非易失性存储器及其操作方法技术

本发明专利技术提供了一种非易失性存储器及非易失性存储器的操作方法。所述非易失性存储器包括：存储单元阵列，感测电路，第一缓冲器，以及控制器。所述感测电路设置为从所述存储单元阵列中的多个存储单元中读出原始数据，并将原始数据保存在所述第一缓冲器。所述控制器设置为从所述多个存储单元中确定出发生数据丢失错误的存储单元，以及对发生数据丢失错误的存储单元进行编程操作。在进行读操作后，对发生数据丢失错误的存储单元进行编程，减少发生错误的存储单元数量，提高了数据的完整性。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器及其操作方法
本专利技术涉及半导体存储器
，尤其涉及一种非易失性存储器及一种非易失性存储器的操作方法。
技术介绍
非易失性存储器(Nonvolatilememory)已经广泛应用于各种数据存储应用。在现代电子系统中，例如个人计算机，移动电话，数码相机，汽车系统，MP3播放器等，非易失性存储器已经成为必不可少的部件。存储在非易失性存储器中的数据在断电后不会丢失。闪存(Flashmemory)是一种代表性的非易失性存储器件。根据存储单元的组织方式，闪存可被分为NOR闪存和NAND闪存。在NAND闪存中，存储单元串联连接，一个存储单元串和位线仅需要一个接触孔。因此NAND闪存具有优异的集成特性，常用于高密度存储，例如MP3播放器和固态硬盘(SolidStateDisk)。在NOR闪存中，每个存储单元独立地连接到位线和字线，因此NOR闪存具有优异的随机存取特性，常用于嵌入式系统。数据通过编程操作写入到闪存中的多个存储单元，但是编程操作并不能使每个存储单元都能存储正确的信息。纠错码(ErrorCorrectionCod本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器的操作方法，其特征在于，包括：/n从非易失性存储器的多个存储单元中读出原始数据；/n从所述多个存储单元中确定出发生数据丢失错误的存储单元；以及/n对发生数据丢失错误的存储单元进行编程操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的操作方法，其特征在于，包括：
从非易失性存储器的多个存储单元中读出原始数据；
从所述多个存储单元中确定出发生数据丢失错误的存储单元；以及
对发生数据丢失错误的存储单元进行编程操作。


2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，从所述多个存储单元中确定出发生数据丢失错误的存储单元包括：
使用纠错码数据纠正原始数据得到修正数据；以及
通过比较修正数据和原始数据确定确定出发生数据丢失错误的存储单元，其中，发生数据丢失错误的存储单元在原始数据中的对应位的值是1，在修正数据中的对应位的值是0。


3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，在对发生数据丢失错误的存储单元进行编程操作时使用的编程电压小于将原始数据存储到所述多个存储单元中的编程操作所使用的编程电压。


4.根据权利要求1所述的操作方法，其中，对发生数据丢失错误的存储单元进行编程操作包括：在所述多个存储单元连接的字线施加编程电压，向与发生数据丢失错误的存储单元连接的位线施加编程促进电压，向所述多个存储单元中没有发生数据丢失错误的存储单元连接的位线施加编程抑制电压。


5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述对发生数据丢失错误的存储单元进行编程操作包括：向发生数据丢失错误的存储单元的控制栅施加一个电压脉冲。


6.根据权利要求1至5任一项所述的操作方法，还包括：进行验证操作以确定发生数据丢失错误的存储单元是否被校正。


7.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：存储单元阵列，感测电路，第一缓冲器，以及控制器，
所述感测电路设置为从所述存储单元阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏怡，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11