本发明公开了属于医学肿瘤学领域的一种利用甲基化原理检测血液中转移肝癌细胞的试剂盒、标志物及其检测方法。该标志物为肝癌细胞特异性表达降低的基因ASS基因或ASL基因，其启动子区和第一外显子区包含至少一个被甲基化的CpG岛。该试剂盒包括针对...

本发明公开了一种基于阳离子交换膜的酶固定化方法及酶微反应器，属于蛋白质酶解技术领域。以阳离子交换膜作为酶固定化的载体，实现该方法的酶微反应器的核心组件-反应腔由第一和第二阳离子交换膜(1)、(3)和聚醚醚酮薄膜(2)组成，聚醚醚酮薄膜(...

本发明公开了一种太阳能电池，包括阴极组件、阳极组件、用于将阴极组件和阳极组件组装在一起并形成密闭空间的密封剂、以及容纳在密闭空间中的电解质，其中阴极组件包括下透明导电基板、在下透明导电基板上形成的纳米氧化物半导体薄膜、以及在纳米氧化物半...

本发明公开了一种复合太阳能电池，包括串联的染料敏化太阳能电池和电压源，该染料敏化太阳能电池的阳极与电压源的负极电连接，并且染料敏化太阳能电池的阴极作为复合太阳能电池的阴极，电压源的正极作为复合太阳能电池的阳极。该复合太阳能电池中的染料敏...

本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。方法包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；光刻定义Fin条硬掩膜；刻蚀材料A，形成Fin条的硬掩膜；源漏注入；光刻定义沟道区和大源漏区；形成Si?Fin条和大源漏；去除...

本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积SiO2；定义纳米线区域和大源漏区域；将光刻胶上的图形转移到SiO2硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；定义Fin硬掩膜；将光刻胶上的图形转移到材料A硬...

本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin硬掩膜；形成Si?Fin条；淀积多晶硅；注入多晶硅；淀积SiN；定义沟道和大源漏区；形成Si?Fin和大源漏；淀积SiN；...

本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，包括：隔离并淀积SiN；淀积SiO2；定义沟道区和大源漏区；将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO2硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin条；形成Fin和大源漏的硬掩...

本发明公开了一种GeOI衬底制备方法，该方法在制备GeOI衬底过程中同步实现了对背界面的钝化处理，具体步骤为：分别提供半导体锗衬底和硅衬底，对锗衬底和硅衬底进行清洗，去除锗衬底和硅衬底表面的自然氧化层；随后，在硅衬底上生长一层SiO2；...

本发明公开了一种选择性湿法刻蚀制备内嵌碳纳米管的沟槽结构的方法，该方法在氧化硅衬底上直接生长或分散碳纳米管；然后在碳纳米管上沉积钯金属膜；用腐蚀溶液刻蚀碳纳米管下的氧化硅后，在衬底上得到内嵌碳纳米管的沟槽结构。本发明不受光刻条件限制，可...

本发明公开了一种具有通孔的半导体结构及其制造方法，半导体结构包括衬底、多个环形通孔和多个实心通孔，环形通孔和实心通孔嵌于衬底中；实心通孔是金属填充的通孔；环形通孔是实心介质塞和环绕实心介质塞的金属环填充的通孔。其制造方法为：1)在衬底的...

本发明公开了一种淀粉和聚己内酯共混物及其制备方法和作为固体碳源在去除水中硝酸盐的应用。该制备方法是以淀粉和聚己内酯为原料，添加增塑剂等助剂，经搅拌混匀后，用双螺杆挤出机一次性挤出，造粒，即得产品。该淀粉/聚己内酯共混物可以同时作为水处理...

本发明公开了一种破碎稀土-铁型合金的方法，首先将稀土-铁型合金在氨气中于400-700℃热处理1-20小时，其中氨气压强为1-20大气压，所述稀土-铁型合金至少在一个维度上的尺寸小于5mm；然后将氨气处理后的合金在惰性气体或真空环境中室...

本发明公开了一种中子屏蔽材料及其制作方法，属于中子防护领域。本发明的中子屏蔽材料包括硼砂、水玻璃、氟硅酸钠；其中，硼砂、水玻璃、氟硅酸钠的重量份数的配比为100∶m∶n；m取值为50～70，n取值为5～15。本发明的方法为：1)取设定份...

本发明提供了非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括硅晶圆，硅晶圆具有相对的第一表面和第二表面；硅晶圆第一表面上设有红外焦平面敏感元件阵列，第二表面上设有红外焦平面敏感元件阵列的信号处理电路，硅晶...

本发明公开了一种用于肝脏疾病的早期诊断或者病情发展、预后判断的微小核酸标志物，具体来讲该标志物为microRNA-122。本发明还公开了一种肝脏疾病的诊断方法，包含以下步骤：a)测定人类来源的被检测样本和参考样本中microRNA-12...

本发明涉及半导体传感器领域，公开了一种半导体辐射敏感装置及其制作方法，该装置包括至少一个辐射敏感单元，辐射敏感单元包括：第一基体、第一柱状电极和第二柱状电极；第一基体包含第一表面和第二表面；第一柱状电极包含第一金属柱和环绕第一金属柱的N...

本发明公布了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。所述晶体管包括：半导体衬底；第一沟道区和第二沟道区；第一栅叠层区；第二栅叠层区；第一源区；漏区；第二源区；第一栅叠层区中的第一导电层和第二栅叠层区中的第二导电层在沟道区外相连接，构成叉指栅；...

本发明提供了一种基于云计算的互联网应用调度方法，包括步骤：1)安装于应用服务器前端的调度器监控应用服务器的配置信息，各服务器上应用的需求，以及上一时刻和当前时刻的用户请求数；各应用所有实例的运行信息；2)当监测到应用发生变化，包括应用的...

本发明提供一种光刻掩膜版及其制备方法，该光刻掩膜版包括衬底，在衬底的一面附着有通过等离子加强化学气相淀积方法生长而成SiC薄膜，在SiC薄膜上具有光刻模版图形，位于光刻模版图形下的衬底部分被去除，使光刻模版图形区域悬空。该掩膜版的应力在...