【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，包括制作于基片上并构成惠斯通电桥的四组压敏电阻，其中两组相对的压敏电阻沿基片的晶向排列，另外两组相对的压敏电阻沿基片的晶向排列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄贤，张大成，赵丹淇，林琛，何军，杨芳，田大宇，刘鹏，王玮，李婷，罗葵，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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