存储器控制器及操作该存储器控制器的方法技术

技术编号:24332757 阅读:44 留言:0更新日期:2020-05-29 20:31
本发明专利技术涉及一种操作速度提高的存储器控制器,该存储器控制器控制包括多个存储块的存储器装置。该存储器控制器包括:剩余计数确定器,被配置成基于从存储器装置接收的编程/擦除计数来确定剩余计数,该剩余计数为待在存储器装置中另外地执行的编程操作和擦除操作的数量;保留时段计算器,被配置成基于存储器装置的断电时间和通电时间来确定保留时段;以及读取电压确定器,被配置成基于默认读取电压表和根据剩余计数确定的系数来生成改变的读取电压表,并根据保留时段来确定改变的读取电压表中包括的读取电压之中、在存储器装置中使用的读取电压。

Memory controller and method of operating the memory controller

【技术实现步骤摘要】
存储器控制器及操作该存储器控制器的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年11月22日提交的申请号为10-2018-0145781的韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的全部公开内容通过引用整体并入本文。
本公开总体涉及一种电子装置,并且更特别地,涉及一种存储器控制器及操作该存储器控制器的方法。
技术介绍
存储装置在诸如计算机、智能电话或智能板的主机的控制下存储数据。存储装置包括用于在磁盘上存储数据的、诸如硬盘驱动器(HDD)的装置或用于在半导体存储器即非易失性存储器上存储数据的、诸如固态驱动器(SSD)或存储卡的装置。存储装置可以包括用于存储数据的存储器装置和用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器控制器,所述存储器控制器控制包括多个存储块的存储器装置,所述存储器控制器包括:/n剩余计数确定器,基于从所述存储器装置接收的编程/擦除计数来确定剩余计数,所述剩余计数为待在所述存储器装置中另外地执行的编程操作和擦除操作的数量;/n保留时段计算器,基于所述存储器装置的断电时间和通电时间来确定保留时段;以及/n读取电压确定器,基于默认读取电压表和根据所述剩余计数确定的系数来生成改变的读取电压表,并根据所述保留时段来确定所述改变的读取电压表中包括的读取电压之中、在所述存储器装置中使用的读取电压。/n

【技术特征摘要】
20181122 KR 10-2018-01457811.一种存储器控制器,所述存储器控制器控制包括多个存储块的存储器装置,所述存储器控制器包括:
剩余计数确定器,基于从所述存储器装置接收的编程/擦除计数来确定剩余计数,所述剩余计数为待在所述存储器装置中另外地执行的编程操作和擦除操作的数量;
保留时段计算器,基于所述存储器装置的断电时间和通电时间来确定保留时段;以及
读取电压确定器,基于默认读取电压表和根据所述剩余计数确定的系数来生成改变的读取电压表,并根据所述保留时段来确定所述改变的读取电压表中包括的读取电压之中、在所述存储器装置中使用的读取电压。


2.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述剩余计数确定器生成并输出包括关于所述剩余计数和所述系数的信息的剩余计数信息。


3.根据权利要求2所述的存储器控制器,其中所述读取电压确定器基于从所述剩余计数确定器接收的所述剩余计数信息来生成所述改变的读取电压表,所述改变的读取电压表配置有通过将所述默认读取电压表中的读取电压乘以所述系数而获得的电压。


4.根据权利要求3所述的存储器控制器,其中所述剩余计数和所述系数随着所述编程/擦除计数增加而减小。


5.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述剩余计数确定器基于所述编程/擦除计数的代表值来确定所述剩余计数。


6.根据权利要求5所述的存储器控制器,其中所述编程/擦除计数的代表值是关于所述多个存储块的编程/擦除计数的平均值、中值、最大值或最小值中的任意一个。


7.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述保留时段是从所述断电时间到所述通电时间的时段。


8.根据权利要求7所述的存储器控制器,其中所述读取电压随着所述保留时段变长而减小。


9.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述保留时段计算器通过从所述存储器装置接收所述断电时间并在所述存储器控制器中接收通电信息来确定所述保留时段。


10.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中所述读取电压确定器基于在所述存储器装置中使用的读取电压来生成并输出读取电压信息。


11.一种操作存储器控制器的方法,所述存储器控制器控制包括多个存储块...

【专利技术属性】
技术研发人员:池鍮旻李根雨
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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