为了例如从金属电镀电解液再生废流体中达到高效率，提供一种用以从包含该回收性材料的回收性流体回收该回收性材料的装置和方法，其中所述装置包括至少一个容器C，所述至少一个容器C包括至少一种吸着材料，所述至少一种吸着材料在至少一个容器C中形成至...

一种用于铜的电解沉积的水性酸浴，其包括至少一种铜离子源、至少一种酸、至少一种增亮剂化合物、至少一种卤离子源和至少一种用作铜沉积的平整剂的物质，其中至少一种平整剂是钌化合物，并且涉及一种用于铜的电解沉积的方法，特别是用于在半导体晶片、印刷...

本发明公开了一种锌-铁合金层材料，其具有体心立方晶体结构，该晶体结构具有Γ-相、(330)织构，以及含量为12～20wt％的铁，其从碱性电镀水溶液中沉积出来。所述锌合金层材料为金属基体提供较高的防腐蚀性，具有高硬度和光亮的外观。

本发明公开了一种自催化镀锡液，所述镀锡液含有Sn2+离子、作为还原剂的Ti3+离子、有机络合剂、以及作为稳定剂的菲咯啉或其衍生物。所述镀液适于印刷电路板、IC基底的制造和半导体晶片的金属化。

本发明涉及预处理铜表面的预处理溶液，以及预处理铜表面以使其与塑料基材形成牢固粘合的方法。所述溶液包含：a）过氧化氢，b）至少一种酸，及c）至少一种含氮的五元杂环化合物，及d）额外的至少一种选自以下组中的含氮的粘着促进化合物，所述组包括或...

本发明的实施方式通常涉及处理金属表面以增强与基材的粘附或者结合的方法，以及由此形成的器件。在本发明的一些实施方式中，提供了实现增加的结合强度而没有使金属表面的形貌变粗糙的方法。通过该方法获得的金属表面提供了与树脂层的强结合。处理的金属和...

就简化浴的加工而言，提议了一种用于将第一金属的涂层沉积在暴露第二金属的工件12上的方法，该方法包括以下方法步骤：a)提供含浴组分的浴液16，该浴组分包含待沉积的第一金属的离子、至少一种用于第二金属的络合剂、及至少一种酸，b)将得自浴液1...

在电解金属镀层系统中利用包括氧化还原中介物的电解池在硅衬底的高深宽比孔中电沉积金属以形成硅通孔（TSV）的方法，该电解金属镀层系统包括卡盘和温度控制装置，该卡盘适用于夹持该硅衬底并将该硅衬底加热至第一温度，该温度控制装置用于将电解池的温...

本发明提供以下方法以便在具有不同塑料的物体7上要被金属化的表面区域的金属化过程中改进选择性同时使得不要被金属化的区域不被金属化：A)用蚀刻溶液蚀刻所述物体7；B)用胶体溶液或金属化合物的溶液处理所述物体7，所述金属是元素周期表的第VII...

用于钝化基材上气相沉积的铝层的方法，包括：提供基材，其表面上包含气相沉积的铝；用包含六氟锆酸盐的、水性的、基本不含铬的组合物处理所述基材的表面；以及用水淋洗所述处理的表面。用于钝化基材上气相沉积的铝层的方法，包括：在基材上气相沉积铝层；...

为了防止电渗析装置中的生物污染，发明了膜电解堆叠体和包括该膜电解堆叠体的电渗析装置。所述电渗析装置优选用于无电镀浴，例如镍镀浴的再生。它包括至少一个阳极An和至少一个阴极Ca、以及在阳极An和阴极Ca之间设置的膜电解堆叠体，每个膜电解堆...

本发明涉及一种用于对待处理材料(10)特别是待处理的扁平材料(10)进行湿化学处理的装置(1)，所述装置(1)包括用于用处理液(9)处理待处理材料(10)的处理容器(2)、用于将待处理材料(10)运送通过处理容器(2)的运送装置(24)...

本发明提供一种用于镁和镁合金基材浸锌的改善的组合物和工艺。还提供一种含水浸锌组合物，其pH为约8至约11且包含锌离子、配位剂、氟离子和还原剂。还提供一种用于镁或镁合金基材浸锌的非电解工艺，其包括将所述基材浸泡在非电解含水浸锌组合物中一段...

为了将处理液(21)从在用于对处理物(10)以电解或湿化学方式进行处理的设备中输送的平面处理物(10)去除，或者为了促进处理物(10)的表面上的物质交换，辊设置有辊表面(4，14)。辊表面(4，14)相对于处理物(10)的输送路径设置，...

为了将处理液(21)从在用于对处理物(10)湿化学处理的设备中输送的平面处理物(10)去除，设置用于止回处理液(21)的止回面(4，14)。止回面(4，14)相对于处理物(10)的输送路径设置，使得在处理物(10)经过止回面(4，14)...

为了在对扁平的待处理材料(21)进行化学和/或电化学处理的设施中输送所述材料，在所述设施内，在输送平面内沿输送方向(5)输送待处理材料(21)，将保持装置(22、25)附接于所述待处理材料(21)。保持装置(22、25)于待处理材料(2...

为了能够在介电质基板上制造高密度电路，其中该电路的导体线对该介电质基板表面具有良好的粘附性，本发明提供一种方法，其包含下述的方法步骤：(a)提供具有两侧的辅助基板，该两侧中至少一侧具有导电表面；(b)利用至少一剥离层形成化合物处理该至少...

一种在硅衬底中的通孔中电沉积高纯度铜以形成穿硅通孔（ＴＳＶ）的工艺，包括：将所述硅衬底浸入电解铜镀层系统中的电解池中，其中所述电解池包括酸、铜离子源、亚铁和／或正铁离子源以及用于控制所沉积的铜的物理机械特性的至少一种添加剂；以及施加电压...

为了快速且可靠地确定金属涂层的质量以及用于沉积金属的电解液的质量，特别用于镍电解沉积，例如半－光泽镍及光亮镍的沉积，提供一种检查金属涂层的方法，包括下列方法步骤：（ａ）将金属涂层从沉积电解液沉积到工作电极上；（ｂ）通过相对于反电极对所述...

本发明描述了在衬底上形成焊料沉积物的方法，其包括如下步骤：ｉ）提供包括具有电路的表面的衬底，其包括至少一个接触区域，ｉｉ）形成置于所述衬底表面上的阻焊层，并将其图案化以暴露出所述至少一个接触区域，ｉｉｉ）使包括所述阻焊层和所述至少一个接...