The invention provides a method of manufacturing a semiconductor device comprising: providing a semiconductor substrate, a first silicon fin structure and second silicon fin structure at least formed on the semiconductor substrate; forming a silicon germanium layer on the first silicon fin structure and second fin structure on both sides of silicon germanium implantation; silicon germanium layer to second silicon fin structure in order to improve the concentration of germanium on both sides of the silicon germanium layer; SiGe concentration process to make the first silicon fin structure and second silicon fin structure into a first silicon germanium fin structure and second silicon germanium fin structure, the concentration of germanium from the first silicon germanium fin structure of the Ge concentration of the second silicon germanium fin structure. The manufacturing method of the semiconductor device proposed by the invention can form different germanium concentration SiGe fin structure on the semiconductor substrate, so that the migration ability of the electron and hole in fin structure is enhanced, and the performance of semiconductor device is improved.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置
本专利技术涉及半导体
,具体而言涉及一种半导体器件制作方法、半导体器件及电子装置。
技术介绍
随着半导体技术的发展,集成电路尤其是超大规模集成电路中的主要器件金属-氧化物-半导体场效应晶体管(简称MOSFET)的几何尺寸一直在不断缩小,半导体器件的特征尺寸已经缩小到纳米级别。使用二氧化硅(SiO2)层作为栅极介质的工艺已经达到其物理电气特性的极限,在65nm工艺的晶体管中的二氧化硅层已经缩小到5个氧原子的厚度。作为阻隔栅极和下层的绝缘体,二氧化硅层已经不能再进一步缩小了,否则产生的漏电流会让晶体管无法正常工作。为此,现有技术已提出了各种解决方案,比如采用金属栅和高介电常数(K)栅介质替代传统的重掺杂多晶硅栅和SiO2(或SiON)栅介质。或者采用鳍式场效应晶体管(finFET),其可以有效控制器件按比例缩小所导致的难以克服的短沟道效应,尤其适用于22nm及以下技术节点。此外,锗作为一种熟知的半导体材料,其电子迁移率和空穴迁移率均优于硅,因此锗在集成电路制造中是非常优秀的材料。随着高k介质材料的使用,在16/14nm技术节点的finFET中锗已经引起人们的关注,如何更好地利用锗来制作finFET是一个急需解决的问题。因此,有必要提出一种新的制作方法,以解决上述存在的问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围 ...
【技术保护点】
一种半导体器件的制作方法,其特征在于,包括下述步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底上至少形成有第一硅鳍结构和第二硅鳍结构;在所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构两侧形成硅锗层;向所述第二硅鳍结构两侧的硅锗层注入锗以提高该硅锗层的锗浓度;执行SiGe浓缩工艺以使所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构转变为第一硅锗鳍结构和第二硅锗鳍结构,其中,所述第二硅锗鳍结构的锗浓度大于所述第一硅锗鳍结构的锗浓度。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,包括下述步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底上至少形成有第一硅鳍结构和第二硅鳍结构;在所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构两侧形成硅锗层;向所述第二硅鳍结构两侧的硅锗层注入锗以提高该硅锗层的锗浓度;执行SiGe浓缩工艺以使所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构转变为第一硅锗鳍结构和第二硅锗鳍结构,其中,所述第二硅锗鳍结构的锗浓度大于所述第一硅锗鳍结构的锗浓度。2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构两侧的硅锗层通过选择性外延法形成。3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,通过氧化所述第一硅鳍结构和第二硅鳍结构两侧的硅锗层来执行所述SiGe浓缩工艺。4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,还包括下述步骤:去除所述第一硅锗鳍结构和第二硅锗鳍结构两侧被氧化的硅锗层。5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述半导体衬底上还形成有第三硅鳍结构。6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,还包括下述步骤:在所述第一硅鳍结构、第二硅鳍结构和第三硅鳍结构两侧形成间隙壁;去除所述第一硅鳍结构和第二硅...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓浩,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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