The present invention provides a method for improving the flatness of the surface of the polysilicon, the method comprises the following steps: on a flexible substrate coated with a buffer layer; SiNx layer, SiOx layer, the amorphous silicon layer are sequentially deposited on the buffer layer; cleaning the surface of the amorphous silicon layer, the amorphous silicon layer surface by excimer laser annealing, prepared on the surface of the polysilicon layer; coating photoresist of the polysilicon layer, and exposing and developing of photoresist, exposing the protruding part of the surface of the polycrystalline silicon layer; etching the polysilicon layer on the surface of the protruding portion. The method of the invention can remove the protrusions on the polysilicon surface, improve the leakage induced grain boundary barrier drop effect, and can also improve the bending resistance of the TFT device.
【技术实现步骤摘要】
一种改善多晶硅表面平坦度的方法
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种改善多晶硅表面平坦度的方法。
技术介绍
随着平面显示技术的发展,具有高分辨率、低能耗的液晶显示器的需求越来越大。非晶硅的电子迁移率较低,而低温多晶硅(LowTemperaturePloy-silicon)可以在低温下制作,且拥有比非晶硅更高(高20-100倍)的电子迁移率。这样就可以将TFT(薄膜晶体管)器件以及其像素点做到更小,以达到高分辨率的要求。此外,低温多晶硅制作的CMOS器件可使液晶显示器具有低能耗。因此,低温多晶硅得到了广泛地研究和应用。目前多晶硅结晶的主流技术是采用准分子激光退火技术(ExcimerLaserCrystallization,简称ELA)来实现,可以得到晶粒尺寸较大的多晶硅,电子迁移率较大。采用ELA工艺进行多晶硅结晶的一个缺点,就是得到的多晶硅表面粗糙度较大,晶界处的突起较多,随着手机/平板显示精度的提高,TFT器件越做越小,多晶硅的突起部分会引起很多TFT器件电性上的缺陷,比如漏致晶界势垒下降效应等,造成阈值电压Vth漂移。随着柔性显示的快速发展,对TFT器件性能要求提高,其中一项重要的特性要求就是耐弯折性,采用ELA工艺进行结晶的多晶硅的突起部分会使后续沉积的绝缘层(GI层)和金属层(Metal层)也有突起,TFT器件耐弯折性会变差。基于以上背景,针对柔性显示技术更需要对多晶硅表面粗糙度做制程改善。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术提供一种改善多晶硅表面平坦度的方法,可以改善多晶硅表面粗糙度。本专利技术提供的一种改善多晶硅表面平坦度的方法,包括 ...
【技术保护点】
一种改善多晶硅表面平坦度的方法,其特征在于,包括下述步骤:在柔性基板上镀上缓冲层;在所述缓冲层上依次沉积SiNx层、SiOx层、非晶硅层;对所述非晶硅层的表面进行清洗,再对所述非晶硅层的表面采用准分子激光退火处理,制备得到多晶硅层;在所述多晶硅层的表面涂布光阻,并对所述光阻进行曝光及显影处理,暴露出所述多晶硅层表面的突起部分;对所述多晶硅层表面的突起部分进行刻蚀。
【技术特征摘要】
1.一种改善多晶硅表面平坦度的方法,其特征在于,包括下述步骤:在柔性基板上镀上缓冲层;在所述缓冲层上依次沉积SiNx层、SiOx层、非晶硅层;对所述非晶硅层的表面进行清洗,再对所述非晶硅层的表面采用准分子激光退火处理,制备得到多晶硅层;在所述多晶硅层的表面涂布光阻,并对所述光阻进行曝光及显影处理,暴露出所述多晶硅层表面的突起部分;对所述多晶硅层表面的突起部分进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法,其特征在于,所述缓冲层包括SiNx层和/或SiOx层。3.根据权利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法,其特征在于,所述缓冲层上沉积的SiNx层、SiOx层、非晶硅层的厚度范围依次为:400~700埃米、2000~4000埃米、400~700埃米。4.根据权利要求1所述的改善多晶硅表面平坦度的方法,其特征在于,在所述多晶硅层的表面涂布光阻,并对所述光阻进行曝光及显影处理,暴露出所述多晶硅层表面的突起部分具体为:通过涂布机在所述多晶硅的表面涂布所述光阻,并对所述光阻进行曝光,采用显影液对所述多晶硅的表面进行显影处理,直至所述多晶硅表面的突起部分暴露出来,平坦区域被所述光阻覆盖住;其中,所述光阻的厚度范围为5000~10000埃米,所述显影液中的显影剂浓度范围为0.5%~2...
【专利技术属性】
技术研发人员:方宏,
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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