本发明提供一种半导体锗基衬底材料及其制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明在半导体基片上形成一多孔层，在多孔层上设置半导体锗片，形成多孔层上半导体锗基衬底材料。本发明利用多孔层的低介电常数，在多孔层上形成半导体锗基衬底材料，...

本发明提供一种制备LED器件出光结构的方法，属于LED器件的制备技术领域。该方法具体是，在图形的蓝宝石衬底(PSS)上生长GaN外延片，然后使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的光斑对PSS蓝宝石衬底进...

本发明公开了一种无线广播数据包丢失原因检测及速率自适应方法及系统，属于无线网络传输技术领域。现有技术中，存在难以确定导致丢包的原因和没有充分利用无线设备支持多速率的特性等技术问题。本发明主要根据RSSI和PER进行冲突检测，确定导致丢包...

本发明属于染料敏化太阳能电池生产工艺技术领域，尤其涉及一种用于染料敏化太阳能电池的真空自动封装方法。该方法中，采用丝网印刷的方法制备TiO2薄膜，采用自动涂胶设备形成封装胶所需图形并进行预固化，将电解液利用自动滴注装置滴注到封装胶构成的...

本发明提供了一种多平面镜反折射系统的平面镜夹角测量方法。本发明的技术方案为：利用多平面镜和单目摄像机，搭建数据采集系统，调整真实摄像机的拍摄角度和光圈，对拍摄区域的物体进行数据采集；采用阈值法取得标志点，应用区域填空法得到标志点的中心位...

本发明公布了一种利用直流源测试不同材料间边界热阻的方法，具体包括：构建一种特殊的测试结构；通过直流方法测出测试结构中样品2(Y2)和样品1(Y1)的整体热阻之差；计算材料A和材料B之间的边界热阻；改变输入直流电源的输入功率，重复上述步骤...

本发明提供了一种用泡沫向被污染包气带输送纳米粒子类修复物质的方法，属于土壤修复方法研究领域。该方法首先配置纳米粒子类修复物质和表面活性剂的水溶液，在上述溶液中通入气体，通过调节通入气体的流量，得到所需干度的泡沫；然后将产生的泡沫输入到被...

本发明提供一种用于卫星移动通信的上行信号定时同步预测补偿方法。地面终端向卫星端发送上行信号，经过卫星转发到信关站；信关站对其定时同步偏差值进行检测，并根据本次检测以及历史检测结果，选择合理的预测算法对下一轮检测周期之内由于终端运动所即将...

本发明不但可以处理汽车尾气，还可以用于处理其他废气，应用范围大大拓宽。本发明公开了一种基于等离子体实现光催化的尾气净化装置，利用等离子体与二氧化钛催化作用结合的方法处理汽车尾气，二氧化钛既作为一种绝缘介质产生等离子体，又借助等离子体产生...

本发明涉及一种等离子体发生装置，目的在于可以进入口腔中利用低温等离子体清除牙根管中生物膜。本发明环形高压电级紧贴介质管外壁且被绝缘保护圈紧贴，电源连接环形高压电级，介质管为空心管并且一端与工作气体连通，另一端弯曲以方便在口腔中处理牙齿；...

本发明提供一种锗基NMOS器件及其制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。该锗基NMOS器件的金属源、漏和衬底之间插入两层绝缘介质材料，底层介质采用氧化铪、氮化硅或铪硅氧等高钉扎系数S介质材料；而上层介质采用二氧化钛...

本发明提供一种锗基NMOS器件结构及其制备方法。该方法在源、漏区与衬底之间淀积了二氧化锗(GeO2)和金属氧化物双层介质材料。本发明不但降低了锗基肖特基NMOS源漏处电子的势垒高度，改善了锗基肖特基晶体管的电流开关比，提升了锗基肖特基N...

本发明提供一种GeOI衬底制备方法，属于新型半导体材料器件领域。该GeOI衬底制备方法在制备GeOI衬底的同时，利用注入氟离子的SiO2，实现了锗与埋氧层界面的钝化处理，减少界面态密度，有利于提高GeOI衬底的背界面质量。并降低埋氧化层...

本发明公开了一种利用电流镜的电源钳位ESD保护电路，涉及集成电路芯片静电放电保护技术领域，包括：依次连接的电容-电阻模块(1)、钳位晶体管开启模块(2)和钳位晶体管(4)，还包括：钳位晶体管关断模块(3)，分别与所述电容-电阻模块(1)...

本发明涉及半导体集成芯片的静电放电保护技术领域，特别涉及一种低漏电型电源钳位ESD保护电路，包括：电源管脚、接地管脚、电阻-电容模块(210)、触发模块(220)、偏置模块(230)和钳位模块(240)。本发明通过设置偏置模块，使得电阻...

本发明涉及一种扩展构件运行支撑平台中EJB容器的方法。首先生成一树形元数据模型，其根节点为包含EJB基本属性的元数据基类，将包含新语义的元数据作为该元数据模型树的子节点，其中子节点的元数据继承并扩展了上述基类；然后对上述元数据及其注释进...

本实用新型是一种高真空高功率射频耦合器，属于粒子加速器微波、高频技术领域。本实用新型包括内环和外环、与内环上端相连接的内导体、与外环上端相连接的接管、布置在内环和外环之间的对内导体起支撑作用的绝缘环、以及磁耦合环。外环和接管之间通过连接...

本发明公开了具有抗血栓活性的通式II化合物，其制备方法以及它们作为抗血栓剂的应用。本发明采用大鼠颈动静脉旁路插管血栓模型上评价了通式II化合物的抗血栓活性，实验结果表明，本发明通式II化合物具有优秀的抗血栓活性，临床上可作为抗血栓剂应用。

本发明提供了一种GaN衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底(如Si，蓝宝石，SiC等)外延生长表面上形成一过渡层，该过渡层为含有碳纳米管的InN、高In组分InGaN材料或GaAs等材料层，随后...

本发明提供了基因EIN3和EIL1在促进植物根毛发育中的应用，其是通过基因工程的方法在植物中过表达基因EIN3和EIL1。通过对基因EIN3和EIL1在模式植物拟南芥中分子生物学机理的研究，发现在植物中过表达基因EIN3和EIL1能够提...