一种发光二极管器件制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管器件，包括发光二极管组件，发光二极管组件，包括多层发光半导体层组、透光衬底，透光衬底紧贴多层发光半导体层组的后侧设置；多层发光半导体层组，包括从前到后依次分布的P型半导体材料层、光活化层位层、N型半导体材料层；多层发光半导体层组与透光衬底的接触面为多层发光半导体层组平面，透光衬底与多层发光半导体层组的接触面为透光衬底平面；N型半导体材料层的前侧面连接有第一电极，P型半导体材料层的前侧面连接有第二电极，第一、第二电极的下部与透光衬底平面相结合，实现多层发光半导体层组与第一平面的电连接。本发明专利技术具有高效能并产生光辐射的功能，还能实现光场图型的可控性。

A light emitting diode device

The invention discloses a light emitting diode device includes a light emitting diode module and light-emitting diode assembly, including multilayer light emitting semiconductor layer group, transparent substrate, transparent substrate to multilayer light-emitting semiconductor layer is arranged at the back of the group; multilayer light-emitting semiconductor layer group, including P type semiconductor material layer, from front to rear in the distribution of light activated layer layer, N type semiconductor material layer; contact multilayer luminous semiconductor layer group and substrate surface is a multilayer light-emitting semiconductor layer group plane, transparent substrate and multilayer light emitting semiconductor contact layer group for transparent substrate plane; the front side of N type semiconductor material layer is connected with the first electrode, the front side of the P type semiconductor material layer connected with the second electrode, the first electrode and the second electrode and the lower part of a light transmitting substrate plane combination, multi-layer light-emitting semiconductor layer group and the first plane Electrical connection. The invention has the function of high efficiency and light radiation, and can also realize the controllability of the pattern of light field.

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管器件
本专利技术涉及一种发光二极管器件，属于光电子产品封装

技术介绍
随着科学技术的不断发展，光电子产品更新迭代的速度也在加快，发光二极管器件也在芯片端技术与封装端技术整合，向小型化、高效能发展。目前，市场上的发光二极管器件，并无高光场图型可控性及高侧向光强度的产品，效能不佳，且抑制了发光二极管器件的应用范围。
技术实现思路
本专利技术目的是为了克服现有的发光二极管器件，并无高光场图型可控性及高侧向光强度的产品，效能不佳，且抑制其的应用范围的问题。本专利技术的发光二极管器件，具有三五族化合物半导体的高电子及电洞迁移率，还具有高效能并产生光辐射的功能，通过在发光二极管组件上加了光透射层与侧边封装增加光电效能，以及光场图型的可控性，结构巧妙，具有良好的应用前景。为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种发光二极管器件，包括发光二极管组件，所述发光二极管组件的侧面接合在承载基座上的第一平面上，所述发光二极管组件第一和第二初级光源发射方向平行于第一平面，所述发光二极管组件，包括多层发光半导体层组、透光衬底，所述透光衬底紧贴多层发光半导体层组的后侧设置；所述多层发光半导体层组，包括从前到后依次分布的P型半导体材料层、光活化层位层、N型半导体材料层；所述多层发光半导体层组与透光衬底的接触面为多层发光半导体层组平面，所述透光衬底与多层发光半导体层组的接触面为透光衬底平面，所述透光衬底平面的高度大于为多层发光半导体层组平面的高度，且透光衬底平面的侧边与第一平面相接触，且两者垂直分布；所述N型半导体材料层的前侧面连接有第一电极，所述P型半导体材料层的前侧面连接有第二电极，所述第一电极、第二电极的下部与透光衬底平面相结合，实现多层发光半导体层组与第一平面的电连接。前述的一种发光二极管器件，所述第一电极、第二电极的下边缘分别与第一平面上的电路连接片相焊接。前述的一种发光二极管器件，所述多层发光半导体层组的前侧面上覆置有光透射层，所述光透射层的边缘与透光衬底的边缘相结合，将多层发光半导体层组设置在光透射层、透光衬底之间。前述的一种发光二极管器件，所述光透射层覆盖住P型半导体材料层、光活化层位层、N型半导体材料层。前述的一种发光二极管器件，所述光透射层的折射率比透光衬底折射率小.。前述的一种发光二极管器件，所述多层发光半导体层组在光透射层的前侧面，形成有第一立体图案层；所述多层发光半导体层组在透光衬底的后侧面，形成有第二立体图案层，所述第二立体图案层能够加强向第二立体图案层方向发射的光。前述的一种发光二极管器件，所述第二立体图案层的反光表面被图案化，以至少允许部分的光线通过其的反光表面向外传播，形成往第二立体图案层方向的第一光图型。前述的一种发光二极管器件，所述第二立体图案层上不透光的屏蔽区域，以至少允许部分的光线通过第二立体图案层向外传播，形成往第一立体图案层方向的第二光图型。前述的一种发光二极管器件，所述电路连接片上设置有焊球，所述第一电极、第二电极的下边缘均设置有电极接脚，所述电极接脚通过焊球与对应侧的电路连接片相连接。本专利技术的有益效果是：本专利技术的发光二极管器件，具有三五族化合物半导体的高电子及电洞迁移率，还具有高效能并产生光辐射的功能，通过在发光二极管组件上加了光透射层与侧边封装增加光电效能，以及光场图型的可控性，结构巧妙，具体优点如下：（1）设置有产生辐射的光活化层，且垂直于封装，可产生高强度侧向光场；（2）附于发光二极管组件立体图案化的光透射层，生成具光场图型可控性的光电二极管封装器件。附图说明图1是本专利技术的发光二极管器件的侧视图；图2是本专利技术的形成立体图案层的侧视图；图3是本专利技术的形成光图型的示意图；图4是本专利技术的发光二极管器件的结构示意图。具体实施方式下面将结合说明书附图，对本专利技术做进一步说明。以下实施例仅用于更加清楚地说明本专利技术的技术方案，而不能以此来限制本专利技术的保护范围。如图1-图4所示，本专利技术的发光二极管器件，包括发光二极管组件100，所述发光二极管组件100的侧面接合在承载基座200上的第一平面201上，所述发光二极管组件100第一和第二初级光源发射方向平行于第一平面201，垂直封装的发光二极管组件100，可产生高强度侧向光场；所述发光二极管组件100，包括多层发光半导体层组101、透光衬底105，所述透光衬底105紧贴多层发光半导体层组101的后侧设置；所述多层发光半导体层组101，包括从前到后依次分布的P型半导体材料层102、光活化层位层103、N型半导体材料层104，增加的光活化层位层103能够产生辐射，且垂直于第一平面201封装，可产生高强度侧向光场；所述多层发光半导体层组101与透光衬底105的接触面为多层发光半导体层组平面108，所述透光衬底105与多层发光半导体层组101的接触面为透光衬底平面107，所述透光衬底平面107的高度大于为多层发光半导体层组平面108的高度，且透光衬底平面107的侧边与第一平面201相接触，且两者垂直分布；所述N型半导体材料层104的前侧面连接有第一电极109，所述P型半导体材料层102的前侧面连接有第二电极110，所述第一电极109、第二电极110的下部与透光衬底平面107相结合，实现多层发光半导体层组101与第一平面201的电连接。优选的，所述第一电极109、第二电极110的下边缘分别与第一平面201上的电路连接片203相焊接，且电路连接片203上设置有焊球204，所述第一电极109、第二电极110的下边缘均设置有电极接脚106，所述电极接脚106通过焊球204与对应侧的电路连接片203相连接。优选的，所述多层发光半导体层组101的前侧面上覆置有光透射层202，所述光透射层202的边缘与透光衬底105的边缘相结合，将多层发光半导体层组101设置在光透射层202、透光衬底105之间，光透射层202能够生成具光场图型可控性的光电二极管封装器件，具体表现如下：所述光透射层202覆盖住P型半导体材料层102、光活化层位层103、N型半导体材料层104。所述光透射层202的折射率比透光衬底105折射率小0.5。所述多层发光半导体层组101在光透射层202的前侧面，形成有第一立体图案层302；所述多层发光半导体层组101在透光衬底101的后侧面，形成有第二立体图案层301，所述第二立体图案层301能够加强向第二立体图案层301方向发射的光。所述第二立体图案层301的反光表面被图案化，以至少允许部分的光线通过其的反光表面向外传播，形成往第二立体图案层301方向的第一光图型401。所述第二立体图案层301上不透光的屏蔽区域，以至少允许部分的光线通过第二立体图案层301向外传播，形成往第一立体图案层302方向的第二光图型402。综上所述，本专利技术的发光二极管器件，具有三五族化合物半导体的高电子及电洞迁移率，本专利技术的发光二极管组件是一种三五族化合物半导体组件，例如铝镓铟氮（AlInGaN）发光二极管组件，三五族化合物半导体的电子及电洞迁移率，远高于第四族硅（Si）半导体，可为高速电子组件，除此之外，还具有高效能并产生光辐射的功能，通过在发光二极管组件上加了光透射层与侧边封装增加光电效能，以及光场图型的可控性，结构巧妙，具体优点如下：（1）设置有产生辐射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管器件，其特征在于：包括发光二极管组件（100），所述发光二极管组件（100）的侧面接合在承载基座（200）上的第一平面（201）上，所述发光二极管组件（100）第一和第二初级光源发射方向平行于第一平面（201），所述发光二极管组件（100），包括多层发光半导体层组（101）、透光衬底（105），所述透光衬底（105）紧贴多层发光半导体层组（101）的后侧设置；所述多层发光半导体层组（101），包括从前到后依次分布的P型半导体材料层（102）、光活化层位层（103）、N型半导体材料层（104）；所述多层发光半导体层组（101）与透光衬底（105）的接触面为多层发光半导体层组平面（108），所述透光衬底（105）与多层发光半导体层组（101）的接触面为透光衬底平面（107），所述透光衬底平面（107）的高度大于为多层发光半导体层组平面（108）的高度，且透光衬底平面（107）的侧边与第一平面（201）相接触，且两者垂直分布；所述N型半导体材料层（104）的前侧面连接有第一电极（109），所述P型半导体材料层（102）的前侧面连接有第二电极（110），所述第一电极（109）、第二电极（110）的下部与透光衬底平面（107）相结合，实现多层发光半导体层组（101）与第一平面（201）的电连接。...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管器件，其特征在于：包括发光二极管组件（100），所述发光二极管组件（100）的侧面接合在承载基座（200）上的第一平面（201）上，所述发光二极管组件（100）第一和第二初级光源发射方向平行于第一平面（201），所述发光二极管组件（100），包括多层发光半导体层组（101）、透光衬底（105），所述透光衬底（105）紧贴多层发光半导体层组（101）的后侧设置；所述多层发光半导体层组（101），包括从前到后依次分布的P型半导体材料层（102）、光活化层位层（103）、N型半导体材料层（104）；所述多层发光半导体层组（101）与透光衬底（105）的接触面为多层发光半导体层组平面（108），所述透光衬底（105）与多层发光半导体层组（101）的接触面为透光衬底平面（107），所述透光衬底平面（107）的高度大于为多层发光半导体层组平面（108）的高度，且透光衬底平面（107）的侧边与第一平面（201）相接触，且两者垂直分布；所述N型半导体材料层（104）的前侧面连接有第一电极（109），所述P型半导体材料层（102）的前侧面连接有第二电极（110），所述第一电极（109）、第二电极（110）的下部与透光衬底平面（107）相结合，实现多层发光半导体层组（101）与第一平面（201）的电连接。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管器件，其特征在于：所述第一电极（109）、第二电极（110）的下边缘分别与第一平面（201）上的电路连接片（203）相焊接。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管器件，其特征在于：所述多层发光半导体层组（101）的前侧面上覆置有光透射层（202），所述光透射层（...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚宏深，宋旭官，黄正信，
申请(专利权)人：丽智电子昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32