本发明公开了具有抗血栓活性的通式II化合物，其制备方法以及它们作为抗血栓剂的应用。采用大鼠颈动静脉旁路插管血栓模型上评价了通式II化合物的抗血栓活性，实验结果表明，本发明通式II化合物均具有优秀的抗血栓活性，临床上可作为抗血栓剂应用。

本发明公开了一种用于细胞牵拉刺激的高通量培养装置，包括：第一有机玻璃板和第二有机玻璃板，第一有机玻璃板和第二有机玻璃板上具有通孔，在第一有机玻璃板与第二有机玻璃板之间设置有硅胶膜，第二有机玻璃板的下部设置有第三有机玻璃板，第二有机玻璃板...

本发明公开了一种抗阿片肽及其拮抗肽与应用。该抗阿片肽是下述氨基酸残基序列之一：1)序列表中的SEQ?ID?NO：1；2)将序列表中SEQ?ID?NO：1的氨基酸残基序列经过一至十个氨基酸残基的取代、缺失或添加具有拮抗吗啡抗伤害作用的多肽...

本发明公开了一种抗阿片肽及其拮抗肽与应用。该抗阿片肽是下述氨基酸残基序列之一：1)序列表中的SEQ?ID?NO：1；2)将序列表中SEQ?ID?NO：1的氨基酸残基序列经过一至十个氨基酸残基的取代、缺失或添加具有拮抗吗啡抗伤害作用的多肽...

本发明公开了一种具有自选择抗串扰功能的阻变存储器，包括：上电极、下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的阻变层，其中，所述阻变层包括具有阻变特性的氧化物材料。本发明还提供了一种包括上述阻变存储器的交叉阵列存储电路。本发明采用具有阻变特性...

本发明公开了一种TiO2光催化净水材料及其制备方法。该材料是以TiO2一级纳米棒阵列作为基础材料，采用水热法工艺制备而得。该材料中，光催化剂TiO2固载于预处理石英玻璃基底之上，具有二级纳米棒阵列结构，该结构具体形貌可由催化剂前驱液的p...

本申请的技术主要是，利用mRNA的信号放大作用检测某些染色体片段DNA的倍增或缺失。依据中心法则mRNA是以DNA为模板转录的，DNA模板拷贝数的异常可引起mRNA量的变化，而在转录的过程中，DNA模板的倍增或缺失，在mRNA水平会被放...

本发明公开了一种双面微纳复合结构的太阳能电池及其制备方法。其中，太阳能电池包括位于太阳能电池的正面的第一微纳复合结构和位于太阳能电池的背面的第二微纳复合结构；第一微纳复合结构包括在硅基衬底上表面制作的掺杂扩散层、在掺杂扩散层上腐蚀获取的...

本发明公开了一种微纳复合结构的太阳能电池及其制备方法。其中，该微纳复合结构的太阳能电池的一侧设置有：在硅基衬底上表面制作的掺杂扩散层、在所述掺杂扩散层上腐蚀获取的微米尺度吸光层；以及在所述微米尺度吸光层上刻蚀获得的纳米尺度黑硅减反射层。...

本发明涉及一种聚光透镜阵列器件及其制备方法，该器件包括：基体、以及光纤，所述基体的一面设置有若干用于放置所述光纤的光纤槽，所述基体还设置有沿所述光纤槽分布的若干透光通孔。本发明的聚光透镜阵列器件及其制备方法适用于中、大规模2D光开关及大...

本发明公开了一种曲面结构的硅漂移探测器。本发明的硅漂移探测器包括N型硅片，位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极，施加于所述入射面的反向偏置电压，和位于所述N型硅片的背面的阳极，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括位于所述N型硅片的背面的...

本发明提供了一种基于石墨烯的纳米尺度点光源及其制备方法，属于纳米尺度的发光装置。该纳米尺度点光源是在大气、室温条件下利用石墨烯薄膜和金属电极电连接实现的，具体是：石墨烯薄膜与金属电极呈十字交叉，或石墨烯薄膜搭接在两个金属电极上，形成电学...

本发明涉及一种用于微机械谐振式器件的升频驱动控制方法，其包括以下步骤：1)将微机械谐振式器件中的振动拾取结构上的两个差分电极同时连接一振动信号读取装置；2)在微机械谐振式器件中的驱动结构的两个差动驱动电极上分别施加驱动电压VL和VR；3...

本发明公开了一种Ge或SiGe纳米线场效应晶体管的制备方法，首先在衬底上的隔离层上形成多晶硅栅；然后形成高K材料的栅介质层；再在栅介质层上淀积SiGe薄膜；对SiGe薄膜进行源漏掺杂后光刻定义出源漏区图形，并各向异性干法刻蚀SiGe薄膜...

本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法，该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶，然后基于泊松衍射的原理，通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光，得到圆环形的光刻胶，再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀，在衬底表面形成壁厚为...

本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先以半导体锗衬底为基片，对基片进行清洗，以去除表面的有机、无机、金属颗粒污染物以及去除基片表面的自然氧化层；对基片进行氟化硅或者含氟硅氢化合物的等离子体处理...

本发明公布了一种隧穿电流放大晶体管，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿电流放大晶体管包括半导体衬底、发射极、漏极、浮空隧穿基极以及控制栅，所述漏极、浮空隧穿基极以及控制栅构成一个常规的TFET结构...

本发明提供一种无衬底引出半导体器件的栅介质层陷阱密度的测试方法，该半导体器件测试结构为三栅结构，两侧栅窄而中间栅宽，三个栅控制半导体器件测试结构的沟道的不同区域，达到精确控制电荷走向的目的。利用本发明半导体器件栅介质层陷阱的测试方法能够...

本发明提供一种适于纳米尺度的高频率选择性射频前端，包括具有高频输入匹配网络、低噪声跨导、负载网络以及无源混频器三个部分，无源混频器配置在输入匹配网络或低噪声跨导或负载网络输出节点，所述输入匹配网络和负载网络都采用阻抗转换实现高Q值和高频...

本发明公开了一种寡糖快速组装的方法，包括式I化合物与单糖供体偶联，经低沸点极性有机溶剂与高沸点非极性有机溶剂的混合物处理，然后浓缩选择性除去低沸点极性有机溶剂，以沉淀并离心获得离子液体负载；然后，将此离子液体负载单糖选择性脱保护，再与糖...