硅胶基导热储热片制造技术

编号:201720058355 阅读:28 评论( 0 )

本实用新型专利技术公开了一种硅胶基导热储热片,包括导热硅胶片,导热硅胶片两面均敷有一层纳米铜碳,纳米铜碳包括经纳米工艺处理的纳米铜箔、依次形成于纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层和形成于纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层,热辐射低酸均热层与导热硅胶片接触。本实用新型专利技术通过在导热硅胶片两面均复合涂敷一层纳米铜碳,利用纳米铜碳在垂直和水平方向的导热优良性,弥补了导热硅胶的一些不足,同时结合硅胶体的厚度优势,实现了导热储热的性能。

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1 技术实现步骤摘要

硅胶基导热储热片
本技术涉及一种屏蔽导热件,具体是涉及一种硅胶基导热储热片
技术介绍
导热硅胶可广泛涂覆于各种电子产品,电器设备中的发热体(功率管、可控硅、电热堆等)与散热设施(散热片、散热条、壳体等)之间的接触面,起传热媒介作用和防潮、防尘、防腐蚀、防震等性能。硅胶本身具有很好的储热功能,但是其导热是垂直方向的,在快速导热时,存在一定的不足。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本技术提出一种硅胶基导热储热片,实现了良好的导热储热的功能。本技术的技术方案是这样实现的:一种硅胶基导热储热片,包括导热硅胶片,所述导热硅胶片两面均敷有一层纳米铜碳,所述纳米铜碳包括经纳米工艺处理的纳米铜箔、依次形成于所述纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层和形成于所述纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层,所述热辐射低酸均热层与所述导热硅胶片接触。进一步的,所述导热硅胶片的厚度为0.5-25mm,所述纳米铜碳的厚度为25-75um。进一步的,所述纳米铜箔采用电解法制取,其厚度为25-55um,电解过程中,铜的粒度控制在600-800nm。进一步的,所述纳米导热涂层包含55-75%固含量的膨胀石墨粉,所述纳米导热涂层的厚度为3-5um。进一步的,所述纳米绝缘材料涂层包含45-60%固含量的氮化硼,所述纳米绝缘材料涂层厚度为0.5-2.5um。进一步的,所述热辐射低酸均热层包含25-45%固含量的氮化硼及45-65%固含量的石墨粉,所述热辐射低酸均热层的厚度为1-3um。进一步的,所述导热硅胶片的主要性能参数为:硬度为35-75Shore00,耐温范围为-35-215C,密度为1.35-1.85g/cm3,介电性能(耐电压)为>3KV,导热性能为1.0-2.0W/M-K,自粘性为20-35Pa.s。本技术的有益效果是:本技术提供一种硅胶基导热储热片,通过在导热硅胶片两面均复合涂敷一层纳米铜碳,利用纳米铜碳在垂直和水平方向的导热优良性,弥补了导热硅胶的一些不足,同时结合硅胶体的厚度优势,实现了导热储热的性能。该纳米铜碳采用纳米铜箔作为导热基材,并在纳米铜箔一侧涂布了用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层,在纳米铜箔另一侧涂布了用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层,在垂直和水平方向具有良好的导热性能。附图说明图1为本技术中硅胶基导热储热片示意图。图2为本技术中纳米铜碳结构示意图。具体实施方式为了能够更清楚地理解本技术的
技术实现思路
,特举以下实施例详细说明,其目的仅在于更好理解本技术的内容而非限制本技术的保护范围。实施例附图的结构中各组成部分未按正常比例缩放,故不代表实施例中各结构的实际相对大小。如图1和图2所示,一种硅胶基导热储热片,包括导热硅胶片1,所述导热硅胶片两面均敷有一层纳米铜碳2,所述纳米铜碳包括经纳米工艺处理的纳米铜箔21、依次形成于所述纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层22及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层23和形成于所述纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层24,所述热辐射低酸均热层与所述导热硅胶片接触。这样,通过在导热硅胶片两面均复合涂敷一层纳米铜碳,利用纳米铜碳在垂直和水平方向的导热优良性,弥补了导热硅胶的一些不足,同时结合硅胶体的厚度优势,实现了导热储热的性能。该纳米铜碳采用纳米铜箔作为导热基材,并在纳米铜箔一侧涂布了用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层,在纳米铜箔另一侧涂布了用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层,在垂直和水平方向具有良好的导热性能。优选的,所述导热硅胶片的厚度为0.5-25mm,所述纳米铜碳的厚度为25-75um。该纳米铜碳的厚度结合硅胶的厚度,可实现较好的导热储热功能。优选的,所述纳米铜箔采用电解法制取,其厚度为25-55um,电解过程中,铜的粒度控制在600-800nm。这样,通过该纳米工艺处理的纳米铜箔具有良好的金属屏蔽性能及导热导电性能。优选的,所述纳米导热涂层包含55-75%固含量的膨胀石墨粉,所述纳米导热涂层的厚度为3-5um。该纳米导热涂层包含55-75%固含量的膨胀石墨粉,具有较好的热辐射吸收导热性能。此外,所述纳米导热涂层可采用35-55%固含量的聚氨酯粘合胶粘体(或环氧树脂胶粘体),5-10%固含量的二甲基硅油消泡剂(或聚丙烯酸酯消泡剂),2-4%固含量的9510,9101分散剂等与55-75%固含量的膨胀石墨粉一起组成涂布浆料。优选的,所述纳米绝缘材料涂层包含45-60%固含量的氮化硼,所述纳米绝缘材料涂层厚度为0.5-2.5um。该纳米绝缘材料涂层包含45-60%固含量的氮化硼,具有较好的绝缘性,此外,该纳米绝缘材料涂层可采用50-65%固含量的聚氨酯粘合胶粘体(或环氧树脂胶粘体),3-8%固含量的二甲基硅油消泡剂(或聚丙烯酸酯消泡剂),2-4%固含量的9510、9101分散剂等与45-60%固含量的一起组成涂布浆料。优选的,所述热辐射低酸均热层包含25-45%固含量的氮化硼及45-65%固含量的石墨粉,所述热辐射低酸均热层的厚度为1-3um。该热辐射低酸均热层包含25-45%固含量的氮化硼及45-65%固含量的石墨粉,具有增强空间辐射热的吸收的作用,可提升纳米铜箔的辐射热吸收约20-30%的能效。热辐射低酸均热层可采用5-8%固含量的二甲基硅油消泡剂(或聚丙烯酸酯消泡剂),3-5%固含量的9510,9101分散剂等与25-45%固含量的氮化硼及45-65%固含量的石墨粉一起组成涂布浆料。优选的,所述导热硅胶片的主要性能参数为:硬度为35-75Shore00,耐温范围为-35-215C,密度为1.35-1.85g/cm3,介电性能(耐电压)为>3KV,导热性能为1.0-2.0W/M-K,自粘性为20-35Pa.s。综上,本技术提供一种硅胶基导热储热片,通过在导热硅胶片两面均复合涂敷一层纳米铜碳,利用纳米铜碳在垂直和水平方向的导热优良性,弥补了导热硅胶的一些不足,同时结合硅胶体的厚度优势,实现了导热储热的性能。以上实施例是参照附图,对本技术的优选实施例进行详细说明。本领域的技术人员通过对上述实施例进行各种形式上的修改或变更,但不背离本技术的实质的情况下,都落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网
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<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/61/201720058355.html" title="硅胶基导热储热片原文来自X技术">硅胶基导热储热片</a>
【详细说明在详细技术资料中】

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2 技术保护点

一种硅胶基导热储热片,其特征在于:包括导热硅胶片(1),所述导热硅胶片两面均敷有一层纳米铜碳(2),所述纳米铜碳包括经纳米工艺处理的纳米铜箔(21)、依次形成于所述纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层(22)及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层(23)和形成于所述纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层(24),所述热辐射低酸均热层与所述导热硅胶片接触。

3 技术保护范围摘要

1.一种硅胶基导热储热片,其特征在于:包括导热硅胶片(1),所述导热硅胶片两面均敷有一层纳米铜碳(2),所述纳米铜碳包括经纳米工艺处理的纳米铜箔(21)、依次形成于所述纳米铜箔一侧的用于热辐射吸收导热的纳米导热材料涂层(22)及用于实现绝缘的纳米绝缘材料涂层(23)和形成于所述纳米铜箔相对的另一侧的用于增强空间辐射热的吸收的热辐射低酸均热层(24),所述热辐射低酸均热层与所述导热硅胶片接触。2.根据权利要求1所述的硅胶基导热储热片,其特征在于:所述导热硅胶片的厚度为0.5-25...

4 专利技术属性

发明(设计)人:郭志军
申请(专利权)人:苏州鸿凌达电子科技有限公司
专利类型:新型
专利号:201720058355
国别省市:江苏,32

5 专利技术项目评估

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