一种用于场发射的二氧化钛纳米尖阵列薄膜的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种用于场发射的二氧化钛纳米尖阵列薄膜的制备方法，其步骤主要包括：首先将摆洗好的钛片进行第一次阳极氧化，完毕之后，利用超声去掉附着在钛片上的二氧化钛纳米管薄膜；然后，将钛片重新装入电极，进行第二次阳极氧化，完毕之后，取出钛片进行摆洗；最后即可获得二氧化钛纳米尖阵列薄膜。本发明专利技术的方法实现了适合于场发射的二氧化钛纳米尖阵列的制备。与传统的微电子场发射针尖阵列相比，本发明专利技术方法简单，制备参数容易控制，而且阵列的尖端比较尖锐，有利于场发射的获得。而且，经高温退火后的二氧化钛纳米尖阵列薄膜，具有更低的开启与阈值场强，特别是在450℃下退火的样品具有最小的开启与阈值场强，场发射性能明显提高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于场发射的二氧化钛纳米尖阵列薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)以钛片作为正极，在电解液中进行第一次阳极氧化；2)步骤1)完毕之后，将钛片从溶液中取出，去除钛片上的纳米管薄膜；3)以步骤2)中的钛片为正极，在电解液中进行第二次阳极氧化；4)步骤3)完毕之后，将钛片从溶液中取出，摆洗干净，得到二氧化钛纳米尖阵列薄膜；5)将步骤4)得到的二氧化钛纳米尖薄膜进行退火处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁佳，张耿民，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：