半导体器件的制造方法技术

一种半导体器件结构的制造方法包括在第一器件与第二器件之间形成结合体或接点。第一器件包括集成无源器件及设置在其上的第一接触垫。第二器件包括第二接触垫。第一接触垫具有带有第一横向范围的第一表面。第二接触垫具有带有第二横向范围的第二表面。第二横向范围的宽度小于第一横向范围的宽度。接点结构包括第一接触垫、第二接触垫以及夹置于第一接触垫与第二接触垫之间的焊料层。焊料层具有锥形侧壁，且锥形侧壁在从第一接触垫的第一表面远离而朝向第二接触垫的第二表面的方向上延伸。第一表面或第二表面中的至少一者实质上是平坦的。

The manufacturing method of semiconductor devices

A manufacturing method for a semiconductor device structure consists of a combination or a connection between the first device and the second device. The first device includes an integrated passive device and a first contact pad on it. The second device includes a second contact pad. The first contact pad has a first surface with a first transverse range. The second contact pad has a second surface with a second transverse range. Second the width of the transverse range is less than the width of the first transverse range. The connection structure includes the first contact pad, the second contact pad, and the solder layer sandwiched between the first contact pad and the second contact pad. The solder layer has a conical side wall and a conical side wall extends in a direction toward the second surface of the second contact pad from the first surface of the first contact pad. At least one of the first or second surfaces is essentially flat.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法
本专利技术实施例是涉及一种半导体器件的制造方法，且尤其涉及一种具有无间隙、空隙、及/或孔洞的接点结构的半导体器件的制造方法。
技术介绍
半导体器件被用于例如个人计算机、手机、数码相机、及其他电子设备等各种电子应用中。半导体器件通常是通过以下方式来制作：在半导体衬底上依序沉积各种绝缘层或介电层、导电层、以及半导体材料层；以及利用光刻(lithography)对所述各种材料层进行图案化以在其上形成电路组件及元件。可在单个半导体晶片(semiconductorwafer)上制造数十或数百个集成电路。通过沿着切割道(scribeline)锯切集成电路来单体化多个个别的管芯(die)。接着将所述个别的管芯单独地封装，例如在多芯片模组中封装、或以其他类型的封装方式进行封装。半导体行业通过不断缩小最小特征大小来不断地提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，以使得更多的组件能够被集成到给定区域中。在某些应用中，这些较小的电子组件使用比过去的封装件更小且更先进的封装系统。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，一种半导体器件的制造方法至少包括以下步骤。提供第一半导体器件以及第二半导体器件。第一半导体器件包括第一接触垫，第二半导体器件包括第二接触垫。在第一接触垫或第二接触垫中的一者上形成实质上凹的表面轮廓。在第一接触垫上电镀焊料层。焊料层具有与第一接触垫的第二表面外形轮廓实质上相似的第一表面外形轮廓。将焊料层在第二接触垫上对齐。使焊料层落在第二接触垫上。结合焊料层与第二接触垫。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本专利技术的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征可不按比例绘制。事实上，为论述或说明清晰起见，可任意增大或缩小各种特征的尺寸。图1A及图1B为根据代表性实施例所示出的一种在第一器件与第二器件之间形成的接点结构的剖视图。图2A及图2B为根据另一代表性实施例所示出的一种在第一器件与第二器件之间形成的接点结构的剖视图。图3A及图3B为根据又一代表性实施例所示出的一种在第一器件与第二器件之间形成的接点结构的剖视图。图4为根据图1A中大体示出的代表性实施例所示出的接点总成的元件的相对尺寸的剖视图。图5为根据图2A中大体示出的代表性实施例所示出的接点总成的元件的相对尺寸的剖视图。图6为根据图3A中大体示出的代表性实施例所示出的接点总成的元件的相对尺寸的剖视图。图7为根据代表性实施例所示出的锥形接点结构的剖视图。图8为根据另一代表性实施例所示出的锥形接点结构的剖视图。图9为根据又一代表性实施例所示出的锥形接点结构的剖视图。图10是根据代表性实施例的一种形成接点结构的方法的流程图。图11是根据另一代表性实施例的一种形成接点结构的方法的流程图。图12是根据又一代表性实施例的一种形成接点结构的方法的流程图。图13是根据代表性实施例的一种具有经结合的集成无源器件(integratedpassivedevice，IPD)的叠层封装(Package-on-Package，PoP)结构的剖视图，所述经结合的集成无源器件具有结合接点。附图标记：110、210、310：第一半导体器件；111、211、311：集成无源器件封装衬底；112、212、312、1312：集成无源器件；113、213、313：第一接触垫；114、214、314、714、814、914：焊料层；120、220、320：第二半导体器件；121、221、321：封装体层；122、222、322：第二接触垫；123、223、323：重布线层；195、295、395：接点结构；795、895、995：锥形接点结构；1000、1100、1200：方法；1010、1020、1030、1040、1050、1110、1120、1130、1140、1150、1210、1220、1230、1240、1250：步骤；1300：叠层封装结构；1301a、1301b、1311：导电连接件；1302：电性连接件；1303：集成电路管芯；1315：第一器件封装件；1320：衬底；1325、1335：结合垫；1330：穿孔；1340：打线接合；1350、1360：堆叠管芯；1355：第二器件封装件；1390：模塑材料；A、B、W、W’：宽度；C、C’：凹腔。具体实施方式以下
技术实现思路
提供用于实施所提供的目标的不同特征的许多不同实施例或实例。以下所描述的构件及配置的具体实例是为了以简化的方式传达本专利技术为目的。当然，这些仅仅为实例而非用以限制。举例来说，在以下描述中，在第一特征上方或在第一特征上形成第二特征可包括第二特征与第一特征形成为直接接触的实施例，且也可包括第二特征与第一特征之间可形成有额外特征使得第二特征与第一特征可不直接接触的实施例。此外，本专利技术在各种实例中可使用相同的元件符号和/或字母来指代相同或类似的部件。元件符号的重复使用是为了简单及清楚起见，且并不表示所欲讨论的各个实施例和/或配置本身之间的关系。另外，为了易于描述附图中所示出的一个构件或特征与另一元件或特征的关系，本文中可使用例如”在...下”、”在...下方”、”下部”、”在…上”、”在…上方”、”上部”及类似术语的空间相对术语。除了附图中所示出的定向之外，所述空间相对术语意欲涵盖元件在使用或操作时的不同定向。设备可被另外定向(旋转90度或在其他定向)，而本文所用的空间相对术语相应地作出解释。传统的接点结构及其形成方法可包括或生成位于在经结合的半导体器件之间形成的接点结构内的一个或多个间隙、空隙、或孔洞。此种间隙、空隙、或孔洞可夹置于在经结合的半导体器件之间的导电材料(例如，焊料)内，且导电材料将经结合的半导体器件电耦合于一起。本文中使用的用语“焊料”可被理解为意指可应用热能来进行回焊(或可以通过其他方式实现至少局部的相变或相转变)的任何导电材料或局部导电材料。此种间隙、空隙、或孔洞一般会使与其相关联的接点结构在品质控制测试期间易于出现可靠性考虑因素。本专利技术的代表性实施例在经接合/经结合的半导体器件之间提供实质上无间隙、空隙、及/或孔洞的改良的接点结构/结合体结构。图1A及图1B代表性地示出根据实施例的第一半导体器件110与第二半导体器件120之间的接点结构195的形成。第一半导体器件110包括集成无源器件(integratedpassivedevice，IPD)112以及集成无源器件封装衬底111。在代表性实施例中，第一半导体器件110可包括硅衬底。在其他实施例中，第一半导体器件110可包括一个或多个其他适合的元素半导体(例如金刚石或锗)、适合的化合物半导体(例如砷化镓、碳化硅、砷化铟、或磷化铟)、或适合的合金半导体(例如碳化硅锗、磷化镓砷、或磷化镓铟)。衬底可为绝缘体上硅(silicononinsulator，SOI)或蓝宝石上硅(silicononsapphire)。在一些实施例中，第一半导体器件110可包括梯度半导体层及/或可进一步包括上覆于不同类型的另一半导体层上的半导体层，例如硅层在硅锗层上。在其他实施例中，化合物半导体衬底可包括多层硅结构，或硅衬底可包括多层化合物半导体结构。衬底在一个实施例中可基于例如玻璃纤维强化树脂芯(fiberglassrei本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一半导体器件以及第二半导体器件，所述第一半导体器件包括第一接触垫，所述第二半导体器件包括第二接触垫；在所述第一接触垫或所述第二接触垫中的一者上形成实质上凹的表面轮廓；在所述第一接触垫上电镀焊料层，所述焊料层具有与所述第一接触垫的第二表面外形轮廓实质上相似的第一表面外形轮廓；将所述焊料层在所述第二接触垫上对齐；使所述焊料层落在所述第二接触垫上；以及结合所述焊料层与所述第二接触垫。

【技术特征摘要】
2016.05.25 US 62/341,466;2016.09.01 US 15/254,7581.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一半导体器件以及第二半导体器件，所述第一半导体器件包括第一接...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈英儒，苏安治，吴集锡，余振华，叶德强，陈宪伟，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71