优化扫描间隔制造技术

各种应用可包含设备及/或操作所述设备的方法，所述设备包含具有可被校准的读取电平的存储器装置。使用所述存储器装置来实施的校准控制器可基于来自监测与所述存储器装置相关联的参数的一或多个跟踪器的输入及确定来自与所述监测参数相关的一组事件的至少一个事件发生来触发读取电平校准。所述监测参数可包含与选定时间间隔及所述存储器装置的读取、擦除或写入操作的测量相关的参数。本发明专利技术揭示额外设备、系统及方法。

Optimize scan interval

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】优化扫描间隔优先权申请案本申请案主张2017年8月31日申请的序列号为15/692,407的美国申请案的优先权的权益，所述申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术介绍
存储器装置通常作为内部半导体集成电路提供于计算机或其它电子装置中。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来保存其数据，且易失性存储器的实例尤其包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器可在未被供电时保存存储数据，且非易失性存储器的实例尤其包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM))、电阻随机存取存储器(RRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)及三维(3D)XPointTM存储器。快闪存储器用作为各种电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含允许高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的单晶体管、浮动栅极或电荷捕捉存储器单元的一或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n存储器装置，其接收读取及写入命令以从所述存储器装置的存储器单元阵列的存储器单元读取及写入到所述存储器装置的存储器单元阵列的存储器单元；/n一或多个跟踪器，其监测参数，所述参数包含选定时间间隔、用于读取所述存储器装置的至少一部分的读取操作的次数及针对所述存储器装置的所述至少所述部分的写入操作及擦除操作中的至少一者的次数；及/n校准控制器，其基于来自所述一或多个跟踪器的输入及确定来自一组事件的至少一个事件发生来触发读取电平校准，所述一组事件包含监测时间等于或超过所述选定时间间隔、所述读取操作的所述次数等于或超过所述选定时间间隔内的读取操作的次数的预定阈值，及写入操作及擦除...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170831 US 15/692,4071.一种设备，其包括：
存储器装置，其接收读取及写入命令以从所述存储器装置的存储器单元阵列的存储器单元读取及写入到所述存储器装置的存储器单元阵列的存储器单元；
一或多个跟踪器，其监测参数，所述参数包含选定时间间隔、用于读取所述存储器装置的至少一部分的读取操作的次数及针对所述存储器装置的所述至少所述部分的写入操作及擦除操作中的至少一者的次数；及
校准控制器，其基于来自所述一或多个跟踪器的输入及确定来自一组事件的至少一个事件发生来触发读取电平校准，所述一组事件包含监测时间等于或超过所述选定时间间隔、所述读取操作的所述次数等于或超过所述选定时间间隔内的读取操作的次数的预定阈值，及写入操作及擦除操作中的所述至少一者的所述次数等于或超过所述选定时间间隔内的写入操作及擦除操作中的至少一者的次数的阈值。


2.根据权利要求1所述的设备，其中所述校准控制器包含固件，所述固件具有用于基于来自所述一或多个跟踪器的所述输入来确定所述发生的存储指令。


3.根据权利要求1所述的设备，其中所述一或多个跟踪器包含读取计数器来计数发送到所述存储器装置的读取命令。


4.根据权利要求1所述的设备，其中所述一或多个跟踪器包含至少一个计数器来响应于在所述存储器阵列中进行写入及擦除操作中的至少一者而计数从所述存储器装置发送的写入及擦除消息。


5.根据权利要求1所述的设备，其中所述一或多个跟踪器包含计时器，所述计时器能够由所述校准控制器复位为复位值以从所述复位值开始所述选定时间间隔内的读取电平校准的另一等待间隔，且所述校准控制器可操作以复位所述一或多个跟踪器以从所述计时器的所述复位值开始跟踪读取操作及跟踪写入操作及擦除操作中的至少一者。


6.根据权利要求1所述的设备，其中所述触发读取电平校准包含在不同读取电压处取样存储器原始位错误率以选择与最小原始位错误率相关联的一组读取电压。


7.根据权利要求1所述的设备，其中所述校准控制器可操作以在应力条件下跟踪所述存储器单元的存储器单元阈值电压移动。


8.根据权利要求1所述的设备，其中将所述存储器装置的所述存储器单元阵列构造为三维“与非”配置。


9.一种系统，其包括：
主机处理器；
控制器，其经耦合以与所述主机处理器通信；
一组存储器装置，其耦合到所述控制器，所述一组存储器装置包含具有存储器单元阵列的“与非”存储器装置，从所述控制器接收针对所述存储器单元阵列的读取及写入命令以从所述“与非”存储器装置的存储器单元读取及写入到所述“与非”存储器装置的存储器单元；
一组跟踪器，其监测时间、跟踪针对所述存储器装置的读取操作及跟踪从所述“与非”存储器装置传达的写入及/或擦除操作；及
校准控制器，其基于来自所述一组跟踪器的输入及确定来自一组事件的至少一个事件发生来触发读取电平校准，所述一组事件包含所述监测时间超过选定时间间隔、所述读取操作的次数等于或超过所述选定时间间隔内的读取操作的次数的预定阈值，及所述写入及/或擦除操作的次数超过所述选定时间间隔内的写入及/或擦除操作的次数的阈值。


10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·K·姆奇尔拉，A·马尔谢，H·R·桑吉迪，G·S·阿尔萨苏阿，G·F·贝桑格，S·瑞特南，P·S·费利，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国;US