锗硅HBT器件及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种锗硅HBT，在有源区周侧的浅沟槽由上下相连的第一浅沟槽和第二浅沟槽组成，第二浅沟槽位于第一浅沟槽的底部、且第二浅沟槽的宽度小于第一浅沟槽的宽度，在第二浅沟槽的底部和侧部的硅衬底中形成有由第一N型离子注入区组成的赝埋层；赝埋层和集电区在第二浅沟槽的底部和侧部相接触并作为集电极连接层；在赝埋层顶部的浅槽场氧中形成有深孔接触，深孔接触和赝埋层接触并引出集电极。本发明专利技术还公开了一种锗硅HBT的制造方法。本发明专利技术能提高集电极连接层的厚度、使其杂质分布均匀，能降低集电极连接层电阻和接触电阻且使阻值均匀，从而能提高锗硅HBT的截止频率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种锗硅异质结双极晶体管(HBT)器件；本专利技术还涉及一种锗硅HBT器件的制造方法。
技术介绍
在射频应用中，需要越来越高的器件特征频率，RFCMOS虽然在先进的工艺技术中可实现较高频率，但还是难以完全满足射频要求，如很难实现40GHz以上的特征频率，而且先进工艺的研发成本也是非常高；化合物半导体可实现非常高的特征频率器件，但由于材料成本高、尺寸小的缺点，加上大多数化合物半导体有毒，限制了其应用。锗硅(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)则是超高频器件的很好选择，首先其利用SiGe与硅(Si)的能带差别，提高发射区的载流子注入效率，增大器件的电流放大倍数；其次利用SiGe基区的高掺杂，降低基区电阻，提高特征频率；另外SiGe工艺基本与硅工艺相兼容，因此SiGe HBT已经成为超高频器件的主力军。现有SiGe HBT采用高·掺杂的集电区埋层，以降低集电区电阻，采用高浓度高能量N型注入，连接集电区埋层，形成集电极引出端(collector pick-up)。集电区埋层上外延中低掺杂的集电区，在位P型掺杂的SiGe外延形成基区，然后重N型掺杂多晶硅构成发射极，最终完成HBT的制作。在发射区窗口打开时可选择中心集电区局部离子注入，调节HBT的击穿电压和特征频率。另外采用深槽隔离降低集电区和衬底之间的寄生电容，改善HBT的频率特性。该器件工艺成熟可靠，但主要缺点有1、集电区外延成本高；2、collector pick-up的形成靠高剂量、大能量的离子注入，才能将集电区埋层引出，因此所占器件面积很大；3、深槽隔离工艺复杂，而且成本较高；4、HBT工艺的光刻层数较多。现有一种改进的低成本的独特SiGe HBT工艺不做集电区埋层和集电区外延层，取而代之的是制作N型膺埋层(Pseudo Buried Layer)和掺杂集电区。在HBT两侧的浅槽隔离高剂量、低能量地注入N型杂质，通过N型杂质的横向扩散，形成埋层。不再通过高浓度高能量N型注入制作集电极引出端，而是通过在浅槽场氧中刻出深阱接触孔，填入Ti/TiN过渡金属层以及金属W，接触膺埋层，实现集电极的引出。现有的改进工艺也存在一些问题，如低能量地N型杂质注入形成的结较浅，导致N型膺埋层(Pseudo Buried Layer)的厚度较薄,集电极连接层电阻(Re)就相对高,且接触电阻偏大，造成截止频率(Ft)较难提高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种锗硅HBT器件，能降低集电极连接层电阻，以及降低集电极的接触电阻且能使接触电阻的阻值均匀，从而能较大提高器件的截止频率。本专利技术还提供一种锗硅HBT器件的制造方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种锗硅HBT器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，所述锗硅HBT器件的集电区由形成于所述有源区中的一 N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述集电区横向延伸进入所述有源区两侧的浅槽场氧底部。所述浅槽场氧填充于浅沟槽中，所述浅沟槽由上下相连的第一浅沟槽和第二浅沟槽组成，所述第二浅沟槽位于所述第一浅沟槽的底部、且所述第二浅沟槽的宽度小于所述第一浅沟槽的宽度，在所述第二浅沟槽的底部和侧部的所述硅衬底中形成有由第一 N型离子注入区组成的赝埋层，所述赝埋层作为集电极连接层、且所述赝埋层和所述集电区在所述第二浅沟槽的底部和侧部相接触，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触，所述深孔接触和所述赝埋层接触并引出集电极。进一步的改进是，所述第一浅沟槽的深度为O. 2微米 O. 3微米，所述第二浅沟槽的深度为O. 05微米 O. 3微米，组成的所述浅沟槽的总深度为O. 3微米 O. 5微米。进一步的改进是，所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽的侧壁都为倾斜结构，且所述第一浅沟槽的侧壁的斜度为70度 87度、所述第二浅沟槽的侧壁的斜度为70度 84度。进一步的改进是，所述锗硅HBT器件的基区由形成于所述硅衬底上的P型锗硅外延层组成，包括一本征基区和一外基区；所述本征基区位于于所述有源区上部且和所述集电区形成接触，所述外基区位于所述浅槽场氧上部，在所述外基区的顶部形成有金属接触，该金属接触和所述外基区接触并引出基极。进一步的改进是，所述锗硅HBT器件的发射区由形成于所述本征基区上部的N型多晶硅组成，所述发射区和所述本征基区相接触，在所述发射区的顶部形成有金属接触，该金属接触和所述发射区接触并引出发射极。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种锗硅HBT器件的制造方法，包括如下步骤步骤一、在硅衬底上 形成硬掩模层，采用光刻刻蚀工艺对所述硬掩模层进行刻蚀形成浅沟槽和有源区的图形，其中所述有源区上被所述硬掩模层保护，所述浅沟槽上的所述硬掩模层被去除；以所述硬掩模层为掩模对所述硅衬底进行刻蚀形成第一浅沟槽。步骤二、在刻蚀形成所述第一浅沟槽后的所述硅衬底上淀积氧化膜，并对所述氧化膜进行刻蚀，将位于所述浅沟槽底部的所述氧化膜去除，在所述浅沟槽的侧壁表面形成由所述氧化膜组成的内壁。步骤三、利用所述硬掩模层和所述内壁做掩模，对所述硅衬底的整个表面进行全面刻蚀，将未被保护的所述第一浅沟槽底部的所述硅衬底去除一定厚度形成第二浅沟槽；形成的所述第二浅沟槽的宽度小于所述第一浅沟槽的宽度，由上下相连的所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽组成所述浅沟槽。步骤四、以所述硬掩模层和所述内壁为掩模，进行第一 N型离子注入在所述第二浅沟槽的底部和侧部的所述硅衬底中形成第一 N型离子注入区。步骤五、湿法去除所述有源区上的所述硬掩模层。步骤六、去除所述内壁，并在所述浅沟槽中填充浅槽场氧；在形成有所述浅槽场氧的所述硅衬底表面淀积一层基区氧化层，刻蚀所述基区氧化层将锗硅HBT器件的所述有源区打开，在所述有源区中进行磷离子注入；进行退火工艺，由所述磷离子注入的磷离子扩散形成集电区，所述第一N型离子注入区的N型杂质扩散形成赝埋层，所述赝埋层作为集电极连接层、且所述赝埋层和所述集电区在所述第二浅沟槽的底部和侧部相接触。进一步的改进是,还包括如下步骤步骤八、形成基区，在所述硅衬底上进行P型锗硅外延层生长形成，包括一本征基区和一外基区，所述本征基区形成于所述有源区上部且和所述集电区形成接触，所述外基区形成于所述浅槽场氧上部且用于形成基区电极。步骤九、形成发射区，在所述本征基区上部进行N型多晶硅生长形成所述发射区，所述发射区和所述本征基区形成接触。步骤十、在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成深孔接触，所述深孔接触和所述赝埋层接触并引出集电极；在所述外基区的顶部形成金属接触，该金属接触和所述外基区接触并引出基极；在所述发射区的顶部形成金属接触，该金属接触和所述发射区接触并引出发射极。进一步的改进是，所述第一浅沟槽的深度为O. 2微米 O. 3微米，所述第二浅沟槽的深度为O. 05微米 O. 3微米，组成的所述浅沟槽的总深度为O. 3微米 O. 5微米。进一步的改进是，所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽的侧壁都为倾斜结构，且所述第一浅沟槽的侧壁的斜度为70度 87度、所述第二浅沟槽的侧壁的斜度为70度 84度。进一步的改进是，步骤二中所述内壁的厚度为O. 05微米 O. 15微米。本专利技术器件通过形成第二浅沟槽并在所述第二浅沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锗硅HBT器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于：所述锗硅HBT器件的集电区由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述集电区横向延伸进入所述有源区两侧的浅槽场氧底部；所述浅槽场氧填充于浅沟槽中，所述浅沟槽由上下相连的第一浅沟槽和第二浅沟槽组成，所述第二浅沟槽位于所述第一浅沟槽的底部、且所述第二浅沟槽的宽度小于所述第一浅沟槽的宽度，在所述第二浅沟槽的底部和侧部的所述硅衬底中形成有由第一N型离子注入区组成的赝埋层，所述赝埋层作为集电极连接层、且所述赝埋层和所述集电区在所述第二浅沟槽的底部和侧部相接触，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触，所述深孔接触和所述赝埋层接触并引出集电极。

【技术特征摘要】
1.一种锗硅HBT器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于所述锗硅HBT器件的集电区由形成于所述有源区中的一 N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述浅槽场氧底部的深度、且所述集电区横向延伸进入所述有源区两侧的浅槽场氧底部; 所述浅槽场氧填充于浅沟槽中，所述浅沟槽由上下相连的第一浅沟槽和第二浅沟槽组成，所述第二浅沟槽位于所述第一浅沟槽的底部、且所述第二浅沟槽的宽度小于所述第一浅沟槽的宽度，在所述第二浅沟槽的底部和侧部的所述硅衬底中形成有由第一 N型离子注入区组成的赝埋层，所述赝埋层作为集电极连接层、且所述赝埋层和所述集电区在所述第二浅沟槽的底部和侧部相接触，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有深孔接触，所述深孔接触和所述赝埋层接触并引出集电极。2.如权利要求1所述的锗硅HBT器件，其特征在于所述第一浅沟槽的深度为O.2微米 O. 3微米，所述第二浅沟槽的深度为O. 05微米 O. 3微米，组成的所述浅沟槽的总深度为O. 3微米 O. 5微米。3.如权利要求1所述的锗硅HBT器件，其特征在于所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽的侧壁都为倾斜结构，且所述第一浅沟槽的侧壁的斜度为70度 87度、所述第二浅沟槽的侧壁的斜度为70度 84度。4.如权利要求1所述的锗硅HBT器件，其特征在于所述锗硅HBT器件的基区由形成于所述硅衬底上的P型锗硅外延层组成，包括一本征基区和一外基区；所述本征基区位于于所述有源区上部且和所述集电区形成接触，所述外基区位于所述浅槽场氧上部，在所述外基区的顶部形成有金属接触，该金属接触和所述外基区接触并引出基极。5.如权利要求1所述的锗硅HBT器件，其特征在于所述锗硅HBT器件的发射区由形成于所述本征基区上部的N型多晶硅组成，所述发射区和所述本征基区相接触，在所述发射区的顶部形成有金属接触，该金属接触和所述发射区接触并引出发射极。6.一种锗硅HBT器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤 步骤一、在硅衬底上形成硬掩模层，采用光刻刻蚀工艺对所述硬掩模层进行刻蚀形成浅沟槽和有源区的图形，其中所述有源区上被所述硬掩模层保护，所述浅沟槽上的所述硬掩模层被去除；以所述硬掩模层为掩模对所述硅衬底进行刻蚀形成第一浅沟槽； 步骤二、在刻蚀形成所述第一浅沟槽后的所述硅衬底上淀积氧化膜，并对所述氧化膜进行刻蚀，将位于所述浅沟槽底部的所述氧化膜去除，在所述浅沟槽的侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈帆，陈雄斌，薛凯，周克然，潘嘉，李昊，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：