本发明公开一种实时确定牺牲层腐蚀时间的方法，其步骤包括：采用表面牺牲层工艺在基片上制作牺牲层和MEMS器件的结构层；在所述结构层上淀积金属层；湿法腐蚀所述牺牲层，通过观测所述金属层中金属的脱落情况确定腐蚀完成时间。本发明可以通过肉眼观测...

本发明公开一种用于实时确定牺牲层腐蚀时间的测试结构，包括自下而上排列的牺牲层、MEMS结构层和金属层；所述金属层中的金属在所述牺牲层腐蚀完成时发生脱落。该测试结构使用双材料梁作为敏感原件，测试单元优选按照阵列方式排列，以提高整个在线测试...

本发明提供了一种以固定的纳米材料微球作基底的DNA或RNA合成装置，包括供液装置和基片；其中，基片上设有通孔阵列，纳米材料微球固定于各孔中，所述纳米材料微球经表面化学修饰后作为DNA或RNA合成的基底材料，将脱氧核糖核苷酸或核糖核苷酸单...

本发明公开了一种全降解心血管支架用铁基复合材料及其制备方法。所述铁基复合材料包括Fe和W、Fe2O3、FeS和碳纳米管中任一种；以重量百分比计，所述铁基复合材料中，W、Fe2O3、FeS和碳纳米管中任一种的含量为0~10%，但不为零。所...

本实用新型公开了一种电磁智能材料力电磁耦合行为的鼓泡实验装置。本装置包括：计算机、驱动系统、微型油压泵、油压鼓泡装置、油管、薄膜样品、光学测试系统、数据采集处理器、电场加载及电学量测试系统、磁场加载及标定系统、以及磁学量测试系统；其中，...

本实用新型公开了一种基于磁性纳米粒子的旋磁治疗系统。本实用新型的治疗系统包括：磁性纳米粒子、n组磁场加载系统、治疗床和机架；其中，治疗床水平放置；磁性纳米粒子注入至放置在治疗床上的被治疗体内；n组磁场加载系统相对或围绕着治疗床安装在机架...

本发明公开了一种消息中间件的数据打包传输方法和系统，涉及数据通讯领域。该方法首先通过消息发送装置将要发送的消息体和附件打包成消息文件，在打包过程中，文件格式识别模块判断被打包的附件是否为压缩格式，若是则直接将其打包进消息文件；若否则将其...

本发明提供了一种消息路由的方法和装置，主要用以解决现有技术中路由表可读性差的问题。该方法包括：在数据交换服务器收到待路由的消息的属性后，按照路由规则，在XML文件中记录待路由的消息中的各个数据包与该数据包的接收端之间的对应关系；确认数据...

本发明公开了一种调制掺杂石墨烯pn结及其制备方法。所述调制掺杂石墨烯pn结是按照包括下述步骤的方法制备得到的：1)对铜箔基底进行退火处理；2)在铜箔表面以甲烷为碳源生长亚单层本征石墨烯孤立；3)使用惰性气体清理生长体系；4)以乙腈蒸汽为...

本发明涉及结构新颖的含有环丁烷二聚体骨架的天然产物角蒿酯碱的类似物，包括通式I化合物和通式II化合物及其可药用盐，以及它们的制备方法和它们在镇痛药物中的用途。通式I其中：R1为氢或各种烷基取代基或各种酰基取代基或各种芳基，如甲基、乙基、...

本发明公开了一种基于等离子体窗无窗密封的液态金属散裂中子靶装置。本发明的液态金属散裂中子靶装置包括：等离子体窗和液态金属靶；等离子体窗设置在液态金属靶的前端；其中，液态金属靶进一步包括：液体容器，内部装有液态金属靶材料；在液体容器的内部...

本发明涉及一种OFDM系统中频偏和时偏的联合估计方法，其步骤包括：1）在接收端计算出去除调制信息后的子载波间相邻两个载波相位值；2）根据任意相邻两个子载波上的相位值计算出相位旋转得到集合一，在集合一中筛选出多个相位值并求和，得到第一相位...

本发明公开了一种条形栅调制型隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该隧穿场效应晶体管包括一个控制栅，一个栅介质层，一个半导体衬底，一个高掺杂源区和一个高掺杂漏区，所述高掺杂...

本发明提供了一种在常温到1800度温度范围的超高温氧化气氛下测试高温材料的拉伸、压缩、弯曲、断裂韧性、剪切强度和变形的力学性能测试装置。实验装置由控制电柜、加载夹具、载荷控制与变形传感测量系统、炉体、非接触变形测量系统、显示记录系统等组...

本发明涉及一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，该MEMS压阻式压力传感器包括应变膜和压敏电阻，应变膜的正面边缘分布有岛结构，压敏电阻位于所述岛结构上。在制备时基片正面岛结构的制作在背腔各向异性腐蚀之前，避免正面制作岛结构时应变膜出...

本发明涉及磁性复合砷吸附剂的制备方法及其应用，该方法，包括如下顺序的四个步骤：磁性纳米颗粒的制备；在磁性纳米颗粒表面通过非均相成核过程包覆铁和锰的氢氧化物沉淀；氧化已包覆的锰；脱水和干燥，即得到包覆无定形铁锰复合氧化物的磁性复合砷吸附剂...

本发明公布了一种基于压电悬臂梁接触振动的浅表组织弹性成像系统及成像方法。本系统通过测得的压电探测梁接触共振频率，计算得待测组织或器官的弹性模量，形成弹性模量分布图像，进而对待测目标的刚度和健康状态做出定量的评价。本发明适用于表层组织的弹...

本发明公开了一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括：衬底、埋氧层、半导体体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙、轻掺杂漏LDD区以及防泄漏区；防泄漏区凹陷在埋氧层内，并且位于半导体体区之下。本发明光刻SO...

本发明公开了一种可延长接触时间的微冲击开关及其制备方法。本发明的微冲击开关包括：可动电极和固定电极；可动电极进一步包括质量块、质量块弹簧、第一锚点和触点；固定电极包括第二锚点和悬臂梁。本发明的微冲击开关，固定电极采用多对悬臂梁，降低了固...

本发明公开了一种硅通孔超薄晶圆测试结构及测试方法。该测试结构包括一带有重新布线层的转接板，该转接板的表面设有用于与待测试的带有硅通孔的超薄晶圆形成电学连接的键合结构。将待测试的带有硅通孔的超薄晶圆与带有重新布线层的转接板通过临时键合形成...