半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：下层间绝缘膜，包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽；第一栅极结构，位于第一沟槽内，并且在第一方向上延伸；第二栅极结构，位于第二沟槽内，并且在第一方向上延伸；源极/漏极，与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上；以及连接到源极/漏极的接触部，接触部位于上层间绝缘膜和下层间绝缘膜中，其中，接触部包括第一侧壁和第二侧壁，接触部的第一侧壁和接触部的第二侧壁彼此不对称，并且接触部不与第一栅极结构和第二栅极结构在竖直方向上交迭。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月10日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2017-0149656的优先权，其全部内容通过引用合并在此。
本专利技术构思涉及半导体器件。
技术介绍
多栅晶体管可以作为缩小技术的一部分，用于增加半导体器件的密度。多栅晶体管可以包括形成在衬底上的鳍状硅体，并且可以在硅体上形成栅极。由于这种多栅晶体管使用三维沟道，因此更容易实现缩小。此外，利用多栅晶体管，可以在不增加多栅晶体管的栅长的情况下改善电流控制能力。此外，可以有效地减小和/或抑制沟道区的电位受漏极电压影响的短沟道效应(SCE)。
技术实现思路
本专利技术构思的方案旨在提供具有改进的操作性能和可靠性的半导体器件。根据本专利技术构思，一种半导体器件包括：下层间绝缘膜，包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽；第一栅极结构，位于第一沟槽内，并且在第一方向上延伸；第二栅极结构，位于第二沟槽内，并且在第一方向上延伸；源极/漏极，与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上；以及连接到源极/漏极的接触部，接触部位于上层间绝缘膜和下层间绝缘膜中，其中，接触部包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁，接触部的第一侧壁和接触部的第二侧壁彼此不对称，并且接触部不与第一栅极结构和第二栅极结构在竖直方向上交迭。根据本专利技术构思，一种半导体器件包括：第一鳍状图案，位于衬底上并且在第一方向上延伸；下层间绝缘膜，位于衬底上并且包括第一沟槽和第二沟槽，其中，第一沟槽和第二沟槽中的每一个在与第一方向不同的第二方向上延伸并且与第一鳍状图案相交；第一沟槽内的第一栅极结构；第二沟槽内的第二栅极结构；第一源极/漏极，位于第一鳍状图案上，并且与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上；以及连接到第一源极/漏极的第一接触部，第一接触部位于上层间绝缘膜和下层间绝缘膜中，其中，第一接触部位于第一栅极结构的侧壁与第二栅极结构的侧壁之间，侧壁彼此面对并且，并且第一接触部位于从第一栅极结构的侧壁延伸、垂直于第一栅极结构的上表面的第一线与从第二栅极结构的侧壁延伸、垂直于第二栅极结构的上表面的第二线之间，其中，第一接触部包括面对第一栅极结构的第一侧壁以及面对第二栅极结构的第二侧壁，其中，第一接触部包括第一部分和第一部分上的第二部分，其中，第一接触部的第二部分从第一延伸线在第一方向上突出，第一延伸线从第一接触部的第一部分的第一侧壁基本上共线地延伸，并且其中，第一接触部的第二部分不从第二延伸线在第一方向上突出，第二延伸线从第一接触部的第一部分的第二侧壁基本上共线地延伸。根据本专利技术构思，一种半导体器件包括：在衬底上彼此相邻的第一鳍状图案和第二鳍状图案，其中，第一鳍状图案和第二鳍状图案均在第一方向上延伸；第一栅极结构，位于第一鳍状图案和第二鳍状图案上，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸；第二栅极结构，位于第一鳍状图案和第二鳍状图案上，并且在第二方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍状图案上，并且与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；第二源极/漏极，位于第二鳍状图案上，并且与第一栅极结构和第二栅极结构相邻；以及接触部，连接到第一源极/漏极和第二源极/漏极，并且位于第一源极/漏极和第二源极/漏极上，其中，接触部位于第一栅极结构的侧壁与第二栅极结构的侧壁之间，侧壁彼此面对，并且接触部位于从第一栅极结构的侧壁延伸、垂直于第一栅极结构的上表面的第一线与从第二栅极结构的侧壁延伸、垂直于第二栅极结构的上表面的第二线之间，其中，接触部包括沿着第一方向面对第一栅极结构的第一侧壁以及沿着第一方向面对第二栅极结构的第二侧壁，其中，接触部包括第一部分和第一部分上的第二部分，其中，接触部的第二部分从第一延伸线在第一方向上突出，第一延伸线从接触部的第一部分的第一侧壁基本上共线地延伸，并且接触部的第二部分不从第二延伸线在第一方向上突出，第二延伸线从接触部的第一部分的第二侧壁基本上共线地延伸。然而，本专利技术构思的方案不限于这里阐述的内容。通过参考以下给出的对本专利技术构思的详细描述，本专利技术构思的上述和其它方面对于本专利技术构思所属领域的普通技术人员将变得更加清楚。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术构思的示例实施例，本专利技术构思的以上和其他方面和特征将变得更清楚，在附图中：图1是根据本专利技术构思的实施例的半导体器件的平面图；图2是沿着图1的线A-A截取的截面图；图3是图2的P部分的放大图；图4是沿着图1的线B-B截取的截面图；图5是图4的Q部分的放大图；图6是沿着图1的线C-C截取的截面图；图7是根据本专利技术构思的实施例的半导体器件的截面图；图8是图7的Q部分的放大图；图9是根据本专利技术构思的实施例的半导体器件的截面图；图10是图9的P部分的放大图；图11是用于说明根据本专利技术构思的另一实施例的半导体器件的截面图；图12是根据本专利技术构思的实施例的半导体器件的截面图；图13是根据本专利技术构思的实施例的半导体器件的平面图；图14是根据本专利技术构思的实施例的半导体器件的平面图；图15是沿着图14的线B-B截取的截面图；图16是沿着图14的线C-C截取的截面图；图17是根据本专利技术构思的实施例的半导体器件的截面图；图18是根据本专利技术构思的实施例的半导体器件的平面图；图19是沿着图18的线D-D截取的截面图；以及图20是图19的R部分的放大图。具体实施方式在涉及根据本专利技术构思一些实施例的半导体器件的附图中，示出了包括具有鳍状图案的沟道区的鳍状晶体管FinFET，但是本专利技术构思不限于此。根据本专利技术构思的一些实施例的半导体器件可以包括隧穿晶体管、包括纳米线的晶体管、包括纳米片的晶体管或三维(3D)晶体管。根据一些实施例的半导体器件也可以包括双极结型晶体管、横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管等。另外，尽管根据本专利技术构思的一些实施例的半导体器件被描述为使用鳍状图案的多沟道晶体管，但是也可以包括平面晶体管。图1是根据本专利技术构思的实施例的半导体器件的平面图。图2是沿着图1的线A-A截取的截面图。图3是图2的P部分的放大图。图4是沿着图1的线B-B截取的截面图。图5是图4的Q部分的放大图。图6是沿着图1的线C-C截取的截面图。为了便于说明，图1未示出下层间绝缘膜191和上层间绝缘膜192。参照图1至图6，根据本专利技术构思实施例的半导体器件可以包括第一鳍状图案110、第一栅极结构115、第二栅极结构215、第一栅极间隔物(spacer)140、第二栅极间隔物240、第一源极/漏极150和第一接触部170。第一鳍状图案110可以从衬底100突出。衬底100可以是体硅衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。在一些实施例中，衬底可以是硅衬底，并且可以包括但不限于例如硅锗、绝缘体上硅锗(SGOI)、锑化铟、碲化铅化合物、砷化铟、磷化铟、砷化镓和/或锑化镓之类的其他材料。第一鳍状图案110可以沿着第一方向X1在衬底上延伸。例如，第一鳍状图案110可以包括在第一方向X1上延伸的长边和在第二方向Y1上延伸的短边。第一鳍状图案110可以是衬底100的一部分，并且可以包括从衬底100生长的外延层。第一鳍状图案110可以包括作为元素半导体材料的材料，例如硅和/或锗。此外，第一鳍状图案110可以包括化合物半导体，例如可以包括I本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：下层间绝缘膜，包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽；第一栅极结构，位于所述第一沟槽内，并且在第一方向上延伸；第二栅极结构，位于所述第二沟槽内，并且在所述第一方向上延伸；源极/漏极，与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于所述下层间绝缘膜上；以及连接到所述源极/漏极的接触部，所述接触部位于所述上层间绝缘膜和所述下层间绝缘膜中，其中，所述接触部包括第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁，其中，所述接触部的第一侧壁与所述接触部的第二侧壁彼此不对称，并且其中，所述接触部不与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构在竖直方向上交迭。

【技术特征摘要】
2017.11.10 KR 10-2017-01496561.一种半导体器件，包括：下层间绝缘膜，包括彼此相邻的第一沟槽和第二沟槽；第一栅极结构，位于所述第一沟槽内，并且在第一方向上延伸；第二栅极结构，位于所述第二沟槽内，并且在所述第一方向上延伸；源极/漏极，与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于所述下层间绝缘膜上；以及连接到所述源极/漏极的接触部，所述接触部位于所述上层间绝缘膜和所述下层间绝缘膜中，其中，所述接触部包括第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁，其中，所述接触部的第一侧壁与所述接触部的第二侧壁彼此不对称，并且其中，所述接触部不与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构在竖直方向上交迭。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触部包括第一部分和所述第一部分上的第二部分，其中，所述接触部的第二部分从第一延伸线在与所述第一方向相交的第二方向上突出，所述第一延伸线从所述接触部的第一部分的第一侧壁基本上共线地延伸，并且其中，所述接触部的第二部分不从第二延伸线在所述第二方向上突出，所述第二延伸线从所述接触部的第一部分的第二侧壁基本上共线地延伸。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述接触部还包括所述第二部分上的第三部分，其中，所述接触部的第三部分不从第三延伸线在所述第二方向上突出，所述第三延伸线从所述接触部的第二部分的第一侧壁基本上共线地延伸，并且其中，所述接触部的第三部分从第四延伸线在所述第二方向上突出，所述第四延伸线从所述接触部的第二部分的第二侧壁基本上共线地延伸。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述接触部的第二部分的最下表面到所述接触部的上表面的高度小于从所述接触部的上表面到所述第一栅极结构的上表面的距离。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触部包括中央部分、在与所述第一方向相交的第二方向上从所述中央部分向着所述第一栅极结构突出的第一突出部分、以及在所述第二方向上从所述中央部分向着所述第二栅极结构突出的第二突出部分，并且其中，所述接触部的第一突出部分的第一最下表面到所述接触部的上表面的第一高度不同于所述接触部的第二突出部分的第二最下表面到所述接触部的上表面的第二高度。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述接触部的第一突出部分的第一最下表面到所述接触部的上表面的第一高度小于从所述接触部的上表面到所述第一栅极结构的上表面的距离，并且其中，所述接触部的第二突出部分的第二最下表面到所述接触部的上表面的第二高度小于从所述接触部的上表面到所述第二栅极结构的上表面的距离。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构包括沿着所述第一沟槽的侧壁和底表面延伸的第一栅极绝缘膜，并且其中，所述第二栅极结构包括沿着所述第二沟槽的侧壁和底表面延伸的第二栅极绝缘膜。8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一栅极间隔物，位于所述第一栅极结构的侧壁上；以及第二栅极间隔物，位于所述第二栅极结构的侧壁上，其中，所述第一栅极间隔物限定所述第一沟槽，并且所述第二栅极间隔物限定所述第二沟槽。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极结构包括处于所述第一沟槽的一部分内的第一栅电极以及所述第一栅电极上的第一覆盖图案，并且其中，所述第二栅极结构包括处于所述第二沟槽的一部分内的第二栅电极以及所述第二栅电极上的第二覆盖图案。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接触部是整体结构。11.一种半导体器件，包括：第一鳍状图案，位于衬底上并且在第一方向上延伸；下层间绝缘膜，位于所述衬底上并且包括第一沟槽和第二沟槽，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽中的每一个在与所述第一方向不同的第二方向上延伸并且与所述第一鳍状图案相交；所述第一沟槽内的第一栅极结构；所述第二沟槽内的第二栅极结构；第一源极/漏极，位于所述第一鳍状图案上，并且与所述第一栅极结构和所述第二栅极结构相邻；上层间绝缘膜，位于所述下层间绝缘膜上；以及连接到所述第一源极/漏极的第一接触部，所述第一接触部位于所述上层间绝缘膜和所述下层间绝缘膜中，其中，所述第一接触部位于所述第一栅极结构的侧壁与所述第二栅极结构的侧壁之间，所述侧壁彼此面对，并且所述第一接触部位于从所述第一栅极结构的所述侧壁延伸、垂直于所述第一栅极结构的上表面的第一线与从所述第二栅极结构的所述侧壁延伸、垂直于所述第二栅极结构的上表面的第二线之间，其中，所述第一接触部包括面对所述第一栅极结构的第一侧壁以及面对所述第二栅极结构的第二侧壁，其中，所述第一接触部包括第一部分和所述第一部分上的第二部分，其中，所述第一接触部的第二部分从第一延伸线在所述第一方向上突出，所述第一延伸线从所述第一接触部的第一部分的第一侧壁基本上共线地延伸，并且其中，所述第一接触部的第二部分不从第二延伸线在所述第一方向上突出，所述第二延伸线从所述第一接触部的第一部分的第二侧壁基本上共线地延伸。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一接触部的第二部分位于从所述第一栅极结构的所述侧壁延伸的第一线与从所...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳炳赞，俞宗昊，李炯宗，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR