【技术实现步骤摘要】
NORFLASH芯片及在其擦除过程中消除过擦除的方法
本专利技术涉及半导体存储器
，尤其涉及一种NORFLASH芯片及在其擦除过程中消除过擦除的方法。
技术介绍
NORFLASH芯片作为一种非易失性闪存芯片，其擦除流程是先将目标擦除块内的所有位都预写为0，再对该目标擦除块进行擦除操作。待擦除完成后再进行过擦除修复、弱写入及验证和弱块修复等操作。这一系列操作形成一个完整的擦除流程，该过程如图1所示。图1为现有的擦除流程示意图。但是在实际应用过程中，很可能会在擦除的过程中遇到掉电的问题，这样就无法完成一个完整的擦除流程。倘若该掉电发生在完成对目标块的擦除后需进行过擦除修复前这一阶段，如图1所示断电处，会使NORFLASH再次上电后的读操作，因为有过擦除存储单元的存在而使BL（bitline，位线）漏电，从而发生数据读错的情况。一公开号为CN104282338A的中国专利，提出了一种非易失性存储器上电的方法及装置，旨在消除因存储器因异常掉电而产生的漏电流。但是其方案是在上电过程中进行，导致非易失性存储器的上电...
【技术保护点】
1.一种在NOR FLASH芯片擦除过程中消除过擦除的方法，其特征在于，所述在NORFLASH芯片擦除过程中消除过擦除的方法包括：/n当NOR FLASH芯片接收到擦除命令时，检测所述擦除命令是否为NOR FLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令；/n若所述擦除命令为NOR FLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令，则从NOR FLASH芯片中的第一个存储块开始依次对每个存储块进行过擦除修复以及弱写入及验证操作，直至完成对NOR FLASH芯片中的最后一个存储块的过擦除修复以及弱写入及验证操作；/n在完成对NOR FLASH芯片中所有存储块的过擦除修复以及弱写入及验证操作后...
【技术特征摘要】
1.一种在NORFLASH芯片擦除过程中消除过擦除的方法，其特征在于，所述在NORFLASH芯片擦除过程中消除过擦除的方法包括：
当NORFLASH芯片接收到擦除命令时，检测所述擦除命令是否为NORFLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令；
若所述擦除命令为NORFLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令，则从NORFLASH芯片中的第一个存储块开始依次对每个存储块进行过擦除修复以及弱写入及验证操作，直至完成对NORFLASH芯片中的最后一个存储块的过擦除修复以及弱写入及验证操作；
在完成对NORFLASH芯片中所有存储块的过擦除修复以及弱写入及验证操作后，对所述擦除命令对应的目标存储块进行预写入及验证操作，在完成对所述目标存储块的预写入及验证操作后，对所述目标存储块进行擦除操作，在完成对所述目标存储块的擦除操作后，对所述目标存储块进行过擦除修复，在完成对所述目标存储块的过擦除修复操作后，对所述目标存储块进行弱写入及验证操作，在完成对所述目标存储块的弱写入及验证操作后，从所述NORFLASH芯片的所有存储块中确定一个非目标存储块，对所述非目标存储块进行弱块修复。
2.如权利要求1所述的在NORFLASH芯片擦除过程中消除过擦除的方法，其特征在于，所述检测所述擦除命令是否为NORFLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令包括：
检测第一次擦除信号是否为高电平；
当所述第一次擦除信号为高电平时，确定所述擦除命令为NORFLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令；
当所述第一次擦除信号为低电平时，确定所述擦除命令不为NORFLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令；
其中，在NORFLASH芯片上电后，所述第一次擦除信号为高电平，在NORFLASH芯片执行完第一次擦除命令对应的擦除操作后，所述第一次擦除信号由高电平变为低电平。
3.如权利要求2所述的在NORFLASH芯片擦除过程中消除过擦除的方法，其特征在于，在所述检测所述擦除命令是否为NORFLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令之后，还包括：
若所述擦除命令不为NORFLASH芯片上电后首次接收到的擦除命令，则对所述擦除命令对应的目标存储块进行预写入及验证操作，在完成对所述目标存储块的预写入及验证操作后，对所述目标存储块进行擦除操作，在完成对所述目标存储块的擦除操作后，对所述目标存储块进行过擦除修复，在完成对所述目标存储块的过擦除修复操作后，对所述目标存储块进行弱写入及验证操作，在完成对所述目标存储块的弱写入及验证操作...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文静，于文贤，张涌，
申请(专利权)人：深圳市芯天下技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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