一种控制编程性能的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种控制编程性能的方法和装置。所述方法应用于NOR flash存储器，所述NOR flash存储器包括：温度传感器、时钟频率发生器、编程操作状态机以及编程存储单元，编程操作状态机包括：计数器，所述方法包括：编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，根据编程操作指令和待编程数据执行编程验证和编程加压操作，编程加压操作包括：接收温度传感器发送的NOR flash存储器的工作温度，根据工作温度调整所述时间，根据调整后的时间完成编程加压操作。本发明专利技术在执行编程加压操作时，编程操作状态机根据NOR flash存储器的工作温度，调整单次编程加压操作的时间，完成编程加压操作，控制编程验证操作和编程加压操作的循环周期，提高NOR flash存储器的编程性能。

【技术实现步骤摘要】
一种控制编程性能的方法和装置
本专利技术涉及存储领域，尤其涉及一种控制编程性能的方法和装置。
技术介绍
目前NORflash存储器采用沟道载流子热电子注入的方式实现编程操作，研究结果表明温度升高时，热电子活跃度升高，产生的编程的有效电流将会减小，完成编程所需要的时间就会越长。参照图1，示出了现有NORflash存储器编程原理示意图，编程操作是通过热电子注入方式利用高电场加速得到的热电子注入浮栅层，从而改变浮栅层的阈值达到编程的效应，为了形成导电沟道，需要给漏端(D)加一个正压，为了使电子到达浮栅层，需要给栅端(G)加一个正压，源端(S)和衬底接地，研究表明，编程加压的时间增加，电子达到浮栅的数量越理想，编程的成功率越大。目前编程操作过程中，时钟频率发生器(CLK发生器)的频率和编程操作状态机中控制编程加压时间的计数器的最大值，在出厂时是确定好的，然而，随着温度升高，热电子活跃度增高，编程有效电流减小，单次编程加压操作的时间固定，则完成编程操作所执行的编程验证操作和编程加压操作的循环周期也会增大，完成整个编程所需要的时间就会越长，甚至最终无法完成编程任务。
技术实现思路
本专利技术提供的一种控制编程性能的方法以及装置，解决了温度升高，编程有效电流减小，单次编程加压操作的时间固定，完成整个编程操作所需要编程加压时间就会越长，甚至最终无法完成编程任务的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种控制编程性能的方法，所述方法应用于NORflash存储器，所述NORflash存储器包括：温度传感器、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，所述编程操作状态机包括：计数器，所述温度传感器与所述时钟频率发生器连接，所述编程操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述编程存储单元连接，所述方法包括：通过所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，所述待编程数据为所需写入所述编程存储单元的数据；根据所述编程操作指令和待编程数据，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，所述编程加压操作为对所述编程存储单元持续施加预设电压值的操作，所述持续施加预设电压值的时间为所述计数器的最大值与所述时钟频率发生器的周期的乘积；其中，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，包括：所述NORflash存储器接收所述温度传感器发送的所述NORflash存储器的工作温度；所述NORflash存储器调用所述NORflash存储器的工作温度区间与所述时钟频率发生器的产生频率关系表，其中，工作温度越高的工作温度区间对应的时钟频率发生器的产生频率越慢；所述NORflash存储器根据所述工作温度与所述关系表，调整所述时钟频率发生器的产生频率；根据所述调整后的时钟频率发生器的产生频率，通过所述编程操作状态机调整所述时间；根据调整后的时间，通过所述编程操作状态机完成所述编程加压操作。可选地，所述NORflash存储器根据所述工作温度与所述关系表，调整所述时钟频率发生器的产生频率，包括：所述NORflash存储器根据所述工作温度，从所述NORflash存储器的工作温度区间中确定所述工作温度所属的目标工作温度区间；所述NORflash存储器从所述关系表中查找对应于所述目标工作温度区间的目标频率值；所述NORflash存储器将所述时钟频率发生器的产生频率调整为所述目标频率值。可选地，根据调整后的时间，通过所述编程操作状态机完成所述编程加压操作，包括：通过所述编程操作状态机判断所述计数器的计数值是否达到其最大值；若所述计数器未达到其最大值，通过所述编程操作状态机在调整后的时间内持续执行本次所述编程加压操作；若所述计数器达到其最大值，通过所述编程操作状态机结束本次所述编程加压操作。可选地，若所述计数器达到其最大值，通过所述编程操作状态机结束本次所述编程加压操作之后，所述方法还包括：通过所述编程操作状态机判断所述编程加压操作的循环次数是否达到第一预设值；若循环次数达到所述第一预设值，通过所述编程操作状态机结束所述编程操作指令对应的编程操作；若循环次数未达到所述第一预设值，通过所述编程操作状态机执行下一次编程验证操作，所述编程验证操作为验证所述待编程数据是否与所述编程存储单元中已存储数据一致的操作，若一致则验证通过，若不一致则验证不通过；若所述验证通过，通过所述编程操作状态机结束所述编程操作指令对应的编程操作；若所述验证未通过，通过所述编程操作状态机执行下一次所述编程加压操作。可选地，在根据所述编程操作指令和待编程数据，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作之前，所述方法还包括：通过所述编程操作状态机验证所述待编程数据是否与所述编程存储单元中已存储的数据一致，若一致则所述编程操作状态机结束所述编程操作指令对应的编程操作；根据所述编程操作指令和待编程数据，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，包括：若不一致，根据所述编程操作指令和待编程数据，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作。本专利技术实施例还提供了一种控制编程性能的装置，所述装置应用于NORflash存储器，所述NORflash存储器包括：温度传感器、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，所述编程操作状态机包括：计数器，所述温度传感器与所述时钟频率发生器连接，所述编程操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述编程存储单元连接，所述装置包括：第一接收模块，用于通过所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，所述待编程数据为所需写入所述编程存储单元的数据；执行模块，用于根据所述编程操作指令和待编程数据，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，所述编程加压操作为对所述编程存储单元持续施加预设电压值的操作，所述持续施加预设电压值的时间为所述计数器的最大值与所述时钟频率发生器的周期的乘积；其中，所述执行模块包括：第二接收模块，用于所述NORflash存储器接收所述温度传感器发送的所述NORflash存储器的工作温度；调用关系表模块，用于所述NORflash存储器调用所述NORflash存储器的工作温度区间与所述时钟频率发生器的产生频率关系表，其中，工作温度越高的工作温度区间对应的时钟频率发生器的产生频率越慢；调整频率模块，用于所述NORflash存储器根据所述工作温度与所述关系表，调整所述时钟频率发生器的产生频率；调整时间模块，用于根据所述调整后的时钟频率发生器的产生频率，通过所述编程操作状态机调整所述时间；完成模块，用于根据调整后的时间，通过所述编程操作状态机完成所述编程加压操作。可选地，所述调整频率模块包括：确定区间子模块，用于所述NORflash存储器根据所述工作温度，从所述NORflash存储器的工作温度区间中确定所述工作温度所属的目标工作温度区间；查找目标子模块，用于所述NORflash存储器从所述关系表中查本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制编程性能的方法，其特征在于，所述方法应用于NOR flash存储器，所述NORflash存储器包括：温度传感器、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，所述编程操作状态机包括：计数器，所述温度传感器与所述时钟频率发生器连接，所述编程操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述编程存储单元连接，所述方法包括：/n通过所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，所述待编程数据为所需写入所述编程存储单元的数据；/n根据所述编程操作指令和待编程数据，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，所述编程加压操作为对所述编程存储单元持续施加预设电压值的操作，所述持续施加预设电压值的时间为所述计数器的最大值与所述时钟频率发生器的周期的乘积；/n其中，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，包括：/n所述NOR flash存储器接收所述温度传感器发送的所述NOR flash存储器的工作温度；/n所述NOR flash存储器调用所述NOR flash存储器的工作温度区间与所述时钟频率发生器的产生频率关系表，其中，工作温度越高的工作温度区间对应的时钟频率发生器的产生频率越慢；/n所述NOR flash存储器根据所述工作温度与所述关系表，调整所述时钟频率发生器的产生频率；/n根据所述调整后的时钟频率发生器的产生频率，通过所述编程操作状态机调整所述时间；/n根据调整后的时间，通过所述编程操作状态机完成所述编程加压操作。/n...

【技术特征摘要】
1.一种控制编程性能的方法，其特征在于，所述方法应用于NORflash存储器，所述NORflash存储器包括：温度传感器、编程操作状态机、时钟频率发生器以及编程存储单元，所述编程操作状态机包括：计数器，所述温度传感器与所述时钟频率发生器连接，所述编程操作状态机分别与所述时钟频率发生器和所述编程存储单元连接，所述方法包括：
通过所述编程操作状态机接收编程操作指令和待编程数据，所述待编程数据为所需写入所述编程存储单元的数据；
根据所述编程操作指令和待编程数据，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，所述编程加压操作为对所述编程存储单元持续施加预设电压值的操作，所述持续施加预设电压值的时间为所述计数器的最大值与所述时钟频率发生器的周期的乘积；
其中，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，包括：
所述NORflash存储器接收所述温度传感器发送的所述NORflash存储器的工作温度；
所述NORflash存储器调用所述NORflash存储器的工作温度区间与所述时钟频率发生器的产生频率关系表，其中，工作温度越高的工作温度区间对应的时钟频率发生器的产生频率越慢；
所述NORflash存储器根据所述工作温度与所述关系表，调整所述时钟频率发生器的产生频率；
根据所述调整后的时钟频率发生器的产生频率，通过所述编程操作状态机调整所述时间；
根据调整后的时间，通过所述编程操作状态机完成所述编程加压操作。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NORflash存储器根据所述工作温度与所述关系表，调整所述时钟频率发生器的产生频率，包括：
所述NORflash存储器根据所述工作温度，从所述NORflash存储器的工作温度区间中确定所述工作温度所属的目标工作温度区间；
所述NORflash存储器从所述关系表中查找对应于所述目标工作温度区间的目标频率值；
所述NORflash存储器将所述时钟频率发生器的产生频率调整为所述目标频率值。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据调整后的时间，通过所述编程操作状态机完成所述编程加压操作，包括：
通过所述编程操作状态机判断所述计数器的计数值是否达到其最大值；
若所述计数器未达到其最大值，通过所述编程操作状态机在调整后的时间内持续执行本次所述编程加压操作；
若所述计数器达到其最大值，通过所述编程操作状态机结束本次所述编程加压操作。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，若所述计数器达到其最大值，通过所述编程操作状态机结束本次所述编程加压操作之后，所述方法还包括：
通过所述编程操作状态机判断所述编程加压操作的循环次数是否达到第一预设值；
若循环次数达到所述第一预设值，通过所述编程操作状态机结束所述编程操作指令对应的编程操作；
若循环次数未达到所述第一预设值，通过所述编程操作状态机执行下一次编程验证操作，所述编程验证操作为验证所述待编程数据是否与所述编程存储单元中已存储数据一致的操作，若一致则验证通过，若不一致则验证不通过；
若所述验证通过，通过所述编程操作状态机结束所述编程操作指令对应的编程操作；
若所述验证未通过，通过所述编程操作状态机执行下一次所述编程加压操作。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在根据所述编程操作指令和待编程数据，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作之前，所述方法还包括：
通过所述编程操作状态机验证所述待编程数据是否与所述编程存储单元中已存储的数据一致，若一致则所述编程操作状态机结束所述编程操作指令对应的编程操作；
根据所述编程操作指令和待编程数据，通过所述编程操作状态机执行编程加压操作，包括：
若不一致，根...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘言言，许梦，付永庆，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11