本发明提供一种基于缓冲溶液体系制备富锂材料表面修饰层的方法，包括如下步骤：将富锂材料过筛后加入pH值为5.7～7.0的缓冲溶液中进行反应，反应时间为1～5天；对反应所得产物依次进行洗涤、抽滤和干燥处理，制得经表面修饰的富锂材料。本发明通...

本发明涉及微纳加工领域，特别涉及一种基于柔性衬底的带磁芯的折叠螺旋电感的制备方法。通过平面电感的制备方法和折叠相结合得到的折叠螺旋电感，和折叠之前相比，性能有明显提升；和传统工艺制备的三维立体电感相比，具有工艺步骤简单，成本低的优点。利...

本发明公布了一种基于多边形检测的漫画图像版面理解系统和方法。该方法可以自动识别出组成分镜边框的多边形，并且根据识别出的多边形之间的几何位置关系判断分镜之间的阅读顺序，从而完成漫画版面理解。通过对于用户输入的漫画图像进行自动分析，从而获取...

本发明涉及数字版权保护技术领域，尤其涉及一种安全共享数字内容的方法、系统及设备，用于解决如何安全地扩展数字内容的共享范围的问题。该方法包括：第二设备向拥有数字内容的第一设备发送预先设置的第一内容共享信任度；所述第一内容共享信任度表示第二...

本发明公开了一种基于AOP技术缓存函数执行结果的方法及系统，该方法及系统利用Spring开发框架提供的AOP功能实现，在需要缓存执行结果的业务逻辑处理函数前后执行Spring?AOP的缓存处理通知，拦截被执行的业务逻辑处理函数，将业务逻...

本发明提供了一种用于场发射的二氧化钛纳米尖阵列薄膜的制备方法，其步骤主要包括：首先将摆洗好的钛片进行第一次阳极氧化，完毕之后，利用超声去掉附着在钛片上的二氧化钛纳米管薄膜；然后，将钛片重新装入电极，进行第二次阳极氧化，完毕之后，取出钛片...

本发明的目的在于提供一种采用电镀来制备软磁材料铁镍合金阵列的方法，该方法采用特定的电镀液配方达到最优化的合金的比例，从而实现最好的软磁性能。可以在0.15μm的种子层上生长出高度均一的10μm-50μm的薄膜。并且具有工艺简单，易于实现...

本发明提供一种与转基因植物外源Bt蛋白相互作用的人类蛋白NDUFA10，所述人类蛋白NDUFA10的氨基酸序列如SEQ?ID?No.1所示，或该序列经替换、缺失或添加一个或几个氨基酸形成的具有同等功能的氨基酸序列。其是利用酵母双杂交的方...

本发明提供了一种视频码流错误隐藏方法，包括：利用视频序列的时间和空间相关性，恢复视频信息。本发明可用于视频码流宏块级的错误恢复。

本发明公开了一种帧内预测编解码方法及装置，该方法包括以下步骤：编码端，对于输入的一个帧内预测单元，根据设定的帧内预测方向，选择为执行该方向的帧内预测所需的参考像素；使用所述参考像素对所述的预测单元，按设定的预测方向进行预测，得到预测单元...

本发明公开了一种分布式、多层级应用系统标识信息的同步方法及系统，涉及分布式应用系统领域。该方法通过将新上线的新系统通过消息中间件的消息广播机制，将本地系统的标识信息广播发送到现有远程系统，现有远程系统收到新系统的标识信息后将其加入系统信...

本发明提出一种正交频分复用信号的高效调制、编码和组帧方法，以及采用该方法的正交频分复用系统。该方法采用前向纠错编码与自适应调制技术，发射机根据FEC码长和当前自适应调制方案调整OFDM信号若干子载波的调制格式阶数，使一个OFDM子帧正好...

本发明公开了一种制备去除表面生物分子的基于石墨烯电极的分子器件的方法。该方法包括下述步骤：1)制备石墨烯晶体管器件阵列；其中，所述石墨烯晶体管器件阵列中的导电沟道为石墨烯；在所述石墨烯上设有一个通道，所述通道上间隔设有长度为1-10nm...

本发明公开了一种带双扩散的条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管包括一个半导体衬底、一个高掺杂源区、一个高掺杂漏区、一个双扩散源区、一个栅介质层和一个控制栅，所述控制栅为...

本发明提供一种透射电镜样品承载装置，该装置包括承载部分和金属电极，所述承载部分上设置有通孔、卡槽、金属片/层等结构，可以承载大小和微栅大小相当，厚度在500um内的样品，在固定样品基片的同时，还能使检测探针从通孔处方便地移至样品边缘对样...

本发明公开了一种基于生物计量特征的防偷窥密码认证方法及系统，对用户在输入每位密码时的生物计量特征，即用户按压触屏的轻重程度进行认证；进一步可在用户输入每位密码之后，给用户以不易被窥视到的感觉反馈。本发明可以有效地防止偷窥,增强密码输入的...

一种软件可信度的定量计算方法，其包括：定义可信度、服务质量、质量属性、质量属性指标。通过把当前质量属性中包含的每个质量属性指标的实际取值对期望取值的满足程度进行加权求和，产生一个取值范围在[0，1]之间的反映当前质量属性的实际取值对期望...

本发明涉及一种基于CUDA并行环境的GPU并行程序优化方法，定义了GPU程序内核的性能瓶颈，根据级别包括全局储存器访问延迟、共享存储器访问冲突、指令流水线冲突、指令瓶颈。并为每个性能瓶颈提出实际可操作的判定标准和瓶颈优化解决方法：全局储...

本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器，包括设有四边形槽的基片，以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻，所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥，所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的晶向排列，另外两个相对的侧壁沿所述基片的晶向排列。其制作步骤为...

本发明涉及一种无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器，包括制作于基片上并构成惠斯通电桥的四组压敏电阻，其中两组相对的压敏电阻沿晶向排列，另外两组相对的压敏电阻沿晶向排列。其制作步骤为：在基片正面采用压敏电阻所需剂量的掺杂浓度进行P型离子...