【技术实现步骤摘要】
可编程存储单元、非易失性存储系统及其控制方法
本专利技术涉及通信技术，更具体地，涉及可编程存储单元、非易失性存储系统以及非易失性存储系统的控制方法。
技术介绍
目前，芯片内通常设置有非易失性存储器，用于存储系统工作所需的数据。例如，在一些高精度模拟电路中，为了减少失配等现象所带来的性能影响，经常需要在芯片中设置修调电路来保证精度，该修调电路由非易失性存储器实现，使得修调信息不会在芯片掉电之后丢失。芯片中通常采用可擦除可编程只读存储器(ErasableProgrammableRead-OnlyMemory，EPROM)作为非易失性存储器，其不足之处在于：在对EPROM执行相应的操作时需要提供一个高电压(高于其它电路的正常工作电压)，这就对芯片的制造工艺提出了较高的耐压需求，并需要芯片提供用于产生该高电压的内部升压电路和/或用于接收该高电压的额外的压焊点，使得芯片内部电路复杂，且不利于降低芯片面积、成本和设计难度。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种可编程存储单元、非易失性存储系...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储系统的控制方法，其特征在于，所述非易失性存储系统包括控制单元、可编程存储单元以及用于连接所述控制单元和所述可编程存储单元的通信传输线，所述可编程存储单元包括至少一个电熔丝存储器，/n所述控制方法包括：/n通过控制通信传输线的传输线电压，在所述控制单元和所述可编程存储单元之间传输串行数据；以及/n根据所述串行数据产生熔融电流，以将所述串行数据中的目标数据存储在对应的所述电熔丝存储器中。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种非易失性存储系统的控制方法，其特征在于，所述非易失性存储系统包括控制单元、可编程存储单元以及用于连接所述控制单元和所述可编程存储单元的通信传输线，所述可编程存储单元包括至少一个电熔丝存储器，
所述控制方法包括：
通过控制通信传输线的传输线电压，在所述控制单元和所述可编程存储单元之间传输串行数据；以及
根据所述串行数据产生熔融电流，以将所述串行数据中的目标数据存储在对应的所述电熔丝存储器中。
2.根据权利要求1所述的控制方法，其中，所述熔融电流利用所述可编程存储单元的工作电压产生。
3.根据权利要求1所述的控制方法，其中，在传输所述串行数据的步骤之前，所述控制方法还包括：
在初始化阶段，通过所述通信传输线执行握手操作，以使所述控制单元和所述可编程存储单元进入可相互通信的状态，并将所述传输线电压稳定在复位电压。
4.根据权利要求3所述的控制方法，其中，还包括：
提供所述通信传输线的复位路径，从而当所述通信传输线被释放时，所述传输线电压被复位至所述复位电压。
5.根据权利要求4所述的控制方法，其中，执行所述握手操作的步骤包括：
所述控制单元向所述通信传输线提供第一逻辑电压以形成邀请脉冲，随后释放所述通信传输线；
所述可编程存储单元检测所述传输线电压，在检测到所述邀请脉冲之后，所述可编程存储单元向所述通信传输线提供所述第一逻辑电压以形成响应脉冲，随后释放所述通信传输线；以及
所述控制单元检测到所述响应脉冲后，将所述传输线电压复位至所述复位电压。
6.根据权利要求5所述的控制方法，其中，所述控制方法还包括：在所述初始化阶段，所述控制单元检测所述响应脉冲的脉宽，并根据所述脉宽调节所述控制单元在传输数据时的数据保持时间。
7.根据权利要求5所述的控制方法，其中，所述控制单元通过所述通信传输线向所述可编程存储单元传输所述串行数据的过程中，在传输所述串行数据的每个数据位时，所述控制单元执行：
首先所述控制单元将所述传输线电压由所述复位电压改变为所述第一逻辑电压，并维持第一预设时间；
再根据当前传输的数据位的逻辑值控制所述传输线电压，当所述逻辑值为第一逻辑值时所述控制单元将所述传输线电压维持为所述第一逻辑电压，当所述逻辑值为第二逻辑值时将所述传输线电压改变为第二逻辑电压；
经历第二预设时间之后，将所述传输线电压复位至所述复位电压。
8.根据权利要求5所述的控制方法，其中，所述可编程存储单元通过所述通信传输线向所述控制单元传输所述串行数据的过程中，在传输所述串行数据的每个数据位时，所述可编程存储单元执行：
首先控制单元将所述传输线电压由所述复位电压改变为所述第一逻辑电压，并维持第一预设时间；
再根据当前传输的数据位的逻辑值控制所述传输线电压，当所述逻辑值为第一逻辑值时所述可编程存储单元将所述传输线电压维持为所述第一逻辑电压，当所述逻辑值为第二逻辑值时通过复位路径将所述传输线电压改变为第二逻辑电压；
经历第二预设时间之后，将所述传输线电压复位至所述复位电压。
9.根据权利要求1所述的控制方法，其中，所述可编程存储单元还包括至少一个镜像寄存器，每个所述镜像寄存器分别与相应的所述电熔丝存储器相连以交换数据，
由所述通信传输线提供的所述目标数据先存储在对应的所述镜像寄存器中，再由所述镜像寄存器提供给相应的所述电熔丝存储器，
所述电熔丝存储器存储的所述目标数据被读出并存储至相应的所述镜像寄存器中，再由所述镜像寄存器输出。
10.根据权利要求9所述的控制方法，其中，所述串行数据至少包括以下的一种或多种：
模式选择数据、镜像寄存器地址、校验位、参考数据、所述目标数据以及可变宽度编程脉冲。
11.根据权利要求10所述的控制方法，其中，所述校验位是由所述模式选择数据、所述镜像寄存器地址、所述目标数据的各位逻辑值计算得到的至少1位逻辑值。
12.根据权利要求11所述的控制方法，其中，所述校验位等于所述模式选择数据、所述镜像寄存器地址、所述目标数据的各位逻辑值进行逻辑相加获得的1位逻辑值。
13.根据权利要求11所述的控制方法，其中，所述控制单元通过所述通信传输线向所述可编程存储单元提供所述模式选择数据，以选择所述可编程存储单元的工作模式，所述可编程存储单元的不同工作模式至少能够实现以下的一种或多种操作：
镜像寄存器的写入操作，用于将所述通信传输线和/或相应的所述电熔丝存储器提供的所述目标数据存储在与所述镜像寄存器地址对应的所述镜像寄存器中；
镜像寄存器的读出操作，用于将所述镜像寄存器中存储的所述目标数据读出，并提供给相应的所述电熔丝存储器或通过所述通信传输线提供至所述控制单元；
对电熔丝存储器的编程操作，用于将由对应的所述镜像寄存器提供的所述目标数据存储在相应的所述电熔丝存储器中；以及
从电熔丝存储器读出至镜像寄存器的提取操作，用于将存储在所述电熔丝存储器中的所述目标数据读出至相应的所述镜像寄存器中。
14.根据权利要求13所述的控制方法，其中，执行镜像寄存器的写入操作的步骤包括：
所述控制单元通过所述通信传输线依次向所述可编程存储单元提供表征寄存器写入操作的所述模式选择数据、所述镜像寄存器地址、所述校验位以及所述目标数据，
所述可编程存储单元对所述传输线电压进行采样，并根据所述校验位对所述模式选择数据、所述镜像寄存器地址以及所述目标数据进行校验，并将校验合格的所述目标数据存储在与所述镜像寄存器地址对应的所述镜像寄存器中。
15.根据权利要求13所述的控制方法，其中，执行镜像寄存器的读出操作的步骤包括：
所述控制单元向所述通信传输线依次提供表征寄存器读出操作的所述模式选择数据以及所述镜像寄存器地址，
所述可编程存储单元检测所述传输线电压以获得所述模式选择数据和所述镜像寄存器地址；以及
所述可编程存储单元根据获得的所述镜像寄存器地址，向所述控制单元传输存储在对应的镜像寄存器中的目标数据，所述控制单元读取所述目标数据。
16.根据权利要求14所述的控制方法，其中，执行所述电熔丝存储器的编程操作的步骤包括：
所述控制单元向所述通信传输线依次提供表征寄存器写入操作的所述模式选择数据、所述镜像寄存器地址、所述校验位以及所述目标数据；
所述可编程存储单元对所述传输线电压进行采样，根据所述检验位对所述模式选择数据、所述镜像寄存器地址以及所述目标数据进行校验，并将校验合格的所述目标数据存储在相应的所述镜像寄存器中；
所述控制单元向所述通信传输线依次提供表征存储器编程操作的所述模式选择数据、所述镜像寄存器地址和所述参考数据；
所述控制单元生成多个用于产生所述熔融电流的所述可变宽度编程脉冲；以及
技术研发人员：张盛，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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