本发明公开了一种陷印图像质量和陷印方法效果的检测方法及系统，属于图像检测技术领域。现有技术中，还没有一个客观的评价陷印图像质量和陷印方法效果方法，更多的是靠经验和人眼的视觉来判断。本发明通过将陷印图像按照偏移模型下的偏移情况进行偏移后得...

本发明公开了一种具有保藏号为CGMCC?No.4572的杂交瘤细胞株4e9，及由该杂交瘤细胞株4e9所产生的单克隆抗体4e9。该单克隆抗体4e9特异性识别Vκ4-1/J3组合序列的Ig轻链。该单克隆抗体4e9特异性高，抗肿瘤效果好。

本发明提供了一种基于小面积功率管的低失配多通道LED恒流源驱动电路结构，属于微电子和LED驱动技术领域。该LED恒流源驱动电路包含ID产生模块IDGen，电流镜以及n个通道，所述ID产生模块包含一个运放和一个MOS管，所述电流镜电流ID...

本发明提供一种基于查询日志的数据库统计数据直方图生成方法，包括以下步骤：1)从数据库查询日志中提取查询集合，每个查询对应一个属性，将属性集的左右边界值构成一个数组；2)对数组进行排序，生成相邻点对构成的基本区间；3)对不同属性上的区间取...

本发明公开了一种分布式查询数据流传输方法，包括步骤1)每个网络节点上保存流经该节点的数据流或者最近的查询的结果，存储为视图；2)一网络节点上生成新查询时，利用传输途径上网络节点保存的流经该节点的数据流或者最近的查询的结果作为新查询的数据...

本发明公开了一种周期性间断发送的语音码流平滑传输方法及系统，属于通信技术领域。在本发明的所述方法中，发送端接收语音帧，并通过超帧将语音帧的语音数据发送至接收端；所述超帧由多个子帧和位于超帧末尾的填充域组成，所述方法的特征在于：a)发送端...

本发明公开了一种TDD或HFDD模式卫星通信的上行导频信号发送方法，属于通信技术领域。在TDD模式下，当可用上行信号区≥Wmin时，在距离可用上行信号区起点2X的时刻开始到距离终点(2X+Wup)的时刻为止发送上行导频信号；当可用上行信...

本申请公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括下电极组件、上电极组件、用于将下电极组件和上电极组件组装在一起并形成密闭空间的密封剂、以及容纳在密闭空间中的电解质，其中下电极组件包括下透明导电基板、在下透明导电基板上形成的纳米氧...

本发明提供了一种基于纳米线器件的耐高压横向双向扩散晶体管，属于微电子半导体器件领域。该横向双扩散MOS晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区、源端外延区以及漏端S型漂移区，沟道区是横向圆柱形硅纳米线结构，上面覆盖一层均匀栅介质，栅介...

本发明提供了一种埋沟结构硅基围栅晶体管，属于微电子半导体器件领域。该晶体管包括沟道区、栅介质、栅区、源区、漏区和源漏端外延区，其中，沟道区为硅纳米线结构，包括三层，内部是圆柱形的沟道区下层，包裹在其外的两层分别是沟道区和沟道区上层，沟道...

本发明涉及一种简单方便合成氯代环己烷的新方法，利用在反相胶束体系中形成的超高浓度盐酸(简称超浓盐酸)，其能够直接和环己烯发生加成反应而生成氯代环己烷。本发明方法工艺简单，只需在常温下较短时间即可获得高产率的氯代环己烷。

本发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监...

本发明公开了一种卫星用户终端时分双工通信方法，属于卫星通信技术领域。在所述方法中，卫星通过信号帧A向地面终端发送下行信号，地面终端通过信号帧B接收下行信号并向卫星发送上行信号，卫星通过信号帧C接收上行信号，其特征在于：信号帧A，B和C结...

本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入MIGS界面态，同...

本发明提供了一种电子回旋共振离子源，尤其是一种能直接观察离子源内放电过程的新型结构全永磁强流电子回旋共振(ECR)离子源。本发明采用了透光性高的石英玻璃来做放电室；石英玻璃造成的微波泄露可通过石英玻璃外部的带有窗口的特殊结构金属壳体来屏...

本发明公开了一种用于分布式图片搜索的索引构建方法和服务器，其索引构建方法的步骤包括：提取服务器的图片数据库中所有图片的一个以上的特征，并将该些特征转换为视觉单词集合，得到原始视觉单词词典及对应的总索引表；另获取代表原始视觉单词词典的有效...

本发明公开了一种氧化物电阻存储器件，包括衬底，位于所述衬底上的底电极，位于所述底电极上的氧化物控制层，位于所述氧化物控制层上的氧化物阻变层，以及位于所述氧化物阻变层上的顶电极。该器件制备工艺简单、性能可靠，提高了氧化物阻变存储器的阻变的...

本发明提供了一种深能级杂质电离碰撞晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明晶体管包括N型或者P型相同掺杂的源、漏，控制栅以及含有能在高场下电离出载流子的深能级杂质的高阻漂移区。高阻漂移区在关...

本发明公开了一种多取代5-酰基-2-亚胺噻唑啉的合成方法，属于有机合成领域。该方法包括：a)将式I所示的碳二亚胺与式II所示的酰氯在醚类溶剂一中反应，反应温度在25℃和所述醚类溶剂一的沸点之间；b)将式III所示的端炔化合物与烃基金属化...

本发明公开了一种胶原海绵及其制备方法。该胶原海绵不含有化学交联剂，孔隙率在90％以上，是通过对胶原水溶液进行辐射交联，然后冷冻干燥制备而成，在交联的同时进行了灭菌，避免了制备过程引起的生物安全问题。通过本发明方法制备的胶原海绵没有化学试...