【技术实现步骤摘要】
存储器装置、静态随机存取存储器阵列及其制造方法
本专利技术涉及静态随机存取存储器阵列,特别涉及一种具有至少两个静态随机存取存储器迷你阵列以及设置于两个静态随机存取存储器迷你阵列间的静态随机存取存储器冗余阵列的静态随机存取存储器阵列。
技术介绍
静态随机存取存储器是常用于集成电路中。静态随机存取存储器单元具有不需要刷新即可保存数据的优点。随着集成电路对于速度的要求越来越高,静态随机存取存储器单元的读取速度以及写入速度亦变得更加重要。随着静态随机存取存储器单元的尺寸日益缩小,使得上述的要求更难以实现。举例来说,形成于静态随机存取存储器单元的字元线以及位元线的金属线的薄膜电阻将变得更高,因此静态随机存取存储器单元的字元线以及位元线的RC延迟将增加,将无法改善读取速度以及写入速度。当进入纳米时代时,静态随机存取存储器单元的尺寸将可被作的非常大以增加静态随机存取存储器单元的效能。然而,这将带来两个问题。第一,每个位元线必须连接至静态随机存取存储器单元的更多行,如此将诱发更高的位元线金属耦合电容值(bit-linemetalcouplingcapacitance),使得差动位元线(位元线以及反相位元线)的差动速度将被降低。第二,每个字元线亦必须连接至静态随机存取存储器单元的更多列,将导致字元线变长,使得电阻值变大并增加RC延迟。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供一种静态随机存取存储器阵列,包括一第一静态随机存取存储器迷你阵列、一第二静态随机存取存储器迷你阵列以及一静态随机存取存储器冗余阵列。第一静态随机存取存储器迷你阵列包括位于静态随机存取存储器阵列的一第一列中的一第 ...
【技术保护点】
一种静态随机存取存储器阵列,其特征在于,包括:一第一静态随机存取存储器迷你阵列,包括位于上述静态随机存取存储器阵列的一第一列中的一第一多功能性静态随机存取存储器单元,其中上述第一多功能性静态随机存取存储器单元的每一个是共用一第一位元线;一第二静态随机存取存储器迷你阵列,包括位于上述第一列中的一第二多功能性静态随机存取存储器单元,其中上述第二多功能性静态随机存取存储器单元的每一个是共用一第二位元线,上述第一位元线以及上述第二位元线是分别独立受到控制;以及一静态随机存取存储器冗余阵列,介于上述第一静态随机存取存储器迷你阵列以及上述第二静态随机存取存储器迷你阵列之间,其中静态随机存取存储器冗余阵列包括位于上述第一列中的多个静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元,上述第一位元线的一第一终端以及上述第二位元线的一第二终端是设置于上述静态随机存取存储器冗余阵列中。
【技术特征摘要】
2016.01.29 US 62/289,048;2016.05.02 US 15/144,4671.一种静态随机存取存储器阵列,其特征在于,包括:一第一静态随机存取存储器迷你阵列,包括位于上述静态随机存取存储器阵列的一第一列中的一第一多功能性静态随机存取存储器单元,其中上述第一多功能性静态随机存取存储器单元的每一个是共用一第一位元线;一第二静态随机存取存储器迷你阵列,包括位于上述第一列中的一第二多功能性静态随机存取存储器单元,其中上述第二多功能性静态随机存取存储器单元的每一个是共用一第二位元线,上述第一位元线以及上述第二位元线是分别独立受到控制;以及一静态随机存取存储器冗余阵列,介于上述第一静态随机存取存储器迷你阵列以及上述第二静态随机存取存储器迷你阵列之间,其中静态随机存取存储器冗余阵列包括位于上述第一列中的多个静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元,上述第一位元线的一第一终端以及上述第二位元线的一第二终端是设置于上述静态随机存取存储器冗余阵列中。2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器阵列,其中每个上述静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元包括:一第一反相器;一第二反相器,其中上述第一反相器的一第一输入端是电性连接至上述第二反相器的一第二输出端,并且上述第二反相器的一第二输入端是电性连接至上述第一反相器的一第一输出端;一第一通道闸晶体管,电性连接至上述第一输入端;以及一第二通道闸晶体管,电性连接至上述第二输入端。3.如权利要求1所述的静态随机存取存储器阵列,还包括一第三位元线,介于上述第一位元线以及上述第二位元线之间,其中上述第三位元线是完全设置于上述静态随机存取存储器冗余阵列中。4.如权利要求1所述的静态随机存取存储器阵列,其中位于上述第一列中的上述静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元包括:一第一静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元,相邻于上述第一多功能性静态随机存取存储器单元的一个;以及一第二静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元,相邻于上述第二多功能性静态随机存取存储器单元的一个以及上述第一静态随机存取存储器阵列邻接冗余单元。5.一种存储器装置,包括:一第一功能性存储器单元,位于一存储器阵列的一列中,其中上述第一功能性存储器单元包括一第一位元线以及一第一反相位元线的第一部分;一第一冗余存储器单元,位于上述列中,并相邻于上述第一功能性存储器单元,其中上述第一位元线以及上述第一反相位元线的第二部分是设置于上述第一冗余存储器单元中;一第二冗余存储器单元,位于上述列中,并相邻于上述第一冗余存储器单元;以及一第二功能性存储器单元,位于上述列中,并相邻于上述第二冗余存储器单元,其中上述第二功能...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖忠志,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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