方面，本申请实施例提供了一种离子注入设备，所述离子注入设备包括壳体、灯丝、第一灯丝套管、第二灯丝套管、第一法兰和第二法兰，所述第一灯丝套管和所述第二灯丝套管均镶嵌在所述壳体的入口处，所述第一灯丝套管朝所述壳体内部的一端与所述第一法兰连接，所述第二灯丝套管朝所述壳体内部的一端与所述第二法兰连接，所述第一灯丝套管、第二灯丝套管、第一法兰和第二法兰均套设于所述灯丝外；其中，所述第一
5、进一步地，所述灯丝包括长引脚和短引脚，所述第一灯丝套管的长度大于所述第二灯丝套管的长度，所述第一灯丝套管套设于所述长引脚上，所述第二灯丝套管套设于所述短引脚上。
6、进一步地，所述第一法兰与所述第二法兰的结构与大小均相同，所述第一灯丝套管比所述第二灯丝套管长1mm。
7、进一步地，所述第一法兰与所述第二法兰相对侧的边沿之间的距离为2mm。
8、进一步地，所述第一法兰相对于所述第二法兰的一侧有缺口和/或所述第二法兰相对于所述第一法兰的一侧有缺口。
9、进一步地，所述第一法兰和所述第二法兰相对的一侧均有缺口。
10、进一步地，所述缺口的角度范围为大于0度且小于180度。
11、进一步地，所述法兰的横截面积沿着所述壳体入口到所述壳体内部的方向逐渐减小。
12、进一步地，所述法兰的形状设置成圆锥形或圆台形。
13、另一方面，本申请实施例还提供了一种离子注入系统，所述离子注入系统包括如前述实施方式任一项所述的离子注入设备。
14、相对现有技术，本申请具有以下有益效果：
15、本申请提供了一种离子注入设备与系统，该离子注入设备包括壳体、灯丝、第一灯丝套管、第二灯丝套管、第一法兰和第二法兰，所述第一灯丝套管和所述第二灯丝套管均镶嵌在所述壳体的入口处，所述第一灯丝套管朝所述壳体内部的一端与所述第一法兰连接，所述第二灯丝套管朝所述壳体内部的一端与所述第二法兰连接，所述第一灯丝套管、第二灯丝套管、第一法兰和第二法兰均套设于所述灯丝外；其中，所述第一法兰和所述第二法兰的表面不在同一平面。一方面，本申请提供的离子注入设备与系统中的两个法兰不在同一平面上，具有一定的高度差。在使用过程中，两个法兰表面附着的金属物不会直接接触，因此避免了两个法兰接触而导致短路，增加了离子源的使用时间。另一方面，由于只需将离子注入设备与系统中的两个法兰设置在不同平面，无需改变离子注入设备的主体尺寸，操作简单，因此减少了改造成本。
16、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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1.一种离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备包括壳体、灯丝、第一灯丝套管、第二灯丝套管、第一法兰和第二法兰，所述第一灯丝套管和所述第二灯丝套管均镶嵌在所述壳体的入口处，所述第一灯丝套管朝所述壳体内部的一端与所述第一法兰连接，所述第二灯丝套管朝所述壳体内部的一端与所述第二法兰连接，所述第一灯丝套管、第二灯丝套管、第一法兰和第二法兰均套设于所述灯丝外；其中，
2.如权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述灯丝包括长引脚和短引脚，所述第一灯丝套管的长度大于所述第二灯丝套管的长度，所述第一灯丝套管套设于所述长引脚上，所述第二灯丝套管套设于所述短引脚上。
3.如权利要求2所述的离子注入设备，其特征在于，所述第一法兰与所述第二法兰的结构与大小均相同，所述第一灯丝套管比所述第二灯丝套管长1mm。
4.如权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述第一法兰与所述第二法兰相对侧的边沿之间的距离为2mm。
5.如权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述第一法兰相对于所述第二法兰的一侧有缺口和/或所述第二法兰相对于所述第一法兰的一侧有
6.如权利要求5所述的离子注入设备，其特征在于，所述第一法兰和所述第二法兰相对的一侧均有缺口。
7.如权利要求6所述的离子注入设备，其特征在于，所述缺口的角度范围为大于0度且小于180度。
8.如权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述法兰的横截面积沿着所述壳体入口到所述壳体内部的方向逐渐减小。
9.如权利要求8所述的离子注入设备，其特征在于，所述法兰的形状设置成圆锥形或圆台形。
10.一种离子注入系统，其特征在于，所述离子注入系统包括如权利要求1至9任意一项所述的离子注入设备。
...【技术特征摘要】
1.一种离子注入设备，其特征在于，所述离子注入设备包括壳体、灯丝、第一灯丝套管、第二灯丝套管、第一法兰和第二法兰，所述第一灯丝套管和所述第二灯丝套管均镶嵌在所述壳体的入口处，所述第一灯丝套管朝所述壳体内部的一端与所述第一法兰连接，所述第二灯丝套管朝所述壳体内部的一端与所述第二法兰连接，所述第一灯丝套管、第二灯丝套管、第一法兰和第二法兰均套设于所述灯丝外；其中，
2.如权利要求1所述的离子注入设备，其特征在于，所述灯丝包括长引脚和短引脚，所述第一灯丝套管的长度大于所述第二灯丝套管的长度，所述第一灯丝套管套设于所述长引脚上，所述第二灯丝套管套设于所述短引脚上。
3.如权利要求2所述的离子注入设备，其特征在于，所述第一法兰与所述第二法兰的结构与大小均相同，所述第一灯丝套管比所述第二灯丝套管长1mm。
4.如权利要求1所述的离子注入设备，...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹忱根，李文斌，吴胜荣，
申请(专利权)人：捷捷微电南通科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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