专利查询
首页
专利评估
登录
注册
北京大学专利技术
北京大学共有15388项专利
一种阻变存储器及其制备方法技术
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底、上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料,其中下电极中部向上凸起成尖峰状,而上电极为平板状,尖峰结构的下电极降低了器件功耗。其制备方法是通过腐蚀在衬底表面形成尖峰结构,接着...
一种微纳结构的湿法腐蚀方法及其腐蚀装置制造方法及图纸
本发明公开了一种微纳结构的湿法腐蚀方法及其腐蚀装置,其方法包括:A、将表面具有微纳结构的待蚀刻基片置于腐蚀液容器的基座上;B、将腐蚀液注入腐蚀液容器中,腐蚀液液面淹没基片表面;C、通过腐蚀液容器侧面设置对应的进出液口或通过在腐蚀液容器下...
基于广角镜头和原子滤光器的光信号检测系统技术方案
本发明公开了一种基于广角镜头和原子滤光器的光信号检测系统,属于光电信号检测领域。该系统包括沿光的传播方向依次布置的广角镜头、原子滤光器和光电传感器。广角镜头为视场角达到60°以上的宽视场镜头或鱼眼镜头。原子滤光器为法拉第型原子滤光器或佛...
一种无硫碳石墨的制备方法技术
本发明公开了一种无硫碳石墨的制备方法,属于碳石墨制备领域。该方法包括:将除硫剂溶液和碳石墨原料混合后,在20-100℃下放置5~24小时进行除硫反应;将反应后的混合物反复离心水洗至pH中性;自然干燥或采用烘箱80~120℃烘干,获得无硫...
一种TSV芯片键合结构制造技术
本发明公开了一种TSV芯片键合结构,属于微电子技术领域。所述键合结构包括第一芯片和第二芯片,所述第一芯片包括第一微凸点和第一微凸点周围的第一环绕结构,所述第一环绕结构的高度大于所述第一微凸点的高度;所述第二芯片包括第二微凸点,所述第二微...
基于正脸图像合成的人脸识别方法技术
本发明公开了一种基于正脸图像合成的人脸识别方法,属于数字图像处理和模式识别领域。该方法包括下列步骤:a)读取多个侧脸图像Isi,获得每个侧脸图像的控制点图Lsi;b)从正面人脸库读取一个正脸图像,获得该正脸图像的控制点图Lf;c)对要合...
一种提取MOS管沿沟道电荷分布的方法技术
本发明公布了一种提取MOS管沿沟道电荷分布的方法,应用于MOS管中界面态与栅介质电荷分布的提取。包括:把一个MOS管加入到测试电路中,用电荷泵电流测试法测得应力前后MOS管两条漏端开路或源端开路的电荷泵电流曲线,一条为原始曲线,一条为应...
一种测试方形纳米线边界热阻随尺度变化的方法技术
本发明公布了一种测试方形纳米线边界热阻随尺度变化的方法。所述方法包括如下步骤:1、制作一组测试结构,该结构包含三个测试样品(Y1、Y2、Y3);2、和步骤1同样的方法按照样品宽度呈等差数列制作多组测试结构;3、测出各组测试结构中三个样品...
SOI时钟双边沿静态D触发器制造技术
本发明公开了一种SOI时钟双边沿静态D触发器,包括:上通道和下通道两条数据通道,所述上通道包括N型MOS管TN1、TN2,反相器INV1、INV2、INV3以及CMOS传输门TG1;所述下通道包括N型MOS管TN3、TN4,反相器INV...
一种太赫兹硅基四倍频器及多倍频器制造技术
本发明公开一种太赫兹硅基四倍频器及多倍频器,属于射频集成电路领域。四倍频器包括晶体管M1、M2,传输线L1、L2、L-1;M1、M2的漏端分别经L1、L2连接至输出端口,源端与地线连接,栅端分别与基频信号f0的I、Q路信号输入端连接;L...
单标记寡聚核苷酸荧光探针及检测核酸酶的方法技术
本发明公开了一类单标记寡聚核苷酸荧光探针及检测核酸酶的方法。该单标记寡聚核苷酸荧光探针具有茎环结构,环部由5-24个核苷酸残基组成,茎部根据待测核酸酶的活性分为水解模式与合成模式两种:水解模式的茎部为双链结构,且末端至少有3个连续G-C...
一种毫米波倍频器及级联倍频器制造技术
本发明公开了一种毫米波倍频器及级联倍频器,属于射频/毫米波集成电路技术领域。本发明的倍频器包括:伪差分房大器、LC并联谐振腔、LC串联谐振腔;所述LC并联谐振腔连接在所述伪差分放大器的输出端与电源VDD之间,所述LC串联谐振腔连接在所述...
检索结果聚类方法及装置制造方法及图纸
本发明公开了一种检索结果聚类方法及装置,用以解决按照现有技术提供的检索结果聚类方法使得用户难以按照聚类标签找到符合自己需求的检索结果的问题。其中,本发明公开的该方法包括步骤:从检索结果中选取规定数目的短语;针对选取到的每个短语,对检索结...
一种叉指型栅结构的低功耗隧穿场效应晶体管制造技术
本发明提供了一种低功耗隧穿场效应晶体管TFET,属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明TFET包括源、漏和控制栅,其中,控制栅向源极端延展成叉指型,该叉指型控制栅由延展出来的栅区和原控制栅区组成,...
一种非对称结构的功率MOS晶体管及其阵列制造技术
本发明提供了一种功率MOS晶体管,属于半导体器件领域。该功率MOS晶体管包括源极、漏极和栅结构,栅结构的具体设计为:以版图几何中心为圆心作圆,分别制作两个十六边八角图形;这两个十六边八角图形的边相互平行,边与边之间间隙构成一八角形的弯折...
一种四氧化三钴杆状纳米结构的制备方法技术
本发明提供了一种高密度四氧化三钴杆状纳米结构的制备方法,属于纳米材料的研制领域。该方法包括:在氩气气氛中,将钴片放置于加热容器中进行热处理,所述氩气气氛,是指用纯度为99.9%的纯氩气,以20ml/min的速率通入预先不抽真空的反应容器...
一种含有包封物的脂质体的分离提纯方法技术
本发明公开了一种利用凝胶电泳分离提纯含有包封物的脂质体的方法,属于生物医用领域。该方法首先制备含有包封药物的脂质体,然后制备高分子凝胶,使用凝胶电泳法分离脂质体与未被包封的药物。本发明与现有技术相比,具有如下特点:1)利用不同组分在电场...
一种紫杉醇纳米胶束及其应用制造技术
本发明公开了一种紫杉醇纳米胶束及其应用。一种紫杉醇纳米胶束,为如下1)或2)或3)所示:1)由载体和紫杉醇制备而成;所述载体为聚乙二醇-二硬脂酰磷脂酰乙醇胺、聚乙二醇1000维生素E琥珀酸酯和地喹氯铵的混合物;2)由载体和紫杉醇制备而成...
一种四氧化三钴花瓣状二维曲面纳米结构的制备方法技术
本发明提供了一种大面积高密度四氧化三钴花瓣状二维曲面纳米结构的制备方法,属于纳米材料的研制领域。该方法具体包括:在纯氧气氛中,将钴片放置于管式炉中进行热处理,并在氧气氛中通入适量水蒸气,水蒸气可通过加热水而获得,其水的加热温度控制在30...
钙激活氯通道ANO1/TMEM16A在诊断和治疗前列腺癌中的用途制造技术
本发明公开了钙激活氯通道ANO1/TMEM16A在诊断和治疗前列腺癌中的用途。本发明首先通过体外实验发现,ANO1/TMEM16A与人前列腺癌密切相关,且随着癌症恶性度的增高,ANO1表达增高;进一步的体外实验发现,ANO1/TMEM1...
首页
<<
654
655
656
657
658
659
660
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133944
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81098
三星电子株式会社
68155
中兴通讯股份有限公司
67282
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51642
最新更新发明人
福建省妇幼保健院
183
歌尔股份有限公司
9000
朱涛
146
浙江大学
81099
罗门哈斯公司
1265
苏州双金实业有限公司
205
江苏百卓智能科技有限公司
5
上海沃振能源科技有限公司
1
深圳市蚂蚁零兽物联技术有限公司
5
广州品唯软件有限公司
668