本发明实施例提供了一种eMMC问题还原方法和装置，所述eMMC包括第一块区和第二块区；所述第一块区存储有运行固件；所述第二块区存储有系统数据；所述方法包括：擦除所述第一块区的所述运行固件，并在所述第一块区中烧录测试固件；接收操作指令，并...

本发明实施例提供了一种错误处理方法及装置，该方法包括接收垃圾回收指令；响应于所述垃圾回收指令，进行数据搬移操作；其中，所述数据搬移操作为：将所述非易失存储器的块Block中分散的有效数据搬移到预设Block中；若在所述数据搬移操作时发生...

本发明实施例提供了一种eMMC，该eMMC包括：存储器和内存；所述存储器中存储有固件；所述内存用于运行所述固件；所述存储器包括：第一块和第二块；所述固件包括：原有固件和第一升级固件；所述第一块存储有原有固件；所述第二块存储有第一升级固件...

本发明实施例提供了一种eMMC固件升级方法与装置，该方法包括：加载U‑Boot升级程序；基于所述U‑Boot升级程序，接收针对所述eMMC固件的升级指令；根据所述升级指令，向所述eMMC发送固件升级命令，以使所述eMMC根据所述固件升级...

本发明实施例提供了一种eMMC在线升级方法与装置，该方法包括：载U‑Boot升级程序；所述U‑Boot升级程序获取升级数据；所述U‑Boot升级程序向所述eMMC发送所述升级数据，以将所述升级数据写入所述eMMC中；所述U‑Boot升级...

本发明实施例提供了一种存储空间管理方法及装置，该方法包括：接收数据存储指令；在空间占用信息小于或等于预设空间阈值的情况下，将待存储数据存储在第一管理链表对应的第一Page中，并通过第一管理链表中的第一节点记录待存储数据的逻辑Page地址...

本发明实施例提供了一种存储空间管理方法及装置，该方法包括接收数据存储指令；在空间占用信息小于第一预设空间阈值的情况下，将待存储数据存储在第一管理链表对应的第一Block中；在第一Block中所存储数据的空间占用达到第一空间阈值的情况下，...

本发明实施例提供了一种数据处理方法及装置，该方法应用于非易失存储器，所述非易失存储器中设置有存储链表，所述存储链表包括至少一个链表节点，所述链表节点用于记录从预设逻辑块地址开始的N个块数据以及对应的时间戳。本发明实施例中，在非易失存储器...

本发明实施例提供了一种存储空间管理方法及装置，该方法包括接收地址使用指令；其中，所述地址使用指令包括待使用逻辑地址信息；根据所述待使用逻辑地址信息，确定对应的管理者信息；在所述多个节点中确定其中一个空闲的节点，得到待使用节点；在所述管理...

本发明一种系统数据处理的方法以及装置，所述方法应用于非易失存储器，所述非易失存储器中存储系统数据的存储块包括：SLC Block以及TLC Block，所述方法包括：接收上位机发送的系统数据写入指令，根据所述系统数据写入指令，将所述系统...

本发明公开了一种低压差线性稳压电路。该低压差线性稳压电路，包括输出电压调整单元和反馈单元，还包括差动放大单元；差动放大单元包括至少两个恒流源；至少两个恒流源并联在差动放大单元的输入对管的公共端和地端之间；至少两个恒流源为差动放大单元提供...

本发明公开了一种参考电压产生电路和NAND芯片。该参考电压产生电路包括：分压支路和电压维持支路，分压支路的第一控制端与第一控制信号线电连接，第二控制端与第二控制信号线电连接，第一电压端与第一电源电压线电连接，第二电压端与第二电源电压线电...

本发明公开了一种低压差线性稳压电路。包括输出电压单元、放大单元、补偿单元和反馈单元，还包括预充电单元和放电单元。预充电单元的第一端与低压差线性稳压电路的第一电源输入端电连接，预充电单元的第二端与补偿单元电连接，放电单元的第一端与补偿单元...

本发明公开了一种降低晶体管的阈值电压的电路、放大器和NAND闪存。该电路包括：反馈电路，反馈电路包括电压反馈输入端、第一衬底电压调整端和电压反馈输出端，电压反馈输入端与晶体管的第一端电连接，第一衬底电压调整端与晶体管的衬底端电连接；衬底...

本发明公开了一种漏电检测电路、闪存存储器漏电检测装置和漏电检测方法，漏电检测电路包括检测输入端、检测输出端、第一电容、第二电容、第一开关单元、第二开关单元、电源输入端、分压单元和比较单元；第一电容的第一端与检测输入端电连接，第二端与比较...

本发明一种控制电压纹波的电路，所述电路包括：时钟触发电荷泵模块、第一NMOS管、第二NMOS管、比较电压模块、稳定栅压模块、控制开关信号模块以及负载模块，所述时钟触发电荷泵模块输出端分别与所述第一NMOS管栅极、所述第一NMOS管漏极、...

本发明提供了一种非易失性存储器以及一种非易失性存储器的编程方法。所述非易失性存储器包括多条字线，多条位线，存储器单元阵列，以及控制器。所述存储器单元阵列通过所述多条字线和所述多条位线寻址。所述控制器设置为：向与所述存储器单元阵列中的待编...

本发明提供了一种非易失性存储器以及一种非易失性存储器的操作方法。所述非易失性存储器包括：存储器单元阵列，温度传感器以及控制器。存储器单元阵列包括第一部分和第二部分，所述第一部分设置对预定用户可编程，可擦除，可读。所述第二部分设置为对所述...

本发明实施例公开了一种存储器，该存储器包括：存储模块，存储模块包括多个物理块；控制模块，控制模块包括数据通路层、垃圾回收层、块管理层和上电处理层，数据通路层用于执行读写擦操作，垃圾回收层用于执行数据搬移，块管理层用于管理所有的物理块，上...

本发明实施例公开了一种存储器及其控制方法和装置，存储器包括存储装置，存储装置包括多个数据块，数据块包括多个页，该控制方法包括：上电后，查找上次上电时的最后一次写命令所对应的起始逻辑地址，从预留有起始逻辑地址的所有页中查找出最后一次写命令...