【技术实现步骤摘要】
一种NORflash存储器编程的方法、装置以及NORflash存储器
本专利技术涉及存储领域，尤其涉及一种NORflash存储器编程的方法、装置以及NORflash存储器。
技术介绍
目前NORflash存储器在执行编程操作时，对需要编程的不同存储单元，统一施加相同的编程电压执行编程操作，对于原先阈值电压在擦除阈值范围中相对较高的存储单元就很容易被编程到一个很高的阈值电压，可能会造成阈值电压分布交叠，从而导致编程数据出错，并且这部分被编程的存储单元在执行擦除操作时就会擦除的比较慢。参照图1，示出了现有NORflash存储器的4位(bit)存储单元执行编程时的阈值电压分布原理示意图，其中Vread1、Vread2、Vread3是不同状态时读操作电压，执行编程操作时，假如需要存储单元从“00”状态编程到“01”，因编程电压相同，那么处在“00”阈值电压分布右端的存储单元1，在执行编程操作后，就有可能把处于“00”右端的存储单元1编程到“01”与“10”交接处，甚至直接编程成“10”的存储单元，由此造成“01”与“...
【技术保护点】
1.一种NOR flash存储器编程的方法，其特征在于，所述NOR flash存储器包括：存储单元，所述方法包括：/n接收编程操作指令；/n判断待编程存储单元的阈值电压是否小于预设值；/n若所述阈值电压大于所述预设值，则对所述阈值电压大于所述预设值的待编程存储单元执行低压编程操作，所述低压编程操作的电压小于正常编程操作的电压。/n
【技术特征摘要】
1.一种NORflash存储器编程的方法，其特征在于，所述NORflash存储器包括：存储单元，所述方法包括：
接收编程操作指令；
判断待编程存储单元的阈值电压是否小于预设值；
若所述阈值电压大于所述预设值，则对所述阈值电压大于所述预设值的待编程存储单元执行低压编程操作，所述低压编程操作的电压小于正常编程操作的电压。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低压编程操作的电压的取值为：
所述正常编程操作的电压值减去目标电压值，所述目标电压值是以避免所述阈值电压大于所述预设值的待编程存储单元执行所述正常编程操作后阈值电压过高而确定的。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在判断待编程存储单元的阈值电压是否小于预设值之后，所述方法还包括：
若所述阈值电压小于所述预设值，则对所述阈值电压小于所述预设值的待编程存储单元执行所述正常编程操作。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
接收擦除操作指令；
对执行过所述低压编程操作的存储单元执行第一擦除操作，所述第一擦除操作所需时间为第一时间；
对没有执行过所述低压编程操作的存储单元执行第二擦除操作，所述第二擦除操作所需时间为第二时间，所述第一时间小于所述第二时间。
5.一种NORflash存储器编程的装置，其特征在于，所述NO...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘言言，许梦，付永庆，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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