一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板技术

本发明专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板。薄膜晶体管的制造方法包括：在形成半导体层后，在半导体层的一侧形成第一绝缘层、第二绝缘层和位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的栅极层，再在第二绝缘层远离基板的一侧形成第一金属层，并在垂直与基板的方向行形成贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第一金属层的第一过孔和第二过孔，第一过孔和第二过孔在基板上的正投影位于栅极层的两侧，在本发明专利技术实施例中，由于在垂直于基板的方向上，栅极层被部分第一金属层覆盖，因此该部分第一金属层能够阻止清洗液和第二绝缘层接触，使得第二绝缘层上不会形成孔洞，进而避免第一金属层和第二金属层与栅极层短接的现象，从而提高了薄膜晶体管的良率。

A thin film transistor and its manufacturing method and display panel

The embodiment of the invention provides a thin film transistor and its manufacturing method and display panel. Includes a method of manufacturing a thin film transistor in forming a semiconductor layer, a first insulating layer, a second insulating layer and is positioned on the first insulating layer and the second insulating layer between the gate layer formed on one side of the semiconductor layer, and then the second insulating layer on one side of the substrate from the first metal layer is formed, and through the first insulating layer, an insulating layer and a second the first metal layer over the first hole and the second through holes formed in the vertical direction of the substrate, on both sides of the first projection through holes and second holes in the substrate at the gate layer, in the embodiment of the invention, because in the direction perpendicular to the substrate, the gate layer is part of the first metal layer. Therefore this part of the first metal layer to prevent the cleaning liquid and the second insulating layer contact, making the second insulating layer can not form holes, and thus avoid the first and second metal layers and gate Thus, the yield of thin film transistors is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板。
技术介绍
在现有技术中，在制作薄膜晶体管的过程中，当制作完过孔后，需要对残留在半导体层上少量无机物进行清洗，以避免薄膜晶体管的源极和漏极通过过孔与半导体层连接时出现的接触不良的现象，但是在对半导体层上残留的无机物进行清洗时，由于残留的无机物与覆盖在栅极层上的绝缘层的材料相同，因此该绝缘层也会与清洗剂发生反应，使该绝缘层上出现孔洞，当该孔洞较深时，在该绝缘层远离栅极层的一侧制作金属层时，该金属层会通过孔洞与栅极层短接，使得该薄膜晶体管无法使用，因此通过上述现有技术制作薄膜晶体管时，薄膜晶体管的良率较低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板，用于解决现有技术中，在制作薄膜晶体管时，薄膜晶体管的良率较低的问题。一方面，本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管的制造方法，所述制造方法包括：提供一基板；在所述基板上形成半导体层；在所述半导体层远离所述基板的一侧形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧形成栅极层；在所述栅极层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧形成第一金属层；在垂直于所述基板的方向上形成贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一金属层的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔在所述基板上的正投影分别位于所述栅极层的两侧；在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第二金属层，其中，所述第二金属层分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述半导体层连接，以及所述第一金属层通过所述第二金属层与所述半导体层连接。可选地，所述在所述栅极层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层，包括：在所述栅极层远离所述基板的一侧，通过化学气相沉淀形成所述第二绝缘层。可选地，所述在垂直于所述基板的方向上形成贯穿所述第一绝缘层、第二绝缘层和所述第一金属层的第一过孔和第二过孔，包括：在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成光刻胶膜层；所述光刻胶膜层远离所述基板的一侧覆盖掩膜版；对所述光刻胶膜层进行曝光；移除所述掩膜版；对所述光刻胶层进行显影处理，以使所述光刻胶膜层形成指定图案；利用具有指定图案的所述光刻胶膜层，对所述第一绝缘层、第二绝缘层和所述第一金属层进行刻蚀处理，以在垂直于所述基板的方向上形成贯穿所述第一绝缘层、第二绝缘层和所述第一金属层的第一过孔和第二过孔；将具有指定图案的所述光刻胶膜层移除。可选地，在垂直于所述基板的方向上形成贯穿所述第一绝缘层、第二绝缘层和所述第一金属层的第一过孔和第二过孔之后，且在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第二金属层之前，所述制造方法还包括：清洗所述半导体层上残留的所述第一绝缘层。可选地，所述制造方法还包括：在所述第一金属层和所述第二金属层构成的膜层上图案化形成第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分之间相互不连接，所述第一过孔在所述基板上的正投影位于所述第一部分在所述基板上的正投影内，所述第二过孔在所述基板上的正投影位于所述第三部分在所述基板上的正投影内，所述第二部分在所述基板上的正投影位于所述第一部分和所述第三部分在所述基板上的正投影之间，所述第二部分在所述基板上的正投影与所述栅极层在所述基板上的正投影相互交叠。可选地，所述制造方法还包括：在所述第一金属层和所述第二金属层构成的膜层上图案化形成第一部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分之间相互不连接，所述第一过孔在所述基板上的正投影位于所述第一部分在所述基板上的正投影内，所述第二过孔在所述基板上的正投影位于所述第三部分在所述基板上的正投影内，所述第一部分和所述第三部分在所述基板上的正投影都不与所述栅极层在所述基板上的正投影交叠。可选地，所述第一金属层和/或第二金属层通过物理磁控溅镀形成。可选地，所述第一金属层和所述第二金属层的材料包括鉬、铝、铜、钛、银和金属氧化物中的至少一种。可选地，所述第一金属层的厚度h1的取值范围为：10nm≤h1≤900nm；所述第二金属层的厚度h2的取值范围为：15nm≤h1≤900nm。另一方面，本专利技术实施例还提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：半导体层，所述半导体层位于一基板上；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述半导体层远离所述基板的一侧；栅极层，所述栅极层位于所述第一绝缘层远离所述基板的一侧；第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述栅极层远离所述基板的一侧；第一金属层，所述第一金属层位于所述第二绝缘层远离所述基板的一侧；第一过孔和第二过孔，在垂直于所述基板的方向上，所述第一过孔和所述第二过孔分别贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一金属层，所述第一过孔和所述第二过孔在所述基板上的正投影分别位于所述栅极层的两侧；第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层远离所述基板的一侧，所述第二金属层分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述半导体层电连接；其中，所述第一金属层和所述第二金属层构成的膜层具有第一部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分之间相互不连接，所述第一过孔在所述基板上的正投影位于所述第一部分在所述基板上的正投影内，所述第二过孔在所述基板上的正投影位于所述第三部分在所述基板上的正投影内，所述第一部分和所述第三部分在所述基板上的正投影都不与所述栅极层在所述基板上的正投影交叠。可选地，所述第一金属层和所述第二金属层构成的膜层还具有第二部分，所述第二部分与所述第一部分和所述第三部分相互不连接，所述第二部分在所述基板上的正投影位于所述第一部分和所述第三部分在所述基板上的正投影之间，所述第二部分在所述基板上的正投影与所述栅极层在所述基板上的正投影相互交叠。可选地，所述第一金属层和所述第二金属层的材料包括鉬、铝、铜、钛、银和金属氧化物中的至少一种。可选地，所述第一金属层的厚度h1的取值范围为：10nm≤h1≤900nm；所述第二金属层的厚度h2的取值范围为：15nm≤h1≤900nm。再一方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括如上述所述的薄膜晶体管。上述技术方案中的任一个技术方案具有如下有益效果：在本专利技术实施例中，在形成半导体层后，在该半导体层的一侧形成第一绝缘层、第二绝缘层和位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的栅极层，然后在第二绝缘层远离基板的一侧形成第一金属层，并在垂直与基板的方向行形成贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第一金属层的第一过孔和第二过孔，该第一过孔和第二过孔在基板上的正投影位于栅极层的两侧，即在垂直于基板的方向上，位于第一过孔和第二过孔之间的第一金属层覆盖该栅极层，最后在第一金属层远离基板的一侧形成第二金属层，该第二金属层分别通过该第一过孔和该第二过孔与半导体层连接，以及第一金属层通过第二金属层与半导体层连接，在本专利技术实施例中，由于在垂直于基板的方向上，位于第一过孔和第二过孔之间的第一金属层覆盖该栅极层，因此，如果在形成第一过孔和第二过孔后，对残留在半导体层上的残留物进行清洗时，位于第一过孔和第二过孔之间的第一金属层能够阻止清洗液和第二绝缘层接触，使得第二绝缘层上不会形成孔洞，进而避免了第一金属层和第二金属层与栅极层短接的现象，因此，本专利技术实施例可以提高薄膜晶体管的良率。附图说明为了更清本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一基板；在所述基板上形成半导体层；在所述半导体层远离所述基板的一侧形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧形成栅极层；在所述栅极层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧形成第一金属层；在垂直于所述基板的方向上形成贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一金属层的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔在所述基板上的正投影分别位于所述栅极层的两侧；在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第二金属层，其中，所述第二金属层分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述半导体层连接，以及所述第一金属层通过所述第二金属层与所述半导体层连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一基板；在所述基板上形成半导体层；在所述半导体层远离所述基板的一侧形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧形成栅极层；在所述栅极层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧形成第一金属层；在垂直于所述基板的方向上形成贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一金属层的第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔在所述基板上的正投影分别位于所述栅极层的两侧；在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第二金属层，其中，所述第二金属层分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述半导体层连接，以及所述第一金属层通过所述第二金属层与所述半导体层连接。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述栅极层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层，包括：在所述栅极层远离所述基板的一侧，通过化学气相沉淀形成所述第二绝缘层。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在垂直于所述基板的方向上形成贯穿所述第一绝缘层、第二绝缘层和所述第一金属层的第一过孔和第二过孔，包括：在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成光刻胶膜层；在所述光刻胶膜层远离所述基板的一侧覆盖掩膜版；对所述光刻胶膜层进行曝光；移除所述掩膜版；对所述光刻胶层进行显影处理，以使所述光刻胶膜层形成指定图案；利用具有指定图案的所述光刻胶膜层，对所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一金属层进行刻蚀处理，以在垂直于所述基板的方向上形成贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一金属层的第一过孔和第二过孔；将具有指定图案的所述光刻胶膜层移除。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在垂直于所述基板的方向上形成贯穿所述第一绝缘层、第二绝缘层和所述第一金属层的第一过孔和第二过孔之后，且在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第二金属层之前，所述制造方法还包括：清洗所述半导体层上残留的所述第一绝缘层。5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：在所述第一金属层和所述第二金属层构成的膜层上图案化形成第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分之间相互不连接，所述第一过孔在所述基板上的正投影位于所述第一部分在所述基板上的正投影内，所述第二过孔在所述基板上的正投影位于所述第三部分在所述基板上的正投影内，所述第二部分在所述基板上的正投影位于所述第一部分和所述第三部分在所述基板上的正投影之间，所述第二部分在所述基板上的正投影与所述栅极层在所述基板上的正投影相互交叠。6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：在所述第一金属层和所述第二金属层构成的膜层上图案化形成第一部分和第三部分，所述第一部分和所述第三部分之间相互不连接，所述第一过孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：林永祥，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42