The invention provides a vacuum patterned thin film deposition apparatus includes a vacuum chamber, plating substrate, evaporation bands, laser source and grid, the evaporation source strip includes evaporation materials and carbon nanotube membrane structure, the membrane structure of carbon nanotubes as a carrier, the evaporation material is provided on the carbon nanotube film surface structure. The grid comprises a first surface and a two surface opposite the first surface, and the laser source and the relative interval is set, the evaporation source can strip along the length direction by the laser source and the grid, the grid of the second surface and the substrate to be plated is opposite, the evaporation source strip by the laser source and the grid with the substrate to be plated parallel and arranged at intervals, the evaporation source strip, plating substrate, laser source and grid are arranged in the vacuum chamber. The invention also provides a vacuum evaporation method for patterning the film.
【技术实现步骤摘要】
图案化薄膜真空蒸镀装置及方法
本专利技术涉及一种图案化薄膜真空蒸镀装置及方法。
技术介绍
真空蒸镀是将蒸发源在真空中加热,使蒸镀材料气化,并在待镀基底表面沉积成膜的过程。为了形成均匀的薄膜,需要在待镀基底周围形成均匀的气态蒸镀材料。在现有技术中(如中国专利申请CN1970826A)通常需要设置复杂的导流装置将气态蒸镀材料均匀传送至待镀基底表面。尤其当蒸发源为两种以上时,对每种蒸发源的蒸发速率更加难以控制,难以形成预定比例的混合蒸镀材料气体。镀膜尺寸越大,成膜的均匀性越难保证,并且,由于难以控制气态蒸镀材料原子的扩散运动方向,大部分蒸镀材料都不能附着在待镀基底表面,从而造成蒸镀率低且蒸镀速度慢等问题。
技术实现思路
有鉴于此,确有必要提供一种能够解决上述问题的图案化薄膜真空蒸镀装置及方法。一种图案化薄膜的真空蒸镀装置,包括真空室、待镀基底、蒸发源条带、激光源及栅网,该蒸发源条带包括蒸发材料及碳纳米管膜结构,该碳纳米管膜结构为一载体,该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面,通过该碳纳米管膜结构承载。该栅网包括相对的第一表面及第二表面,该第一表面与该激光源相对且间隔设置,该蒸发源条带能够沿长度方向通过该激光源与该栅网之间,该栅网的第二表面与该待镀基底相对设置,该蒸发源条带通过该激光源与该栅网之间的部分与该待镀基底平行且间隔设置,该蒸发源条带、待镀基底、激光源及栅网均设置在该真空室中。一种图案化薄膜的真空蒸镀方法,包括:S1,提供设置在真空室中的蒸发源条带、激光源、栅网及待镀基底,该蒸发源条带包括蒸发材料及碳纳米管膜结构,该碳纳米管膜结构为一载体,该蒸发材料设置在该碳纳 ...
【技术保护点】
一种图案化薄膜的真空蒸镀装置,包括真空室及待镀基底,其特征在于,进一步包括:蒸发源条带,包括蒸发材料及碳纳米管膜结构,该碳纳米管膜结构为一载体,该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面,通过该碳纳米管膜结构承载;激光源;以及栅网,包括相对的第一表面及第二表面,该第一表面与该激光源相对且间隔设置,该蒸发源条带能够沿长度方向通过该激光源与该栅网之间,该栅网的第二表面与该待镀基底相对设置,该蒸发源条带通过该激光源与该栅网之间的部分与该待镀基底平行且间隔设置,该蒸发源条带、待镀基底、激光源及栅网均设置在该真空室中。
【技术特征摘要】
1.一种图案化薄膜的真空蒸镀装置,包括真空室及待镀基底,其特征在于,进一步包括:蒸发源条带,包括蒸发材料及碳纳米管膜结构,该碳纳米管膜结构为一载体,该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面,通过该碳纳米管膜结构承载;激光源;以及栅网,包括相对的第一表面及第二表面,该第一表面与该激光源相对且间隔设置,该蒸发源条带能够沿长度方向通过该激光源与该栅网之间,该栅网的第二表面与该待镀基底相对设置,该蒸发源条带通过该激光源与该栅网之间的部分与该待镀基底平行且间隔设置,该蒸发源条带、待镀基底、激光源及栅网均设置在该真空室中。2.如权利要求1所述的图案化薄膜的真空蒸镀装置,其特征在于,该蒸发源条带、激光源及栅网能够整体相对于该待镀基底运动。3.如权利要求1所述的图案化薄膜的真空蒸镀装置,其特征在于,进一步包括一蒸发源条带驱动机构,该蒸发源条带驱动机构能够驱动该蒸发源条带沿长度方向通过该激光源与该栅网之间。4.如权利要求1所述的图案化薄膜的真空蒸镀装置,其特征在于,进一步包括一待镀基底驱动机构,该待镀基底驱动机构能够驱动该待镀基底平行于该栅网移动。5.如权利要求1所述的图案化薄膜的真空蒸镀装置,其特征在于,进一步包括激光源驱动机构,该激光源驱动机构能够驱动该激光源、栅网及蒸发源条带整体平行于该待镀基底移动。6.如权利要求1所述的图案化薄膜的真空蒸镀装置,其特征在于,进一步包括将该栅网与该激光源固定连接的栅网支架,该栅网支架垂直于该栅网设置在该栅网的两端,该栅网支架包括蒸发源条带传送口,使该蒸发源条带沿长度方向从该传送口通过该激光源与该栅网之间。7.如权利要求1所述的图案化薄膜的真空蒸镀装置,其特征在于,进一步包括第一卷轴及第二卷轴,该第一卷轴与该第二卷轴垂直于该蒸发源条带的长度方向,并与该激光源固定连接,该蒸发源条带一端与该第一卷轴连接,另一端与该第二卷轴连接,并卷绕设置于该第一卷轴及第二卷轴中的至少一卷轴上。8.如权利要求1所述的图案化薄膜的真空蒸镀装置,其特征在于,该碳纳米管膜结构的单位面积热容小于2×10-4焦耳每平方厘米开尔文,比表面积大于200平方米每克。9.如权利要求1所述的图案化薄膜的真空蒸镀装置,其特征在于,该碳纳米管膜结构包括一个或相互层叠的多个碳纳米管膜,该碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管。10.如权利要求1所述的图案化薄膜的真空蒸镀装置,其特征在于,该碳纳米管膜中的碳纳米管基本平行于该碳纳米管膜表面,并沿同一方向延伸。11.如权利要求1所述的图案化薄膜的真空蒸镀装置,其特征在于,该蒸发源条带的厚度小于或等于100微米。12.如权利要求1所述的图案...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏洋,范守善,
申请(专利权)人:清华大学,鸿富锦精密工业深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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