本发明公开了一种Mg-Sr-Zn系合金及其制备方法。所述合金包括Mg、Sr和Zn；以重量百分比计，所述医用植入体中，Sr的含量为0~5%，但不为零，Zn的含量为0~2%，但不为零，余量为Mg。将所述Mg、Sr、Zn和微量元素按照下述1）...

本发明公开了一种Mg-Ge系镁合金及其制备方法。所述镁合金包括Mg和Ge；以重量百分比计，所述镁合金中，Ge的含量为0~5%，但不为零。所述的镁合金的制备方法，包括如下步骤：将所述Mg、Ge、Ca、Zn和微量元素按照下述1）~6）中任一...

本发明公开了一种Mg-Li系镁合金及其制备方法。所述镁合金包括Mg和Li；以重量百分比计，所述镁合金中，Li的含量为0~10%，但不为零，余量为Mg。所述的镁合金的制备方法，包括如下步骤：将下述1）~6）中任一种物料添加到熔融的Mg中得...

本发明涉及一株兼具异养硝化-好氧反硝化与除磷功能的喹啉降解菌QG6及其应用。本发明的喹啉降解菌属于假单胞菌（Pseudomonas?sp.），命名为QG6。该菌株可以利用喹啉作为唯一碳源、氮源和能源进行生长繁殖，能将100mg/L和15...

本发明公开了一种三苯基膦-聚乙二醇1000维生素E琥珀酸酯（TPGS1000-TPP）共轭化合物及其制备方法与应用。该化合物的结构式如式I所示。该共轭化合物的制备方法，包括如下步骤：（1）三苯基膦与6-溴己酸进行反应得到式IV所示5-羧...

本发明是四氢叶酸类似物的一种合成新方法。主要解决目前的合成方法中反应条件不易控制、生成副产物多的问题。本发明采用5-氨基尿嘧啶或2，4，5，6-四氨基嘧啶、2，5，6-三氨基-4-羟基嘧啶为起始原料，经过环合、氧化、氯化、氨解、催化氢化...

本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法。本发明采用倾斜角度注入的方法，在悬臂梁的垂直的侧面上加工压敏电阻，在垂直的侧面和水平的正面上形成一体的压敏电阻，从而能够同时测量垂直方向和水平方向的压力。本发明的方法制备的压力传感器...

本发明涉及一种利用视觉信息监测人体生理指标的方法和系统。所述方法包括以下步骤：通过采集装置采集待测对象的视觉信息并存储数据；对所选取的视觉信息进行处理；对上述处理结果进行分析以提取人体生理指标；对所提取的生理指标返回显示。所述的系统包括...

本申请提供了一种脑电控制摄像照相装置，涉及摄像照相技术领域。本申请包括载体、摄像头、脑电传感器，处理器和存储器；所述载体包括与人眼方向一致的前框和用于将装置固定在人头部的框架，摄像头设在所述前框上，脑电传感器设在所述载体上，处理器分别与...

本发明公布了一种对称多层多频段天线罩结构及制备方法。所述的对称多层天线罩结构，其非中间介电层的介电常数和厚度按照四分之一波长匹配层设计，这种结构的设计方法简单，容易实现多频段透波功能。结构的电信设计频率可以任意选取，其通频带的中心频率为...

本发明公开了一种阻变存储器交叉阵列结构及其制备方法。该结构包括：衬底，衬底上的衬底隔离层，衬底隔离层上方间隔排列的由金属层和隔离层重复叠加组成的条形结构，垂直于衬底隔离层和条形结构的间隔排列的金属柱，所述金属柱与衬底隔离层和条形结构之间...

本发明提供一种获取图像的紧凑全局特征描述子的方法及图像检索方法，其中，该方法包括：获取图像的至少一个局部特征描述子，从所有的局部特征描述子中选取一个或多个局部特征描述子，将所选取的局部特征描述子进行降维，获得降维后的局部特征描述子；根据...

本发明涉及一种基于字符特征结构的文本水印嵌入和提取方法，其步骤包括：1）根据使用词频建立字符对象集合，修改所述字符对象的特征点，得到一新字库文件；2）在计算机终端安装新字库文件并进行文本打印，在文本打印输出时，截获文本内容数据并解析出字...

本发明公开了一种基于智能移动终端设备的多人在线交互方法与系统，本方法为：1）启动游戏服务器，用户通过智能移动终端上的客户端加入服务器并建立无线双向通信连接；2）当参与同一服务器的用户全部加入后开始游戏；3）智能移动终端在游戏进行过程中仅...

本发明涉及一种施加垂直于悬臂梁的作用力的方法和装置，通过探针台探针向具有曲面探针头的片上力学微探针施加负载力；片上力学微探针通过曲面探针头向悬臂梁施加作用力，同时该片上力学微探针进行转动以使该悬臂梁在弯曲过程中受到的作用力始终垂直于该悬...

本发明公开了一种超高温压痕载荷-位移曲线测试装置及方法。将待测超高温材料试件置于高温炉内的试件加载平台上；加载杆的一端与位于高温炉外的加载装置连接，另一端具有压头，伸入到高温炉内接触试件；在高温炉上装配有用于测量炉内加载杆位移的超高温引...

本发明公开了具有MEK抑制功能的化合物及其制备方法与应用。本发明化合物，结构如式I。本发明化合物的制备，主要采用Pechmann反应形成香豆素环，再进行不同位点的结构修饰。本发明化合物与MEK的结合实验中，结合活性最高达到54.57nM...

本发明提供了一种耐2000度氧化环境的超高温电致热陶瓷发热体制造工艺方法，该方法利用冷等静压成型-无压烧结技术制备梯度结构的ZrB2基复合材料发热体。首先，将陶瓷发热体的加热端、过渡段和冷端按照不同体积比的ZrB2、SiC和石墨等粉体配...

本发明公开了一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法。本发明采用先在半导体晶片上旋涂BCB胶及软烘，然后旋涂一定厚度的光刻胶，之后利用光刻胶作为掩膜分别刻蚀BCB胶和微空腔，最后将具有微空腔的半导体晶片与MEMS器件的器件晶片进行对准键...

一种亲疏水性可调谐柔性碳化硅薄膜制备方法，采用优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，无需掩膜实现高密度纳米碳化硅球状阵列，极大增大表面面积体积比；同时由于优化DRIE工艺中钝化步骤在表面淀积的氟碳聚合物，极大降低表面能，则所制备碳化硅材料...