【技术实现步骤摘要】
存储设备和操作该存储设备的方法相关专利申请的交叉引用本申请要求于2018年11月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0137599号的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
一些专利技术构思的一些示例实施例涉及存储设备，并且包括包含非易失性存储器的存储设备，和/或操作存储设备的方法。
技术介绍
作为非易失性存储器，即使当电源关闭时，闪存也可以保留存储的数据。近来，包括诸如嵌入式多媒体卡(eMMC)、通用闪存(UFS)、固态驱动器(SSD)等闪存的存储设备已被广泛使用，并且可用于存储或移动大量数据。
技术实现思路
一些专利技术构思的一些示例实施例包括操作包括非易失性存储器的存储设备的方法，该非易失性存储器包括存储器单元阵列，并且该存储器单元阵列包括第一平面和第二平面。该方法包括接收用于包括第一平面和第二平面的数据感测的读取命令集；基于读取命令集，同时将存储在第一平面中的第一页面数据加载到第一平面的第一页面缓冲器中，并将第二平面中存储的第二页面数据加载到第二平面的第二页面缓...
【技术保护点】
1.一种操作包括非易失性存储器的存储设备的方法，所述非易失性存储器包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括第一平面和第二平面，所述方法包括：/n接收用于所述第一平面和所述第二平面的数据感测的读取命令集；/n基于所述读取命令集，同时将存储在所述第一平面中的第一页面数据加载到所述第一平面的第一页面缓冲器以及将存储在所述第二平面中的第二页面数据加载到所述第二平面的第二页面缓冲器中；/n接收包括所述第一平面的数据输出命令集；以及/n基于所述数据输出命令集连续发送第一页面数据和第二页面数据。/n
【技术特征摘要】
20181109 KR 10-2018-01375991.一种操作包括非易失性存储器的存储设备的方法，所述非易失性存储器包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括第一平面和第二平面，所述方法包括：
接收用于所述第一平面和所述第二平面的数据感测的读取命令集；
基于所述读取命令集，同时将存储在所述第一平面中的第一页面数据加载到所述第一平面的第一页面缓冲器以及将存储在所述第二平面中的第二页面数据加载到所述第二平面的第二页面缓冲器中；
接收包括所述第一平面的数据输出命令集；以及
基于所述数据输出命令集连续发送第一页面数据和第二页面数据。
2.如权利要求1所述的方法，其中，
所述连续发送包括在完成所述第一页面数据的发送之后连续发送所述第二页面数据，以及
所述连续发送包括基于所述数据输出命令集发送第二页面数据，而不是基于包括标识所述第二平面的第二页面缓冲器的列地址的另一数据输出命令集。
3.如权利要求1所述的方法，其中，
所述数据输出命令集包括标识所述第一平面的第一页面缓冲器的列地址，以及
所述连续发送包括发送存储在所述第一页面缓冲器的多列当中的、由所述列地址标识的第一列到最后一列中的数据。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述连续发送包括基于所述数据输出命令集发送所述第一页面数据的至少一部分以及所述第二页面数据的全部。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述连续发送包括基于所述数据输出命令集在完成第一页面数据的发送之后发送第二页面数据。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述连续发送包括：
基于所述数据输出命令集发送所述第一页面数据，
接收平面改变命令，以及
基于所述平面改变命令发送所述第二平面的第二页面数据。
7.如权利要求6所述的方法，其中，
接收所述数据输出命令集包括在多个写周期期间接收所述数据输出命令集，以及
接收所述平面改变命令包括在一个写周期期间接收所述平面改变命令。
8.如权利要求1所述的方法，其中，所述读取命令集包括所述第一平面的地址、所述第二平面的地址以及指示多平面读取的多平面读取命令。
9.如权利要求8所述的方法，其中，基于读取条件，所述第一平面的地址和所述第二平面的地址分别指示所感测的第一平面的第一页面和第二平面的第二页面。
10.如权利要求1所述的方法，其中，所述接收所述数据输出命令集包括：
接收所述第二平面的地址，以及
在接收到所述第二平面的地址之后接收第一平面的地址。
11.一种操作包括非易失性存储器的存储设备的方法，所述非易失性存储器包括多个平面，所述方法包括：
接收用于数据感测的读取-输出命令集；以及
基于所述读取-输出命令集，
感测对于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：安震悟，申铉旭，全镇完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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