北京大学专利技术

北京大学共有15388项专利

  • 本发明公开了一种适用于存储云内数据安全迁移的方法,属于存储云环境的安全领域。本方法为:1)将存储云用户划分为若干部门并为每一部门设一标签,建立该用户的树型结构标签,并将其保存到存储云中的中央节点;2)将存储云中的数据节点划分为若干机组并...
  • 本发明涉及集成电路芯片静电放电保护技术领域,特别涉及一种高可靠性电源钳位ESD保护电路,该ESD保护电路包括:依次连接的电容-电阻模块(1)、钳位晶体管开启模块(2)、以及钳位晶体管(4),还包括:钳位晶体管关断模块(3),分别与所述电...
  • 本发明公开了一种新型源漏结构的抗辐照SOI器件,包括衬底硅层,埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层,所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区,其特征在于,所述源区或者漏区与埋氧化层之间有一层与源区或者漏区掺杂类型相反的掺杂层。通过改...
  • 本发明公开了一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件,包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙,在源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区,沟道区和浅掺杂注入区的下方为重掺杂区,其特征在于,所述重掺杂区的掺杂浓度为3×1018cm-3~...
  • 本发明公开了一种基于高介电常数材料的抗辐照SOI器件,包括衬底硅层,埋氧化层、有源区硅层、栅氧化层及隔离氧化层,所述有源区硅层上形成源区、漏区和沟道区,其特征在于,所述的埋氧化层与有源区硅层之间有隔离层,所述隔离层采用高介电常数材料制成...
  • 本发明公开了一种抗辐照的Halo结构MOS器件及其制备方法,所述Halo结构MOS器件包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙,源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区,在浅掺杂注入区的近沟道端包围有重掺杂的Halo区,其特征在于,通过...
  • 本发明提供了基于行列联合迭代译码的LDPC码构造方法,包括步骤:1)初始化LDPC码的参数;2)设定行(块行)运算顺序;3)利用Peg或(Block-Peg)算法构造LDPC码(QC-LDPC码)的H矩阵,其中要求在确定非零元素(子块)...
  • 本发明提供一种适于并行译码实现的LDPC码构造方法,包括步骤:1)初始化LDPC码的参数;2)确定译码并行度Pr,即需要同时进行译码的行数,将H阵的每一行的元素看做校验节点,每一列的元素看做变量节点,将所有校验节点按照并行运算要求,规划...
  • 本发明实施例公开了一种可逆水印嵌入、提取方法及装置和图像恢复方法及装置,涉及图像信息安全技术领域。本发明实施例提供的一种可逆水印嵌入方法,包括:获取原始图像中宏块的集合类别信息以及水印信息,所述集合类别信息包括:第一集合、第二集合和第三...
  • 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,其中所述制造方法包括:提供锗基半导体衬底,所述锗基半导体衬底具有多个有源区以及多个有源区之间的器件隔离区,所述有源区上具有栅极介质层和栅极介质层之上的栅极,所述有源区包括源漏扩展区和深源漏区;对所述...
  • 本发明公开了一种多位快闪存储器,包括衬底、源端和漏端,以及依次层叠在沟道之上的遂穿氧化层、多晶硅浮栅(对应于浮栅型闪存)或氮化硅陷阱层(对应于分离陷阱型闪存)、阻挡氧化层、金属下电极、阻变材料层和金属上电极。其中金属下电极在读取时,通过...
  • 本发明公开了一种基于Mg(BH4)2前驱体制备MgB2超导材料的方法。以Mg(BH4)2为前驱体,在真空条件下或惰性气氛中加热Mg(BH4)2粉末至400℃~500℃,保持该温度一段时间即可获得MgB2超导材料。该方法设备简单,合成速度...
  • 本发明提供了一种熵编码结构及实现方法,属于数字视频编解码技术领域。本发明通过将整个熵编码器分成两级流水线结构,使产生宏块头参数和编码宏块头参数处于不同的流水级,消除了等待时间,同时合理分配了编码时间。每级流水线内部采用了单路流水线硬件结...
  • 本发明公开了犬钩虫抗凝肽及其突变体在制备溶血栓药物中的用途。本发明通过大量的药理实验发现,犬钩虫抗凝肽5(AcAP5)及其突变体(rAcAP5m)(SEQIDNo.3)在体外或体内均有优秀的溶血栓活性,其活性呈剂量依赖性。另外,rAcA...
  • 本发明提供了一种应用于车辆自组织网络的实时数据融合算法,属于车辆无线自组织网络领域。该算法包括:为每辆负责信息感知和分发的车辆建立以自己为中心的实时信息动态网格结构,该网格结构是对实际地图的一个划分,具有越远的区域划分面积越大的特点;车...
  • 本发明公开了一种霍尔元件及其制备方法,该霍尔元件的有源区采用石墨烯材料,一对激励电极与石墨烯沟道两端接触提供电流源或者电压源,一对霍尔电极与石墨烯沟道两侧接触用于测试霍尔电压。本发明中的霍尔元件具有高的灵敏度、非常优异的线性度和温度稳定...
  • 本发明公布了一种混合导通机制的场效应晶体管,属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该混合导通机制场效应晶体管包括源极、漏极、沟道区以及控制栅,其中源极包含隧穿源极与扩散源极两个部分。对于N型器件来说,源区包...
  • 本发明公开了产脂肪酸工程菌及其制备方法和应用。本发明提供的制备产脂肪酸工程菌的方法,是灭活淡水丝状蓝细菌Anabaena?sp.PCC?7120中asr1131蛋白,得到产脂肪酸工程菌;所述asr1131蛋白的氨基酸序列如序列表的序列3...
  • 本发明公开了一种文稿页面方向检测方法和装置,其中,方法包括以下步骤:对文稿页面进行图文分离,将得到的文字区域拆分为多个文字单元,并确定多个文字单元的语言类别属性;针对语言类别属性获取多个文字单元的书写方向属性特征值,并将其纳入相应的全局...
  • 本发明公开了一种基于稳频激光器的相干无线激光通信系统、方法及接收机。该系统的特色是采用稳频激光器作为通信的发射光源和接收本振光源。其中,发射机包括信源模块、调制模块以及第一稳频激光器;接收机包括光学混频模块、相干解调模块、瞄准捕获跟踪(...