【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种MEMS压阻式压力传感器，包括应变膜和压敏电阻，其特征在于，所述应变膜的正面边缘分布有岛结构，所述压敏电阻位于所述岛结构上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄贤，张大成，赵丹淇，何军，杨芳，田大宇，刘鹏，王玮，李婷，罗葵，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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