本发明涉及薄层色谱板以及使用其的薄层色谱与红外光谱的联用方法。一种薄层色谱分离与中红外光谱检测的联用方法，其中，作为薄层色谱的层析板，包括层析板基板以及在层析板基板上形成的吸附剂层，作为该层析板基板，使用无中红外吸收的基板或者中红外光反...

本发明公开了属于医学肿瘤学技术领域的一种肿瘤-睾丸抗原HCA587蛋白疫苗及其应用。本发明的蛋白疫苗包括HCA587蛋白、完全弗氏佐剂、不完全弗氏佐剂、ISCOM佐剂、CpG?ODN-1826。本发明的HCA587蛋白疫苗能够诱导CD4...

本发明公布了一种两性离子交换膜的制备方法，具体涉及一种用于全钒液流电池的两性离子交换膜的制备方法。该方案包括：对聚合物粉体聚偏氟乙烯进行辐照接枝；将辐照接枝后聚合物粉体转化成膜材料；将上述膜材料进行磺化、水解，引入具有阳离子交换功能的磺...

本发明提供一种基于硅纳米线场效应晶体管的六边形可编程阵列及其制备方法，该阵列包括纳米线器件、纳米线器件连接区和栅连接区，所述纳米线器件呈圆柱形结构，包括硅纳米线沟道、栅介质层和栅区，栅介质层包裹硅纳米线沟道，栅区包裹栅介质层，纳米线器件...

本发明提供了一种微纳机电器件中纳米间隙电极的制备方法，属于微纳机电系统领域。该方法选用一种合适的材料做牺牲层，首先采用回刻的方式制备纳米尺度的牺牲层侧墙结构，侧墙需要有一定的高度，再淀积一层薄的金属层或其它电极材料，然后选择性腐蚀掉牺牲...

本发明提供一种LED结构及其制备方法，属于光电器件领域。该LED结构包括n-GaN层、多量子阱层和p-GaN层，n-GaN层为出光面，本发明在非出光面的p-GaN层或与p-GaN层接触的透明电极表面上制备出周期性微纳结构。由于周期性微纳...

本发明提供一种可以抑制闪存存储器编程干扰的工艺方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明通过在标准闪存工艺中增加一步倾角的施主杂质离子注入来减小衬底/漏端的PN结杂质梯度，从而减小衬底和漏端之间PN结内的电场，减...

本发明公开了一种压电驱动器及直线压电马达。该压电驱动器包括叠加在一起的至少两个压电片，各压电片分别具有设定的极化分布方向，且各压电片的表面设置有与压电片极化分布方向配合设置的第一驱动电极组和第二驱动电极组，以便在施加在所述第一驱动电极组...

本发明公开了一种光纤波分复用器件及包含该光纤波分复用器件的环形腔光纤激光器，该光纤波分复用器件包括双尾纤光纤准直透镜，所述双尾纤光纤准直透镜一端面上固定有波分复用膜片，或镀有可实现波分复用的膜。本发明的光纤波分复用器件及包含该光纤波分复...

本发明公开了一种高精度的宽视场镜头实时畸变矫正方法及系统，属于计算机视觉以及计算机图形学领域。该方法包括如下步骤：初矫正步骤，建立投影方程，根据该投影方程找到与图像平面上的图像点相对应的空间点；优化步骤，对初矫正后的图像进行误差分析，得...

本发明公开了一种半预充动态电路，包括：第一预充管Mp1、下拉逻辑网络PDN、保持管Mk、Mf、输出反相器和比较器，传输管Mg，第一预充管Mp1的漏端连接Mk的漏端形成动态节点DYN，PDN的一端连接DYN，另一端连接Mf的漏端，比较器的...

本发明公开了一种电流镜求值动态电路，包括：输入网络、一级电流镜子电路、二级电流镜子电路，所述输入网络通过所述一级电流镜子电路连接保持管，所述保持管的栅极直接连接二级电流镜子电路，保持管的漏极通过连接反相器作为整个电路的输出端；输入网络的...

本发明公开了一种光纤陀螺仪的萨格奈克相移跟踪方法，属于光纤传感领域。本方法为：1)对k＝0时刻采集的探测信号进行滤波解调，得到k＝0时刻探测信号的一、二次谐波解调信号S1(0)和S2(0)；2)根据S1(0)、S2(0)计算得到k＝0时...

本发明公开了一种蓝色荧光发光材料及其应用。该材料采用螺二芴为中心，连接两个菲基，形成扭曲非平面结构，有效避免了分子间的聚集，具有较高的荧光量子效率。该材料具有很好的热稳定性和电致发光特性，用作蓝色有机电致发光器件的发光层，能得到色纯度和...

本发明公开了一株苯并[a]芘降解菌及其应用，该苯并[a]芘降解菌为Bacilluspumilus?strain.Bap9，CGMCC?№4585，该菌株能以苯并[a]芘为唯一碳源和能源生长，在苯并[a]芘浓度为40mg/L的无机盐培养基...

本发明公开了一株苯并[a]芘降解菌及其应用，该苯并[a]芘降解菌为Acinetobacter?sp.Bap30，CGMCC?№4586。该菌株能以苯并[a]芘为唯一碳源和能源生长，在苯并[a]芘浓度为40mg/L的无机盐培养基中，37℃...

本发明公开了一种用于测试氧化层击穿可靠性的结构及方法，该结构包括具有不同面积的多个氧化层电容，多个氧化层电容共享同一个栅极，每个氧化层电容包括一个衬底，且各个氧化层电容的衬底相互分离。本发明的测试结构不仅可以使用常规的半导体参数测试设备...

本发明公开了一种用于测量MOS器件HCI可靠性的测试结构，包括：n型MOS器件和p型MOS器件，所述n型MOS器件的源极、衬底和p型MOS器件的漏极三者连接在一起组成所述结构的源极；且所述p型MOS器件的源极、衬底和n型器件的漏极三者连...

本发明公开了一种闪烁-移波光纤及快中子转换屏，属于快中子成像领域。本发明的光纤由内向外依次包括芯层、覆层和反射膜，其中芯层为移波光纤，覆层为掺杂荧光粉的含氢有机物质，芯层的移波光纤能够吸收覆层荧光粉发出的光，并发射次级光子。本发明的快中...

本发明公开了基于一维半导体纳米材料的级联太阳能电池及其制备方法。该级联太阳能电池以一维半导体纳米材料作为吸光材料和导电通道，其两端是非对称的金属电极：一端为钯电极，另一端为钪或钇电极；在所述非对称的金属电极之间的导电通道上具有n-1个虚...