【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种亲疏水性可调谐柔性碳化硅薄膜制备方法，其特征是：采用优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，无需掩膜实现高密度纳米碳化硅球状阵列，极大增大表面面积体积比；同时由于优化DRIE工艺中钝化步骤在表面淀积的氟碳聚合物，极大降低表面能，则所制备碳化硅材料具有超疏水特性，静态接触角CA>160°；再通过强碱性溶液腐蚀去除硅基底，则能够实现柔性碳化硅薄膜；且由于强碱性溶液腐蚀去除表面聚合物钝化层，形成裸露高密度碳化硅尖端阵列，则所制备柔性碳化硅薄膜具有超亲水特性，静态接触角CA<1°。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张海霞，张晓升，孟博，朱福运，唐伟，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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