【技术实现步骤摘要】
一种线性地址获取方法及装置
本专利技术涉及存储器处理
，特别是涉及一种线性地址获取方法及装置。
技术介绍
随着各种电子装置及嵌入式系统等的发展，非易失性存储器件被广泛应用于电子产品中。以非易失性存储器NAND闪存(NANDFlashMemory)为例一个Nand闪存为一个设备(device)，一个设备可以有2个晶片(Die)，一个晶片可以分成两个闪存片(Plane)，一个闪存片可以分成2048个块(Block)，一个块可以被分成很256个页(Page)，一个块也可以对应有256个WL(WordLine，字线)。现有技术中，非易失存储器的地址通常是以Page为单位，因此，对非易失存储器进行寻址时，通常也是以Page为计数单位。然而，专利技术人在研究上述技术方案的过程中发现，上述技术方案存在如下缺陷：NandFlash中还分为MLCNandFlash(MultiLevelCell，多层单元闪存)、TLCNandFlash(TripleLevelCell，三层单元闪存)等；对于MLCNandFlash...
【技术保护点】
1.一种线性地址获取方法，其特征在于，应用于非易失存储器，所述方法包括：/n接收寻址指令，其中所述寻址指令包括地址标识；/n根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的晶片Die地址；/n根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的闪存片Plane地址；/n根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的块Block地址；/n根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的字线WL地址；/n根据所述Die地址、所述Plane地址、所述Block地址和所述WL地址，得到目标地址。/n
【技术特征摘要】
1.一种线性地址获取方法，其特征在于，应用于非易失存储器，所述方法包括：
接收寻址指令，其中所述寻址指令包括地址标识；
根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的晶片Die地址；
根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的闪存片Plane地址；
根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的块Block地址；
根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的字线WL地址；
根据所述Die地址、所述Plane地址、所述Block地址和所述WL地址，得到目标地址。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的Die地址，包括：
将所述地址标识右移PlaneBit后，与Die地址掩码进行与计算；其中，所述PlaneBit根据所述非易失存储其中所包括的Plane的个数确定，所述Die地址掩码由所述非易失存储器中所包括的Die所占的位数确定。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的闪存片Plane地址，包括：
将所述地址标识与Plane地址掩码进行与计算；其中，所述Plane地址掩码由所述非易失存储器中所包括的Plane所占的位数确定。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的块Block地址，包括：
将所述地址标识右移第一位数后，与Block地址掩码进行与计算；其中，所述第一位数为：所述PlaneBit、DieBit与WLBit的和，所述DieBit根据所述非易失存储其中所包括的Die的个数确定，所述WLBit根据所述非易失存储其中所包括的WL的个数确定，所述Block地址掩码由所述非易失存储器中所包括的Block所占的位数确定。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述地址标识，计算所述寻址指令对应的字线WL地址，包括：
将所述地址标识右移第二位数后，与WL地址掩码进行与计算；其中，所述第二位数为：所述PlaneBit与所述DieBit的和，所述WL地址掩码由所述非易失存储器中所包括的WL所占的位数确定。
6.一种线性地址获取装置，其特征在于，应用...
【专利技术属性】
技术研发人员：庄开锋，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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