北京兆易创新科技股份有限公司专利技术

北京兆易创新科技股份有限公司共有793项专利

  • 本发明提供了一种NOR flash存储器编程的方法、装置以及NOR flash存储器,所述NOR flash存储器包括:存储单元,所述方法包括:接收编程操作指令,判断待编程存储单元的阈值电压是否小于预设值,若阈值电压大于预设值,则对阈值...
  • 本发明提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器,所述NOR flash存储器包括:温度传感器、时钟频率发生器、编程操作状态机以及编程存储单元,编程操作状态机包括:计数器,所述方法包括:编程操作状态机接收...
  • 本发明提供了一种控制NOR flash存储器编程验证的方法和装置。NOR flash存储器包括:数据锁存器、地址锁存器、编程验证单元以及存储单元,所述方法包括:NOR flash存储器接收编程操作指令和待编程数据,将待编程数据输入到数据...
  • 本发明实施例提供一种电容检测单元、电荷泵电路及非易失存储器,该电容检测单元包括:待测电容、电流源提供模块、检测选择模块、控制模块,第一P型场效应管、第二P型场效应管、第一N型场效应管、第一反相器、检测电压接入端。本发明实施例可以适用于非...
  • 本发明公开了一种漏电检测电路、闪存存储器漏电检测装置和漏电检测方法,漏电检测电路包括:第一电流镜单元、第二电流镜单元、参考电流产生单元、第三电流镜单元和比较单元;第一电流镜单元的输入端作为漏电检测电路的输入端,第一电流镜单元的输出端与第...
  • 本发明提供了一种非易失性存储器及非易失性存储器的操作方法。所述非易失性存储器包括:存储单元阵列,感测电路,第一缓冲器,以及控制器。所述感测电路设置为从所述存储单元阵列中的多个存储单元中读出原始数据,并将原始数据保存在所述第一缓冲器。所述...
  • 本发明提供了一种用于部分页编程的位扫描方法,一种部分页编程方法和非易失性存储器。所述非易失性存储器包括:存储单元页,第一缓冲器,第二缓冲器,感测电路,和控制器。所述存储单元页包括n位的数据区域和纠错码区域。所述控制器设置为:将m位目标数...
  • 本发明提供了一种非易失性存储器及非易失性存储器的操作方法。所述非易失性存储器包括:存储单元阵列,寄存器,以及控制器。所述寄存器设置为保存读操作参数。所述控制器设置为:根据所述读操作参数,从所述存储单元阵列的多个存储单元读出原始数据;根据...
  • 本发明公开了一种电荷泵稳压电路。包括电荷泵单元、驱动单元、比较单元和分压单元。分压单元包括第一分压子单元和第二分压子单元,第二分压子单元分压可调。驱动单元与电荷泵单元电连接,比较单元与驱动单元电连接,电荷泵单元与第一分压子单元电连接,第...
  • 本发明实施例提供了一种eMMC的测试方法和装置,该方法包括:当所述eMMC处于测试模式时,安卓应用按照eMMC协议向所述eMMC发送带有目标标识的测试命令,以使所述eMMC根据所述目标标识,查找对应的测试数据;所述安卓应用接收所述eMM...
  • 本发明实施例提供了一种非易失存储器验证系统及方法,该系统包括:测试控制设备、至少一个测试终端,测试终端的处理器用于:通过以太网协议与测试控制设备连接;从测试控制设备下载对应于待验证非易失存储器的测试应用程序;通过测试应用程序接收验证信息...
  • 本发明实施例提供了一种非易失存储器验证系统及方法,该系统包括:处理器用于:在对待验证非易失存储器进行验证时,接收验证信息;将所述验证信息分类为验证指令和验证数据;FPGA用于:根据所述验证指令和所述验证数据,确定验证逻辑电路;通过所述验...
  • 本发明实施例提供了一种eMMC芯片测试方法与装置,该方法包括:加载U‑Boot测试程序;在所述U‑Boot测试程序对应的显示界面上接收第一测试指令;将所述第一测试指令解析成U‑Boot格式的U‑Boot测试命令;根据所述U‑Boot测试...
  • 本发明一种非易失存储器编程状态处理方法以及装置,本发明涉及非易失存储器领域,所述方法包括:接收上位机发送的状态读取指令,确定所述状态读取指令对应的目标页,根据所述目标页的NOP列中的编程次数,确定所述目标页的编程状态,将所述编程状态返回...
  • 本发明一种控制漏端电压的电路,本发明涉及非易失存储器领域,所述电路包括:漏端电荷泵模块、比较电压模块、滤波调节模块以及调制电压模块,所述漏端电荷泵模块分别与所述比较电压模块、所述滤波调节模块以及所述调制电压模块连接,所述比较电压模块分别...
  • 本发明实施例提供了一种电荷泵电路及非易失存储器,该电荷泵电路包括:待机开关单元、电容采样单元、电阻采样单元、比较器单元、电荷泵单元。本发明实施例当选择电荷泵电路处于电容采样状态时,通过电容采样单元对电荷泵单元输出端的电压进行采样,并反馈...
  • 本发明一种基于非易失存储器的卷积运算方法以及装置,本发明涉及图像识别领域,所述方法包括:对所述多个存储单元中每一个存储单元设定跨导,设定的跨导数值为进行卷积运算所需卷积核的值,对所述多个存储单元进行分组,将预设图像矩阵中元素的值,输入到...
  • 本发明实施例提供了一种线性地址获取方法及装置,该方法包括:接收寻址指令,其中所述寻址指令包括地址标识;根据所述地址标识,计算所述寻址指令对应的晶片Die地址;根据所述地址标识,计算所述寻址指令对应的闪存片Plane地址;根据所述地址标识...
  • 本发明一种控制映射表的方法以及装置,本发明涉及非易失存储器领域,所述方法包括:接收上位机发送的写入指令,将数据写入所述SLC Block,并在所述活动映射表中,增加数据的逻辑地址与SLC Block中存储目标数据的物理地址之间的映射关系...
  • 本发明一种写入有效数据的方法以及装置,所述方法包括:接收上位机发送的数据写入指令,根据所述数据写入指令,写入数据,并在所述映射表中,增加数据的逻辑地址与SLC Block中存储数据的物理地址之间的映射关系,检测所述映射表中映射关系的个数...