非易失性存储器及其操作方法技术

本发明专利技术提供了一种非易失性存储器及非易失性存储器的操作方法。所述非易失性存储器包括：存储单元阵列，寄存器，以及控制器。所述寄存器设置为保存读操作参数。所述控制器设置为：根据所述读操作参数，从所述存储单元阵列的多个存储单元读出原始数据；根据所述原始数据判断所述多个存储单元是否包括发生存储错误的存储单元；以及在判断所述多个存储单元包括发生存储错误的存储单元时，更新所述寄存器中保存的读操作参数。通过读出数据判断执行读操作的多个存储单元是否包括发生存储错误的存储单元。在判断存在发生存储错误的存储单元的情况下，调整下次读操作的读操作参数，从而减少下次读操作读出数据的错误位的数量。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器及其操作方法
本专利技术涉及半导体存储器
，尤其涉及一种非易失性存储器及一种非易失性存储器的操作方法。
技术介绍
非易失性存储器(Nonvolatilememory)已经广泛应用于各种数据存储应用。在现代电子系统中，例如个人计算机，移动电话，数码相机，汽车系统，MP3播放器等，非易失性存储器已经成为必不可少的部件。存储在非易失性存储器中的数据在断电后不会丢失。闪存(Flashmemory)是一种代表性的非易失性存储器件。根据存储单元的组织方式，闪存可被分为NOR闪存和NAND闪存。在NAND闪存中，存储单元串联连接，一个存储单元串和位线仅需要一个接触孔。因此NAND闪存具有优异的集成特性，常用于高密度存储，例如MP3播放器和固态硬盘(SolidStateDisk)。在NOR闪存中，每个存储单元独立地连接到位线和字线，因此NOR闪存具有优异的随机存取特性，常用于存储代码。数据通过编程操作写入到非易失性存储器中，但是编程操作并不一定能使每个存储单元都能存储正确的信息。纠错码(ErrorCorrectionCode本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：/n存储单元阵列；/n寄存器，设置为保存读操作参数；以及/n控制器，/n所述控制器设置为：/n根据所述读操作参数，从所述存储单元阵列的多个存储单元读出原始数据；/n根据所述原始数据判断所述多个存储单元是否包括发生存储错误的存储单元；以及/n在判断所述多个存储单元包括发生存储错误的存储单元时，更新所述寄存器中保存的读操作参数。/n

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：
存储单元阵列；
寄存器，设置为保存读操作参数；以及
控制器，
所述控制器设置为：
根据所述读操作参数，从所述存储单元阵列的多个存储单元读出原始数据；
根据所述原始数据判断所述多个存储单元是否包括发生存储错误的存储单元；以及
在判断所述多个存储单元包括发生存储错误的存储单元时，更新所述寄存器中保存的读操作参数。


2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，还包括：纠错码电路，
所述纠错码电路设置为根据纠错码数据校正原始数据并得到修正数据，
所述控制器通过比较原始数据和修正数据判断所述多个存储单元包括是否发生存储错误的存储单元。


3.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器，其中，在判断所述多个存储单元包括发生第一存储错误的存储单元时，减小所述读操作参数中的读电压，其中，所述发生第一存储错误的存储单元的阈值电压低于其目标阈值电压。


4.根据权利要求3所述的非易失性存储器，其中，所述发生第一存储错误的存储单元在修正数据中对应的位是0，在原始数据中对应的位是1。


5.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器，其中，在判断所述多个存储单元包括发生第二存储错误的存储单元时，增大所述读操作参数中的读导通电压，其中，所述发生第二存储错误的存储单元的阈值电压大于其目标阈值电压。


6.根据权利要求5所述的非易失性存储器，其中，所述发生第二存储错误的存储单元在修正数据中对应的位是1，在原始数据中对应的位是0。


7.根据权利要求1或2所述的非易失性存储器，其中，在判断所述多个存储单元既包括发生第一存储错误的存储单元又包括发生第二存储错误的存储单元时，减小所述读操作参数中的读电压，并增大所述读操作参数中的读导通电压。


8.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述控制器设置为：在判断所述多个存储单元没有发生存储错误的存储单元时，保持所述寄存器中的读操作参数不变。


9.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中，所述寄存器中的更新后的读操作参数用于执行下一次读操作。


10.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈敏怡，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11