【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件,包括:衬底;浅沟槽隔离,嵌于所述衬底中,且形成至少一个开口区;沟道区,位于所述开口区内;栅堆叠,包括栅介质层和栅电极层,位于所述沟道区上方;源漏区,位于所述沟道区的两侧,包括为所述沟道区提供应变的应力层;其中,所述浅沟槽隔离和所述应力层之间具有衬垫层,作为所述应力层的晶种层;以及,所述衬底与所述浅沟槽隔离之间具有衬垫层和垫氧化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:王桂磊,崔虎山,赵超,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:
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