存储装置及其操作方法制造方法及图纸

技术编号:24253165 阅读:29 留言:0更新日期:2020-05-23 00:26
本发明专利技术涉及一种存储装置。该存储装置包括:存储器装置,被配置为对多个字线之中的选择的字线执行读取操作;以及存储器控制器,被配置为控制所述存储器装置以:执行读取操作;当读取操作失败时,通过改变读取电压电平,对所选择的字线执行读取重试操作;并且当读取重试操作失败时,根据选择的字线是否是设置字线,通过改变读取电压电平和与读取操作有关的电压施加时间,对选择的字线执行附加读取重试操作。

Storage device and operation method

【技术实现步骤摘要】
存储装置及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年11月15日提交的申请号为10-2018-0141145的韩国专利申请的优先权,其通过引用整体并入本文。
本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置,更具体地,涉及一种存储装置和操作该存储装置的方法。
技术介绍
通常,存储装置在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据。存储装置可以包括:存储器装置,被配置为存储数据;以及存储器控制器,被配置为控制存储器装置。存储器装置主要分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置仅在向其供应电力时存储数据;当电源关闭时,存储在其中的数据会丢失。易失性存储器装置的示例包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。存储在非易失性存储器装置中的数据即使在电源关闭时也会被保持。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)和闪速存储器。
技术实现思路
本公开的各个实施例涉及一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储装置,包括:/n存储器装置,对多个字线之中的选择的字线执行读取操作;以及/n存储器控制器,控制所述存储器装置以:/n执行所述读取操作,/n当所述读取操作失败时,通过改变读取电压电平,对所述选择的字线执行读取重试操作,并且/n当所述读取重试操作失败时,根据所述选择的字线是否是设置字线,通过改变所述读取电压电平和与所述读取操作有关的电压施加时间,对所述选择的字线执行附加读取重试操作。/n

【技术特征摘要】
20181115 KR 10-2018-01411451.一种存储装置,包括:
存储器装置,对多个字线之中的选择的字线执行读取操作;以及
存储器控制器,控制所述存储器装置以:
执行所述读取操作,
当所述读取操作失败时,通过改变读取电压电平,对所述选择的字线执行读取重试操作,并且
当所述读取重试操作失败时,根据所述选择的字线是否是设置字线,通过改变所述读取电压电平和与所述读取操作有关的电压施加时间,对所述选择的字线执行附加读取重试操作。


2.根据权利要求1所述的存储装置,其中所述存储器装置包括:
读取操作处理器,执行所述读取重试操作和所述附加读取重试操作;以及
读取重试表,包括关于待被用于所述读取重试操作和所述附加读取重试操作的读取电压电平的信息以及关于每个电压施加时间的信息。


3.根据权利要求2所述的存储装置,其中所述存储器控制器包括:
读取重试表存储装置,存储从所述存储器装置接收的所述读取重试表;以及
读取操作控制器,使用所述读取电压电平控制所述读取操作处理器以执行所述读取重试操作,并使用所述读取电压电平和所述每个电压施加时间执行所述附加读取重试操作。


4.根据权利要求3所述的存储装置,其中所述读取操作控制器包括:
读取重试计数电路,对重新执行所述读取操作的次数进行计数以生成读取重试计数;
读取失败传感器,感测所述读取操作、所述读取重试操作和所述附加读取重试操作的处理失败,并生成与所述处理失败对应的失败信号;以及
读取重试操作控制器,根据所述失败信号和所述读取重试计数生成所述读取重试操作的第一控制命令和所述附加读取重试操作的第二控制命令,并将所生成的第一控制命令或第二控制命令提供到所述读取操作处理器。


5.根据权利要求4所述的存储装置,
其中所述读取重试表存储关于读取重试阈值计数的信息;
其中所述读取重试操作控制器根据所述读取重试计数与所述读取重试阈值计数的比较结果生成所述第一控制命令。


6.根据权利要求4所述的存储装置,
其中所述读取重试表存储关于附加读取重试阈值计数的信息,并且
其中当所述选择的字线是所述设置字线时,所述读取重试操作控制器根据所述读取重试计数与总阈值计数的比较结果生成所述第二控制命令,所述总阈值计数是所述读取重试阈值计数和所述附加读取重试阈值计数之和。


7.根据权利要求4所述的存储装置,其中当作为所述读取操作、所述读取重试操作和所述附加读取重试操作的结果的错误校正解码操作失败时,所述读取失败传感器生成所述失败信号。


8.根据权利要求7所述的存储装置,其中所述存储器控制器包括执行所述错误校正解码操作的错误校正码解码器,即ECC解码器。


9.根据权利要求4所述的存储装置,其中所述第一控制命令和所述第二控制命令中的至少一个包括设置参数命令。


10.一种操作存储装置的方法,所述存储装置包括:存储器装置,对多个字线之中的选择的字线执行读取操作;以及存储器控制器,控制所述存储器装置,所述方法包括:
当所述读取操作失败时,通过改变读取电压电平,执行读取重试操作;以及
当所述读取重试操作失败时,根据所述选择的字线是否是设置字线,通过改变所述读取电压电平和与所述读取操作有关的电压施加时间,执行附加读取重试操作。


11.根据权利要求10所述的方法,其中执行所述读取重试操作包括:基于所述读取重试计数与读取重试阈值计数的比较结果,使...

【专利技术属性】
技术研发人员:李芸相安致昱
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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