【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使用铁电电容器构成的铁电存储装置(ferroelectricmemorydevice),尤其涉及没有单元晶体管、仅仅用铁电电容器构成存储单元的单纯矩阵型的。
技术介绍
近年,PZT、SBT等的薄膜、使用该薄膜的铁电电容器、以及铁电存储装置等的研究开发热烈地进行。铁电存储装置的结构可以分为1T、1T1C、2T2C、以及单纯矩阵型。其中,1T型在结构上在电容器中发生内部电场,因此保存(数据保持)时间短至1个月,半导体一般要求的10年保证可以说是不可能的。单纯的矩阵型与1T1C、2T2C型相比,单元(cell)尺寸小,又,电容器的多层化是可能的,因此可以期待高集成化和低成本化。关于现有的单纯矩阵型铁电存储装置,在日本国特开平9-116107号公报等已经公开。在该公开公报中,公开了往存储单元写入数据时外加向非选择存储单元写入的电压的1/3的电压的驱动方法。但是,在该技术中,关于动作所必需的铁电电容器的磁滞曲线特性却没有具体地记载。本专利技术人在进行开发中判明,为了得到实际上动作可能的单纯矩阵型铁电存储装置,方形性良好的磁滞曲线是必要不可少的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供包含使单纯矩阵型铁电存储装置能够实际动作的具有磁滞曲线特性的铁电电容器的单纯矩阵型。有关本专利技术的铁电存储装置包含第1电极、在与上述第1电极交叉的方向排列的第2电极、至少配置于上述第1电极和上述第2电极的交叉区域的铁电体(强电介质)膜,是采用上述第1电极、上述铁电体膜以及上述第2电极构成的电容器呈矩阵状配置的铁电存储装置,上述铁电体膜是铁电相(ferroelectric ...
【技术保护点】
一种铁电存储装置,是包括第1电极、在与上述第1电极交叉的方向排列的第2电极、至少配置于上述第1电极和上述第2电极的交叉区域的铁电体膜,采用上述第1电极、上述铁电体膜以及上述第2电极构成的电容器呈矩阵状配置的铁电存储装置,上述铁电体膜是铁电相和顺电相混合存在而成的。
【技术特征摘要】
JP 2001-9-5 269542/011.一种铁电存储装置,是包括第1电极、在与上述第1电极交叉的方向排列的第2电极、至少配置于上述第1电极和上述第2电极的交叉区域的铁电体膜,采用上述第1电极、上述铁电体膜以及上述第2电极构成的电容器呈矩阵状配置的铁电存储装置,上述铁电体膜是铁电相和顺电相混合存在而成的。2.根据权利要求1所记载的铁电存储装置,上述铁电相由PZT系铁电体构成,上述顺电相由以ABOx或BOx表示的顺电体构成,并且B位点由Ge及Si的至少1种构成。3.根据权利要求2所记载的铁电存储装置,上述以ABOx表示的顺电体,A位点由从Pb、Hf、Zr、V及W中选择的至少1种构成。4.根据权利要求1所记载的铁电存储装置,上述铁电相由层状钙钛矿系铁电体构成,上述顺电相由以ABOx或BOx表示的顺电体构成,并且B位点由从Ge及Si中选择的至少1种构成。5.根据权利要求4所记载的铁电存储装置,上述以ABOx表示的顺电体,A位点由从Bi、Hf、Zr、V及W中选择的至少1种构成。6.根据权利要求2或4所记载的铁电存储装置,上述以ABOx表示的顺电体,A位点由从Ca、Sr、Ln(Ln是镧族元素的简称,LnLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Lu)、Nb、Mn以及Pb中选择的至少1种构成。7.根据权利要求2或3所记载的铁电存储装置,上述PZT系铁电体是(111)择优取向的正方晶结构。8.根据权利要求2或3所记载的铁电存储装置,上述PZT系铁电体是(100)择优取向的棱面体晶结构。9.根据权利要求4~6中任1项所记载的铁电存储装置,上述层状钙钛矿系铁电体是(115)择优取向的SBT。10.根据权利要求4~6中任1项所记载的铁电存储装置,上述层状钙钛矿系铁电体是(117)择优取向的BIT。11.根据权利要求2或4所记载的铁电存储装置,上述顺电体的材料含有电容率比上述铁电体小的硅酸盐及锗酸盐的至少一方。12.根据权利要求2或4所记载的铁电存储装置,上述顺电体的材料B相对于上述铁电体的材料A的比例按摩尔比计为0.1≤材料B/材料A≤9。13.根据权利要求12所记载的铁电存储装置,上述顺电体的材料B相对于上述铁电体的材料A的比例按摩尔比计为0.1≤材料B/材料A≤1。14.根据权利要求12所记载的铁电存储装置,上述顺电体的材料B相对于上述铁电体的材料A的比例按摩尔比计为1<材料B/材料A≤9。15.根据权利要求1所记载的铁电存储装置,上述铁电相由钨青铜系铁电体构成,上述顺电相由以ABOx或BOx表示的顺电体构成,并且B位点由Ge及Si的至少1种构成。16.一种制造权利要求1~15的铁电存储装置的方法,包括将含有第1原料液和第2原料液的陶瓷原料液结晶化的工序,上述第1原料液是为了生成铁电相的原料液,上述第2原料液是为了生成顺电体的原料液。17.根据权利要求16所记载的铁电存储装置的制造方法,上述第1原料液是为了生成PZT系铁电体的...
【专利技术属性】
技术研发人员:名取荣治,木岛健,
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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