数据读写方法及装置、动态随机存储器制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种数据读写方法、读写装置和动态随机存储器，根据模式选择命令进入页读写模式，所述页读写模式命令通过所述动态随机存储器的模式寄存器来配置；接收页读写命令，包括页读写使能命令和交叉读取命令，所述页读写使能命令通过所述动态随机存储器的读写命令的第一保留位来配置，所述交叉读取命令通过所述动态随机存储器的读写命令的第二保留位来配置，所述交叉读取命令用于用于控制在多个存储块群组中交叉读写数据；根据所述页读写命令，执行交叉页读写操作。

Data reading and writing method and device, dynamic random access memory

【技术实现步骤摘要】
数据读写方法及装置、动态随机存储器
本专利技术涉及存储器
，具体而言，涉及一种数据读写方法、读写装置和动态随机存储器。
技术介绍
随着存储器的飞速发展，人们期待存储器能够提供越来越快的读写速率以及越来越低的功耗。通常访问存储器的命令要求的数据往往较大，而目前存储器支持的读写长度较小，因此处理一笔访问数据需要发送多笔读写指令才能完成，读写速率受限。另外，发送每笔读写命令时，存储器内部各种处理电路都在发生翻转动作，消耗功率较高，造成整个存储器功耗较大。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分专利技术的信息仅用于加强对本专利技术的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种数据读写方法、读写装置和动态随机存储器，解决相关技术中存储器读写长度较小，读写速率受限的问题。根据本公开的第一方面，提供一种数据读写方法，应用于动态随机存储器，包括：根据页读写模式命令进入页读写模式，所述页读写模式通过所述动态随机存储器的模式寄存器来配置；接收页读写命令，包括页读写使能命令和交叉读取命令，所述页读写使能命令通过所述动态随机存储器的读写命令的第一保留位来配置，所述交叉读取命令通过所述动态随机存储器的读写命令的第二保留位来配置，所述交叉读取命令用于用于控制在多个存储块群组中交叉读写数据；根据所述页读写命令，执行交叉页读写操作。根据本公开的一实施方式，所述页读写命令还包括页读写长度命令，用于指示每一次所述页读写操作的读写长度，所述页读写长度命令通过所述动态随机存储器读写命令中的突发长度位来配置。根据本公开的一实施方式，所述页读写命令还包括页读写长度命令，用于指示每一次页读写操作的读写长度，所述页读写长度命令配置于所述动态随机存储器读写命令中的突发长度位和若干列地址位。根据本公开的一实施方式，所述若干列地址位包括一个地址位或两个地址位。根据本公开的一实施方式，所述动态随机存储器为第五代双倍速率同步动态随机存储器，其中，所述突发长度位为CA5管脚对应的命令位；所述读写命令的第一保留位为CA9管脚对应的命令保留位，所述读写命令的第二保留位为CA12管脚对应的命令保留位。根据本公开的一实施方式，所述动态随机存储器为第五代低功耗双倍速率同步动态随机存储器，其中，所述若干列地址位为CA0管脚对应的列地址位，或，CA0管脚和CA1管脚对应的列地址位。根据本公开的一实施方式，所述页读写操作为每笔读写命令读写N/16页的数据，其中，1≤N≤16，N为自然数。根据本公开的一实施方式，所述N＝1、N＝2、N＝4或N＝8。根据本公开的一实施方式，所述页读写操作的读写顺序为线性读写顺序。根据本公开的一实施方式，所述页读写操作可以跨页或者不跨页读写。根据本公开的第二方面，提供一种数据读写装置，包括：模式寄存器，用于根据页读写模式命令控制动态随机存储器进入页读写模式；命令接收模块，连接所述寄存器，用于接收页读写命令，并将所述收页读写命令传输至模式寄存器，所述页读写命令通过动态随机存储器的读写命令的保留位来配置；寻址模块，连接所述命令接收模块和所述模式寄存器，用于根据所述页读写命令交叉选择多个存储块中的存储地址。根据本公开的一实施方式，所述数据读写装置还包括：选择模块，和所述寻址模块连接，用于根据交叉读取命令交叉输出多个存储块群组中的读写地址。根据本公开的第三方面，提供一种动态随机存储器上述的数据读写装置。本公开以动态随机存储器模式寄存器中作为页读写模式的开关，以读写命令的第一保留位作为页读写操作的使能命令，以读写命令的第二保留位作为交叉读取命令，提高每笔读写命令读写的数据量，并实现在多个存储块群组中交叉读写数据。一方面降低了数据读写时间，提高了读写速率。同时由于发送读写命令的次数变少，相关电路触发次数减少，存储器整体功耗大大降低，并且通过交叉读写多个存储块群组中的数据，解决了数据读写速度和传输带宽不匹配的问题，提高了传输带宽利用率。另一方面，充分发挥了存储器保留位的功能，而无需设计制造新的存储器，节约了成本。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本专利技术。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为数据访问架构图；图2为现有数据读写模式示意图；图3为现有数据读写传输示意图；图4为本专利技术数据读写方法流程图；图5为本专利技术数据读写模式图；图6为存储器控制器和存储器读写原理图；图7为DDR5读写命令真值表；图8为数据读写装置的示意图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。如图1所示，目前系统级芯片中大多使用AXI接口作为直接内存存取(DMA，DirectMemoryAccess)访问动态随机存储器(DRAM，DynamicRandomAccessMemory)的接口，例如GPU/VEDIE/DISPLAY通过AXI接口访问DRAM，对应的AXI的命令中数据的位宽(axi_size)通常为256bit，数据的长度通常为8或16，即每笔访问的命令要求的数据包含8个或16个位宽为256bit的数据。以第五代双倍速率同步动态随机存储器(以下简称DDR5)为例，目前DDR5支持的突发长度为32或16(即BL32或BL16)，DDR5的DQ的位宽为16bit，所以每一笔读写命令可以读写32×16bit数据或者16×16bit数据。以BL16为例，每笔DDR5读写命令可读写16×16bit数据，那么处理一笔AXI访问命令为16×256bit数据需要发送16笔读写命令，如图2所示。同理，突发长度为32时，则需要发送8笔读写命令。每次读写命令时，DRAM的输入/输出、系统级芯片的输入/输出、系统级芯片的命令处理电路都会发生翻转，会消耗一定的功率。且DDR5在速度高时会开启终结电阻器，此时的命令会消耗更多的功率。因此，目前的存储器在读写数据时消耗的功率较高，造成整个存储器功耗较大。并且由于数据在传输时data线带宽的传输速度大于数据读写速度，会导致浪费带宽。比如，读取数据时，一次读取16bit的数据，此时数据传输过程如图3所示，在读取间隔部分(图中z区域)数据线的带宽空置，浪费带宽。本专利技术实施方式中提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种数据读写方法，应用于动态随机存储器，其特征在于，包括：/n根据页读写模式命令进入页读写模式，所述页读写模式命令通过所述动态随机存储器的模式寄存器来配置；/n接收页读写命令，包括页读写使能命令和交叉读取命令，所述页读写使能命令通过所述动态随机存储器的读写命令的第一保留位来配置，所述交叉读取命令通过所述动态随机存储器的读写命令的第二保留位来配置，所述交叉读取命令用于控制在多个存储块群组中交叉读写数据；/n根据所述页读写命令，执行交叉页读写操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种数据读写方法，应用于动态随机存储器，其特征在于，包括：
根据页读写模式命令进入页读写模式，所述页读写模式命令通过所述动态随机存储器的模式寄存器来配置；
接收页读写命令，包括页读写使能命令和交叉读取命令，所述页读写使能命令通过所述动态随机存储器的读写命令的第一保留位来配置，所述交叉读取命令通过所述动态随机存储器的读写命令的第二保留位来配置，所述交叉读取命令用于控制在多个存储块群组中交叉读写数据；
根据所述页读写命令，执行交叉页读写操作。


2.根据权利要求1所述的数据读写方法，其特征在于，所述页读写命令还包括页读写长度命令，用于指示每一次所述页读写操作的读写长度，所述页读写长度命令通过所述动态随机存储器读写命令中的突发长度位来配置。


3.根据权利要求1所述的数据读写方法，其特征在于，所述页读写命令还包括页读写长度命令，用于指示每一次页读写操作的读写长度，所述页读写长度命令配置于所述动态随机存储器读写命令中的突发长度位和若干列地址位。


4.根据权利要求3所述的数据读写方法，其特征在于，所述若干列地址位包括一个地址位或两个地址位。


5.根据权利要求4所述的数据读写方法，其特征在于，所述动态随机存储器为第五代双倍速率同步动态随机存储器，其中，
所述突发长度位为CA5管脚对应的命令位；
所述读写命令的第一保留位为CA9管脚对应的命令保留位，所述读写命令的第二保留位为CA12管脚对应的命令保留位。

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【专利技术属性】
技术研发人员：邓升成，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34